Електроніка. – 2002. – №455
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39513
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка" – Львів : Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002. – № 455 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 224 с. : іл.
Browse
Item Вплив високоенергетичного у-випромінювання на оптичні властивості халькогенідних стекол системи As-Sb-S(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Ковальський, А. П.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив високоенергетичного у-випромінювання на спектри оптичного пропускання халькогенідних склоподібних напівпровідників системи A s-Sb-S по псевдобінарному розрізу (As2S3)x(Sb2S3)i-x. Встановлено, що у всьому досліджуваному концентраційному діапазоні радіаційна обробка приводить до потемніння стекол в області краю поглинання та його просвітління в області прозорості. Зроблено висновок, що величина та характер спостережуваних змін оптичних властивостей визначаються співвідношенням концентрацій атомів As та Sb. Запропоновано механізм радіаційно-індукованого дефектоутворення. Influence of high-energetic y-radiation on the optical transmittance spectra of chalcogenide vitreous semiconductors of As-Sb-S system along of (As2S3)x(Sb2S3)1-x pseudobinary line was investigated. It was established that radiation treatment leads to the darkening of glasses near the optical absorption edge and their bleaching in the transmittance region for the whole investigated concentration range. It was concluded that the magnitude and the character of observed changes of optical properties are determined by the ratio of As and Sb concentrations. Mechanism of radiation-induced defect formation processes was proposed.Item Проектування оптичних резонаторів потужних неперервних лазерів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Бондарчук, Я. М.; Петровська, Г. А.; Національний університет "Львівська політехніка"Запропоновано метод оптимізації конструктивних параметрів оптичних резонаторів потужних лазерів з врахуванням теплових деформацій дзеркал, які виникають внаслідок поглинання частини потужного лазерного випромінювання тонкоплівковим покриттям. Скоректовані радіуси кривизни робочих поверхонь дзеркал для промислових іонних лазерів із дзеркалами з типовим рівнем поглинання. The method of optimization of design data of optical resonators of powerful lasers is offered in view of thermal deformations of mirrors, which arise owing to absorption of a part of powerful laser radiation is thin-film by a covering. Is corrected radiuses of curvature of mirrors for industrial of ion lasers from mirrors with a typical level of absorption.Item Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет "Львівська політехніка"У роботі вивчено вплив деформації на електропровідність ниткоподібних кристалів (НК) GexSii-x (x = 0,01-0,03) в інтервалі температур 4,2-300 К. НК вирощували методом хімічних транспортних реакцій в закритій бромідній системі з використанням домішок Au і B. Досліджували сильнолеговані кристали з питомим опором р = 0,005-0,025 Омсм, який відповідає близькості зразків до переходу метал-діелектрик. Деформація зразків здійснювалася їх закріпленням на спеціально підібрані підкладки (мідь, алюміній, кварц) з відмінним від матеріалу Ge-Si коефіцієнтом термічного розширення. Виявлений гігантський п’єзорезистивний ефект в НК при кріогенних температурах. Визначений коефіцієнт тензочутливості К<111> = Ар/(р0є) становить 10,000-30,000 при 4,2 K в НК з питомим опором р = 0,012-0,018 Омсм, відповідно. З кривих а = f(1/T) були розраховані енергії активації стрибкової провідності. Обговорюються можливі причини виявленого ефекту. The present paper deals with studies of deformation influence on GexSi1-x (x = 0,01-0,03) whisker conduction in the temperature range 4,2-300 K. The whiskers were grown by chemical vapour deposition method in a sealed bromide system with use of Au and B dopants. The whiskers with resistivity р = 0,005-0,025 Q cm were under investigation. The values of resistivity are corresponded to impurity concentrations closed to the metal-insulator transition. The strain was imposed by the whisker mounting on specially selected substrates (quartz, copper, aluminium) with thermal expansion coefficient different from that in Si-Ge material. The ‘giant’ piezoresistance was found in the specimens at cryogenic temperatures. Estimated longital gauge factor G<111> = Ар/(роЄ) is equal to 10,000-30,000 at 4,2 K in the whiskers with resistivity р = 0,012-0,018 Q cm respectively. From the curves а = f(1/T) the activation energies for the hopping conductance in the whiskers have been calculated. Possible reasons of the obtain phenomena are discussed.Item Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.; Дорош, Н. В.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.Item Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSb(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Національний університет "Львівська політехніка"Визначені основні кінетичні параметри росту за методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодидній системі нелегованих та легованих ізовалентною домішкою Ві ниткоподібних кристалів InSb. Визначена енергія кристалізації, яка для кристалів InSb <Ві> становить 177,3 кДж/моль, а для нелегованих мікрокристалів InSb - 150 кДж/моль. Одержана залежність швидкості росту ниткоподібних кристалів від радіуса, яка дає можливість отримувати кристали необхідних розмірів при визначеній температурі кристалізації. Встановлено вплив температури кристалізації на аксіальну та радіальну швидкість росту мікрокристалів. Визначено, що введення ізовалентної домішки Ві в InSb приводить до збільшення як діаметрів мікрокристалів, так і їх довжини, а також до зростання кінетичного коефіцієнту кристалізації. Main kinetic growth parameters according to the method of chemical transport reactions in the closed iodide system of InSb whiskers, undoped and doped with the isovalent impurity Bi are determined. Crystallization energy for InSb whiskers is 177.3 kilojoules per mole, and for the undoped InSb whiskers - 150 kilojoules per mole. Dependence of the growth speed of the whiskers on the radius was obtained that permits to obtain crystals of the necessary size when crystallization temperature is determined. The influence of crystallization temperature on the axial and radial growth speed of the whiskers is set. It is found that introducing isovalent impurity Bi in InSb leads to increasing both whisker diameters and their length as well as to increasing kinetic crystallization coefficient.Item Термодинамічний аналіз окислювальних реакцій в електродах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Товстюк, К. К.; Національний університет "Львівська політехніка"Проводиться термодинамічний аналіз електронного газу, який бере участь у струмоутворюючих хімічних реакціях, на поверхнях вуглецевих та нікелевих електродів відновлювальних джерел струму. Показано, що у випадку шаруватої структури постійна хімічної рівноваги, яка визначається електронним газом, на декілька порядків менша порівняно з іншими моделями і суттєво слабше змінюється з температурою. Результати обчислень пояснюють існуючі експериментальні дані. The thermodynamic analysis is carried out for the chemical equilibrium constant in reactions with current-carriers creation, for the electron gas on the surfaces of the carbon and Ni electrodes. The stationary value of this constant is shown to be much smaller for the layered crystals. It also undergoes much weaker changes varies with the temperature for these crystals. Our results explain experiments.Item Багатофункціональні генератори-синтезатори сигналів для медичних електронних систем(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Смеркло, Л. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Наведено методи синтезу сигналів спеціальної форми із заданими параметрами у часовій області для задач моделювання та тестування медичної електронної апаратури. Розглянуто особливості структурної організації багатофункціональних генераторов-синтезаторів біомедичних сигналів на базі мікропроцесорних схем з цифровою пам’яттю та показано результати синтезу електрокардіосигналів. The metods for synthesis of signals of the special form with required parameters in time range for tasks of modeling and testing the medical electronic equipment are given. The features of structural organization of multifunctional generators-synthesizers of biomedical signals on the basis of the microprocessor circuits with digital memory are considered. The results of electrocardiosignals synthesis are shown.Item Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Єрохов, В. Ю.; Мельник, І. І.; Національний університет "Львівська політехніка"Метою даної роботи була розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS), яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. Завдяки оптимізації умов анодного процесу інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7,59 % для пористих шарів, вирощених на полірованій поверхні, та до 1,72 % для шарів, що вирощені на текстурованій поверхні. Мінімізація оптичних втрат дозволила підвищити на більше ніж 50 % струм короткого замикання для моно- та мультікристалічних СЕ, на фронтальній поверхні яких було сформовано ARC на основі PS. При цьому приріст ККД по відношенню до СЕ без ARC склав 31 та 22 %, відповідно. The purpose of present paper was development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence. Owing to optimization of anodization process conditions the average reflection coefficient of PS in range of 400-1000 nm was decreased to 7,59 % for porous layers, grown on polished surface, and to 1,72 % for layers that were grown on textured surface. Minimization of optical losses allowed to improve short circuit current by over than 50 % for mono- and multicrystalline SC that had PS based ARC formed on frontal surface. Under this, the increment of efficiency of these SCs (in comparison to SC without ARC) was 31 and 22 %, correspondingly.Item Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Круковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив комплексного легування домішками олова, ітербію та алюмінію розчинів-розплавів галію на електрофізичні параметри шарів GaAs, вирощуваних методом РФЕ в інтервалі температур 800-600 °С. Показано, що зазначене легування дозволяє в широких межах - від 1,5-1018 см-3 до 1 1 0 16 см-3 - керувати концентрацією вільних електронів та підвищувати їх рухливості до рівня, близького до теоретичного значення для некомпенсованих матеріалів. Аналізуються можливі механізми впливу багатокомпонентного легування на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. The influence of complex doping with tin, ytterbium and aluminum of gallium solutions - melts on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown by LPE method in an interval of temperatures 800-600 °C is investigated. It is shown that mentioned doping lets to control of free carrier concentration in wide range from 1,51018 up to 1-1016 cm-3 as well as to raise their mobility to the level corresponded to theoretical value for theuncompensated material. The possible mechanisms of multicomponent doping influence on electrophysical parameters of GaAs layers are analyzed.Item Формування дво- і тривимірних періодичних структур у фоточутливих середовищах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Фітьо, В. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Запропоновано методи формування дво- і тривимірних періодичних структур у фоточутливих середовищах голографічним методом. Показано, що з використанням дифракційних ґраток при однократному експонуванні можна отримати двовимірну періодичну структуру. Суміщаючи кількаразове експонування з поворотом фоточутливого носія, можливо сформувати тривимірну періодичну структуру зміни показника заломлення середовища. Methods of formation of two- and three-dimensional periodic structures in photosensitive mediums by a holographic method are proposed. The possibility to receive twodimensional periodic structure using diffraction gratings at unitary exhibiting is represented. Combining numerous exhibiting with turning of the photosensitive medium it is possible to generate three-dimensional periodic structure by changing medium refraction parameter.Item Двійникування у плівках CdHgTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Вірш, І. С.; Фружинський, М. С.; Національний університет "Львівська політехніка"Методом імпульсного лазерного осадження отримано плівки CdHgTe на різних підкладках. Методами електронографії та трансмісійної електронної мікроскопії досліджували початкові стадії росту плівок. Проаналізовані можливі причини двійникування в плівках та запропоновані методи уникнення двійникування на початкових стадіях формування плівок. The films of CdHgTe on alternative substrates were grown by a pulsed laser deposition technique. Study of initial stages of CdHgTe films by electron-difraction investigation and transmission electron microscopy was carried out. It is analysed the causes of the twinning effect in thin films CdHgTe. The methods of reducing the defect densities of initial stages of nucleation films were developed.Item Зміст до Вісника "Електроніка" № 455(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Національний університет "Львівська політехніка"Item Конструктивні похибки параметричних ємнісних давачів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Бзовий, М. Г.; Брайчовський, В. В.; Політанський, Л. Ф.; Шпатар, П. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено аналіз похибок ємнісних давачів переміщень, зумовлених порушенням паралельності обкладок конденсатора. Отримані аналітичні залежності зміни ємності давача від віддалі між непаралельними прямокутними та круглими обкладками. Analysis of inaccuracies for movements capacity sensors caused by a displacement transducers of capacitor plates is made. An analytical relation for change of the sensor’s capacitance to spacing interval between nonparallel rectangular and round plates is gotten.Item Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Тиханський, М. В.; Шуригін, Ф. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП, які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано, що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони (ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated.Item Кристалічна структура smgao3 та твердих розчинів Ndi-xRExGaO3 (RE = Pr, Sm)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Василечко, Л. О.; Фадеев, С. В.; Редько, Н. В.; Берковський, М.; Національний університет "Львівська політехніка"Кристалічна структура SmGaO3 та твердих розчинів Nd1.xPrxGaO3 (х = 0,25; 0,5; 0,75) і Nd1-xSmxGaO3 (х = 0,25; 0,5) досліджена методом рентгенівської порошкової дифракції. При кімнатній температурі досліджені кристали мають ром- бічно-деформовану перовскитну структуру типу G dFe03 (просторова група Pbnm, Z = 4). Ізовалентне заміщення в ряду Sm - Nd - Pr веде до зростання середнього радіуса RE-катіонів, і в результаті до закономірного зростання об’єму елементарної комірки та зменшення деформації перовскитної структури. Crystal structures of SmGaO3 and N d1-xPrxGaO3 (x = 0,25; 0,5; 0,75), and Nd1-xSmxGaO3 (x = 0,25; 0,5) solid solutions has been studied by means of X-ray powder diffraction technique. The crystals investigated belong to orthorhombically distorted perovskite-like structure of GdFeO3 -type (space group Pbnm, Z = 4) at room temperature. Isovalence substitution in the series Sm - Nd - Pr led to increasing of the average ionic radii of RE-cations, and, consequently, to naturally rising of the cell volume and decreasing of the perovskite structure deformation.Item Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Копцев, П. С.; Макідо, О. Ю.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікрокристалів InAs та InSb з використанням комплексного металургійного легування під час їх росту за методом хімічних транспортних реакцій в закритій йодидній системі. Визначено рівноважний склад газової фази систем InA s-Sn-I2 та InSb-Sn-I2. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваних систем та встановлено вплив домішок Sn і Сг на рівноважний склад газової фази базових систем. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів InAs та InSb, які підтверджені експериментально. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs and InSb microcrystals with the use of complex metallurgical doping during their growth by means of chemical transport reactions in the closed iodide system was performed. Equilibrium compositions of gas phase for InA s-Sn-I2 and InSb-Sn-I2 systems were determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied systems was performed and influence of Sn and Cr impurities was determined upon the equilibrium composition of gas phase for the basic systems. Experimentally confirmed optimal technological modes for InAs and InSb microcrystal growth were determined.Item Особливості ЕПР активності домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів телуридів свинцю і олова(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.; Слинько, С. І.; Хандожко, О. Г.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено експериментальні дослідження спектрів ЕПР кристалічних і порошкоподібних зразків p-Pb1-x-ySnyGdyTe (x = 0,2, y = 0,01). Вперше показано, що розтирання зразків досліджуваних матеріалів у порошок, а також ЇХ низькотемпературний відпал переводить іони домішки Gd з ЕПР неактивного стану Gd+ у ЕПР активний стан Gd3+, в той час як високотемпературний відпал гасить сигнал ЕПР іонів Gd. Одержані експериментальні результати інтерпретуються на основі моделі, згідно з якою зарядовий стан Gd3+домішки гадолінію в телуридах свинцю і олова є складовою частиною комплексу "домішка заміщення Gd - вакансія Те” EPR experimental study of both crystalline and powder p-Pb1-x-ySnyGdyTe samples (x = 0,2, y = 0,01) has been carried out. First it was shown, that grinding investigated materials into powder as well as their low-temperature annealing turns Gd impurity ions from EPR non-active Gd2+ state to EPR Gd3+ one, whereas high-temperature annealing quenches EPR signal from Gd ions. Obtained experimental results are discussed within the model, according to which Gd3+ charge state of the Gd impurity ions in lead and tin tellurides is the component part of the "substituting Gd impurity - Te vacancy" complex.Item ЕРС в структурах кремнію 3 p-n-переходом під впливом лазерних ударних хвиль(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Нікіфоров, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджувалась генерація ЕРС в кристалах кремнію з р-п-переходом під впливом лазерних ударних хвиль малої амплітуди в двох схемних режимах. Оцінена концентрація та проаналізована природа появи нерівноважних носіїв, що викликають ЕРС. Electromotive force (EMF) génération by weak laser shock waves in silicon crystals with p-n-junction was observed. The concentration of non-equilibrium carriers, which induced EMF, was estimated and analyzed.Item Деформаційна залежність енергії утворення 2s-екситона у напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Пелещак, P. M.; Романів, І. Б.; Національний університет "Львівська політехніка"В рамках моделі еквівалентного гамільтоніана розглянуто спосіб розрахунку енергії утворення 2 s-екситона в одиничній напруженій квантовій ямі з врахуванням не тільки квантово-розмірних, а й деформаційних ефектів, що виникають в епітаксійних шарах через неузгодженість параметрів ґраток двох кристалічних структур ~4 %. Товщини нарощуваних шарів лежать в межах дії пружних деформацій. Досліджено вплив всебічної та одновісної деформації в епітаксійному шарі ZnSe в гетероструктурі ZnSe/ZnS на довжину хвилі, яка відповідає максимуму інтенсивності 1s- та 2 s-екситонів біля краю основної полоси поглинання. Проведено порівняння отриманих результатів з експериментальними даними, отриманими зі спектрів низькотемпературної фотолюмінесценції. In the frame of the equivalent hamiltonian model the calculation method of the 2s-exciton formation energy in the single quantum well is represented. It was take into consideration not only the quantum confinement, but also the deformation effects caused in the epitaxial layers by the lattice mismatch both crystalline structures ~4 %. The thicknesses of the grown layers is in the limit of the elastic strains. The effect of the hydrostatic and the nonhydrostatic strains in the ZnSe epitaxial layer in the ZnSe/ZnS heterostructure on the wavelength which corresponds to the 1s- and 2s-excitons maximum of the intensity near the edge of the main absorption line was investigated. The comparison of these results with the experimental values that was obtain from the law temperature photoluminescence spectra is carried out.