Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14991

У збірнику подані розширені тези доповідей Міжнародної наукової конференції "Оксидні матеріали електронної техніки - отримання, властивості, застосування" (OMEE-2012). Конференція присвячена актуальним проблемам технології отримання та дослідження структурних , оптичних, магнітних та електрофізичних властивостей оксидних матеріалів, а також можливості їх практичного застосування у пристроях електронної техніки та розроблення нових функціональних пристроїв на їх основі. Для наковців та аспірантів, які працюють в галузі фізики оксидних матеріалів.

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти, науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – 305 c.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    On the application of chalcogenide glasses in temperature sensors
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Shpotyuk, M.; Chalyy, D.; Shpotyuk, O.; Iovu, M.; Andriesh, A.; Vakiv, M.; Ubizskii, S.
    In this paper we report about a possibility of application of chalcogenide glasses as active media in optoelectronic temperature sensors. All investigations were performed on a sample of Ge18As18Se64 chalcogenide glass as typical covalent network glass with rigid structure. Temperature dependence of optical transmission in the fundamental optical absorption edge region was studied through the glass transition interval. A monotone increasing temperature dependence of position of the fundamental optical absorption edge at the half maximum of its intensity was observed through the whole investigated temperature range as well as quasi-linear dependence upon the temperature in the region below glass transition.
  • Thumbnail Image
    Item
    Point defects and diffusion in oxides
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Shi, J.; Becker, K. - D.
    Electronic and ionic defects are unavoidable elements of structural disorder in oxide materials resulting from nonstoichiometry or impurity/doping ions. Many point defects involving electrons or transition metal ions give rise to optical absorption, providing a probe to study defect chemistry and transport properties in these materials. We present the application of optical in-situ spectroscopy to the investigation of defects and defect-related processes at elevated temperatures in N-doped titania films and Lideficient lithium niobate.