Електроніка. – 2002. – №455
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39513
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка" – Львів : Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002. – № 455 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 224 с. : іл.
Browse
Search Results
Item Непружне розсіювання дірок на оптичних коливаннях кристалічної ґратки в HgTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет "Львівська політехніка"Точним розв’язком стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду. В інтервалі температур 4,2-300 К розглянуто основні механізми розсіювання дірок з врахуванням непружної взаємодії дірок з оптичними коливаннями кристалічної ґратки. By means of exact solution of stationary Boltzman equation the nonequilibrium charge carrier distribution function is obtained. In the temperature range 4,2-300 K the main hole scattering mechanism are considered taking into account the nonelastic hole interaction with optical vibrations of the crystall lattice.Item Порівняльний аналіз процесів конверсії типу провідності В p-CdxHgi_xTe (x « 0,2)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Іжнін, І. І.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено порівняльний аналіз процесів p -n -конверсії типу провідності при термічному відпалі, іонно-променевому травленні та відпалі анодного оксиду на ідентичних зразках вакансійно-легованого р-Cd^Hg^Te. Вважалося, що у всіх цих процесах конверсія зумовлена дифузією міжвузловинних атомів ртуті з відповідного джерела та рекомбінацією її з власними акцепторами - катіонними вакансіями. Показано, що ефективні коефіцієнти дифузії міжвузловинних атомів ртуті, які визначають товщину конвертованого шару, при термічному відпалі в насиченій парі ртуті та відпалі анодного оксиду для цієї ж температури є однаковими, і це свідчить про ідентичність джерела дифузії ртуті. У випадку іонно-променевого травлення величина ефективний коефіцієнт дифузії свідчить про гігантське (у 10 7- 10 8 разів) збільшення дифузійного потоку Hg порівняно з її термодифузійним потоком у насиченій парі. Збільшення дифузійного потоку Hg зумовлено утворенням поверхневого джерела Hg із надзвичайно великою концентрацією (близько 101“2 -10113J см 3), яка зростає при збільшенні густини струму іонів. The work is devoted to the comparative analysis of the p-n type conductivity processes under thermal annealing, ion-beam milling and anodic oxide annealing on identical samples of the vacancy-doped р-Cd^Hg^Te. It was assumed that in all these processes type conductivity conversion is due to mercury interstitial diffusion from corresponding source and their recombination with native acceptors - cationic vacancies. It has been demonstrated that the mercury interstitial effective diffusion coefficients which determined converted layer depth under thermal annealing in saturated mercury vapor and anodic oxide annealing at the same temperature are similar. It may witness about the identity mercury diffusion sources. Under the ion-beam milling effective diffusion coefficient value shows the giant (in 10 7-180 times) increase of the Hg diffusion flow in comparison with its thermodiffusion flow in saturated vapor. It is stipulated by the formation of the surface Hg source with extremely high concentration (approximately 10 12 -10 13 с т 3) that rises when ion current increasing.Item Особливості ЕПР активності домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів телуридів свинцю і олова(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.; Слинько, С. І.; Хандожко, О. Г.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено експериментальні дослідження спектрів ЕПР кристалічних і порошкоподібних зразків p-Pb1-x-ySnyGdyTe (x = 0,2, y = 0,01). Вперше показано, що розтирання зразків досліджуваних матеріалів у порошок, а також ЇХ низькотемпературний відпал переводить іони домішки Gd з ЕПР неактивного стану Gd+ у ЕПР активний стан Gd3+, в той час як високотемпературний відпал гасить сигнал ЕПР іонів Gd. Одержані експериментальні результати інтерпретуються на основі моделі, згідно з якою зарядовий стан Gd3+домішки гадолінію в телуридах свинцю і олова є складовою частиною комплексу "домішка заміщення Gd - вакансія Те” EPR experimental study of both crystalline and powder p-Pb1-x-ySnyGdyTe samples (x = 0,2, y = 0,01) has been carried out. First it was shown, that grinding investigated materials into powder as well as their low-temperature annealing turns Gd impurity ions from EPR non-active Gd2+ state to EPR Gd3+ one, whereas high-temperature annealing quenches EPR signal from Gd ions. Obtained experimental results are discussed within the model, according to which Gd3+ charge state of the Gd impurity ions in lead and tin tellurides is the component part of the "substituting Gd impurity - Te vacancy" complex.Item Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Експериментально досліджено властивості зразків полікристалічного кремнію р- типу провідності на діелектричних підкладках в температурному діапазоні 4,2-300 К і магнітних полях 0-14 Тл, а також вплив деформації на опір та температурний коефіцієнт опору. Вимірювання проводились на тестових структурах з рекристалізованими і нерекристалізованими полікремнієвими резисторами. Показано, що найкращу чутливість до деформації і оптимальний температурний коефіцієнт опору для застосування в п'єзорезистивних сенсорах механічних величин мають рекристалізовані шари полі-Si, леговані бором до концентрацій >1x 10 19 см"3. Одночасно такі структури є найбільш стабільними до впливу сильних магнітних полів до 14 Тл. Тестові структури з порівняно слабколегованими нерекристалізованими полікремнієвими резисторами мають високий температурний коефіцієнт опору, який монотонно змінюється в діапазоні 4,2-300 К, і можуть бути рекомендовані для використання як високочутливі терморезистори. The electrical properties of p-type polycrystalline silicon on dielectric substrates were studied experimentally in the range 4,2-300 K and in magnetic fieldss 0-14 T, as well as the strain influence on their resistance and temperature coefficient of resistance. The measurements were carried out on the test structures containing as-deposited fine-grained poly-Si and after microzone laser recrystallization. It was shown that the recrystallized test structures doped by boron up to concentrations >1x 10 19 cm3 posess the highest strain sensitivity combined with the best temperature coefficient of resistance for sensor application. At the same time such structures are the most stable in high magnetic field up to 14 T. The structures containing relatively slightly doped polysilicon resistors have a high temperature coefficient of resistance that is monotonous in the range 4,2-300 K. They may be recommended for application as high-sensitive thermoresistors.Item Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет "Львівська політехніка"У роботі вивчено вплив деформації на електропровідність ниткоподібних кристалів (НК) GexSii-x (x = 0,01-0,03) в інтервалі температур 4,2-300 К. НК вирощували методом хімічних транспортних реакцій в закритій бромідній системі з використанням домішок Au і B. Досліджували сильнолеговані кристали з питомим опором р = 0,005-0,025 Омсм, який відповідає близькості зразків до переходу метал-діелектрик. Деформація зразків здійснювалася їх закріпленням на спеціально підібрані підкладки (мідь, алюміній, кварц) з відмінним від матеріалу Ge-Si коефіцієнтом термічного розширення. Виявлений гігантський п’єзорезистивний ефект в НК при кріогенних температурах. Визначений коефіцієнт тензочутливості К<111> = Ар/(р0є) становить 10,000-30,000 при 4,2 K в НК з питомим опором р = 0,012-0,018 Омсм, відповідно. З кривих а = f(1/T) були розраховані енергії активації стрибкової провідності. Обговорюються можливі причини виявленого ефекту. The present paper deals with studies of deformation influence on GexSi1-x (x = 0,01-0,03) whisker conduction in the temperature range 4,2-300 K. The whiskers were grown by chemical vapour deposition method in a sealed bromide system with use of Au and B dopants. The whiskers with resistivity р = 0,005-0,025 Q cm were under investigation. The values of resistivity are corresponded to impurity concentrations closed to the metal-insulator transition. The strain was imposed by the whisker mounting on specially selected substrates (quartz, copper, aluminium) with thermal expansion coefficient different from that in Si-Ge material. The ‘giant’ piezoresistance was found in the specimens at cryogenic temperatures. Estimated longital gauge factor G<111> = Ар/(роЄ) is equal to 10,000-30,000 at 4,2 K in the whiskers with resistivity р = 0,012-0,018 Q cm respectively. From the curves а = f(1/T) the activation energies for the hopping conductance in the whiskers have been calculated. Possible reasons of the obtain phenomena are discussed.Item Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Копцев, П. С.; Макідо, О. Ю.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікрокристалів InAs та InSb з використанням комплексного металургійного легування під час їх росту за методом хімічних транспортних реакцій в закритій йодидній системі. Визначено рівноважний склад газової фази систем InA s-Sn-I2 та InSb-Sn-I2. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваних систем та встановлено вплив домішок Sn і Сг на рівноважний склад газової фази базових систем. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів InAs та InSb, які підтверджені експериментально. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs and InSb microcrystals with the use of complex metallurgical doping during their growth by means of chemical transport reactions in the closed iodide system was performed. Equilibrium compositions of gas phase for InA s-Sn-I2 and InSb-Sn-I2 systems were determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied systems was performed and influence of Sn and Cr impurities was determined upon the equilibrium composition of gas phase for the basic systems. Experimentally confirmed optimal technological modes for InAs and InSb microcrystal growth were determined.Item Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Єрохов, В. Ю.; Мельник, І. І.; Національний університет "Львівська політехніка"Метою даної роботи була розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS), яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. Завдяки оптимізації умов анодного процесу інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7,59 % для пористих шарів, вирощених на полірованій поверхні, та до 1,72 % для шарів, що вирощені на текстурованій поверхні. Мінімізація оптичних втрат дозволила підвищити на більше ніж 50 % струм короткого замикання для моно- та мультікристалічних СЕ, на фронтальній поверхні яких було сформовано ARC на основі PS. При цьому приріст ККД по відношенню до СЕ без ARC склав 31 та 22 %, відповідно. The purpose of present paper was development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence. Owing to optimization of anodization process conditions the average reflection coefficient of PS in range of 400-1000 nm was decreased to 7,59 % for porous layers, grown on polished surface, and to 1,72 % for layers that were grown on textured surface. Minimization of optical losses allowed to improve short circuit current by over than 50 % for mono- and multicrystalline SC that had PS based ARC formed on frontal surface. Under this, the increment of efficiency of these SCs (in comparison to SC without ARC) was 31 and 22 %, correspondingly.Item Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Круковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив комплексного легування домішками олова, ітербію та алюмінію розчинів-розплавів галію на електрофізичні параметри шарів GaAs, вирощуваних методом РФЕ в інтервалі температур 800-600 °С. Показано, що зазначене легування дозволяє в широких межах - від 1,5-1018 см-3 до 1 1 0 16 см-3 - керувати концентрацією вільних електронів та підвищувати їх рухливості до рівня, близького до теоретичного значення для некомпенсованих матеріалів. Аналізуються можливі механізми впливу багатокомпонентного легування на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. The influence of complex doping with tin, ytterbium and aluminum of gallium solutions - melts on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown by LPE method in an interval of temperatures 800-600 °C is investigated. It is shown that mentioned doping lets to control of free carrier concentration in wide range from 1,51018 up to 1-1016 cm-3 as well as to raise their mobility to the level corresponded to theoretical value for theuncompensated material. The possible mechanisms of multicomponent doping influence on electrophysical parameters of GaAs layers are analyzed.Item Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSb(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Національний університет "Львівська політехніка"Визначені основні кінетичні параметри росту за методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодидній системі нелегованих та легованих ізовалентною домішкою Ві ниткоподібних кристалів InSb. Визначена енергія кристалізації, яка для кристалів InSb <Ві> становить 177,3 кДж/моль, а для нелегованих мікрокристалів InSb - 150 кДж/моль. Одержана залежність швидкості росту ниткоподібних кристалів від радіуса, яка дає можливість отримувати кристали необхідних розмірів при визначеній температурі кристалізації. Встановлено вплив температури кристалізації на аксіальну та радіальну швидкість росту мікрокристалів. Визначено, що введення ізовалентної домішки Ві в InSb приводить до збільшення як діаметрів мікрокристалів, так і їх довжини, а також до зростання кінетичного коефіцієнту кристалізації. Main kinetic growth parameters according to the method of chemical transport reactions in the closed iodide system of InSb whiskers, undoped and doped with the isovalent impurity Bi are determined. Crystallization energy for InSb whiskers is 177.3 kilojoules per mole, and for the undoped InSb whiskers - 150 kilojoules per mole. Dependence of the growth speed of the whiskers on the radius was obtained that permits to obtain crystals of the necessary size when crystallization temperature is determined. The influence of crystallization temperature on the axial and radial growth speed of the whiskers is set. It is found that introducing isovalent impurity Bi in InSb leads to increasing both whisker diameters and their length as well as to increasing kinetic crystallization coefficient.Item Одержання тонких фосфорних шарів нітриду алюмінію лазерно-магнетронним напиленням(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Бобицъкий, Я. В.; Котлярчук, Б. К.; Попович, Д. І.; Середницький, А. С.; Національний університет «Львівська політехніка»Подані результати експериментальних досліджень процесів імпульсного реактивного лазерно-магнетронного напилення тонких шарів AIN, AlN:Mn та формування їх структурних і катодолюмінесцентних характеристик. Встановлено, що основними технологічними факторами, які визначають властивості конденсату, є густина потужності лазерного імпульсу, температура підкладки, тиск азоту в реакційній камері та потужність паро-плазмового розряду. Проведено комплекс експериментальних робіт із вивчення механічних напружень у системі AlN - Al2O3 аналізом пружних деформацій. We report on the results of experimental investigations of processes of pulse lasermagnetron reactive deposition and formation structural and cathodoluminescent characteristics of AlN, AlN:Mn thin films. It was established that, the main factors which determine condensate properties are laser pulse density, substrate temperature, nitrogen pressure in the reactive chamber and energy of vapor-plasma discharge. Report on complex of experimental works on investigation of mechanical stresses in AlN - Al2O3 system was conducted by analysis of elastic deformation.