Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8439
Browse
Item Дослідження форми полімерних плоскоопуклих мікролінз(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Лаба, Г. П.; Бобицький, Я. В.; Максименко, О. П.Подано наочний метод оцінки форми мікролінз, виготовлених полімеризацією лежачої краплини фоточутливої композиції. Розраховано відхилення виготовлених зразків від заданої кривизни. In this paper the method for estimation of shape of microlenses formed by polymerization of sessile drop of photosensitive composition is considered. Curvature deviation of formed samples from specific curvature is calculated.Item Термо-ЕРС ниткоподібних кристалів Si-Ge(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Буджак, Я. С.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.Досліджено ефект Зеєбека в ниткоподібних кристалах твердих розчинів Si-Ge різного складу. Одержано задовільний збіг експериментальних та розрахункових значень коефіцієнта Зеєбека. An investigation of Seebek effect in whiskers of Si-Ge solid solution with various compositions have been carried out. Good coincidence of experimental and theoretical values of Seebek coefficient has been obtained.Item Високочутливі перетворювачі для однокристальних термосенсорних інтегральних схем(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Готра, О. З.; Каліта, В.Аналізуються схеми термосенсорних пристроїв з експоненційною характеристикою перетворення. Виготовлені у вигляді однокристальних біполярних ІС, дані пристрої дозволяють отримати гранично високу чутливість в околицях опорної температури при мінімальних структурних затратах. В основі функціонування запропонованих ІС покладено принцип вимірювання та подальшого перетворення струму через прямозміщений pn-перехід при фіксації на ньому заданої напруги, що визначає опорну точку вимірювання температури. Сфера застосування ІС – системи керування термостатами, елементи захисту від перегріву, протипожежна сигналізація. The circuits of thermosensitive devices with exponential transduction characteristic are analysed. Made as single-chip bipolar IC these devices allow to receive maximum sensitivity in the range of reference temperature at minimum structure expenditures. The functioning of proposed IC is based on principle of measuring and further trunsduction of current through direct biased p-n-junction at fixation on it the defined voltage which determines the reference point of temperature measuring. IC can be used in systems of thermostate controlling, elements of overheating protection, fire-prevention signalling.Item Application of finite elements method for optimisation of optical fibre probe designed to operate in harsh conditions(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Wojcik, Waldemar; Smolarz, Andrzej; Kotyra, AndrzejIn the work we describe the process of design of fibre-optic probe for the flame monitoring system by method of finite elements. Probe made according to the design has successfully passed tests made in industrial boiler OP650. Описано процес розробки волоконно-оптичного зонду для систем моніторингу полум’я методом скінченних елементів. Виготовлений зонд успішно пройшов випробовування в промисловому бойлері ОР650.Item Розмірні ефекти в термоелектричних властивостях ниткоподібних кристалів(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Варшава, С. С.; Бортнік, Г. М.Досліджено геометричні розмірні ефекти в ниткоподібних кристалах (НК) Si p-типу. Виявлено вплив конусності на значення термо-ЕРС. Розраховано розподіл компонент теплового потоку при розташуванні НК на підкладці. Описано методики вимірювань. Dimensional effects in Si p-type whiskers have been investigated. An influence of conical shape on thermoelectric power value has been observed. A calculation of distribution of thermal flux components at attachment of the whisker on substrate has been carried out. Measurement techniques were described.Item Стабілізація частоти генератора гармонічних коливань за допомогою зворотного звязку на подільнику(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Тимощук, П. В.Отримано розв'язки задачi стабiлiзацiї частоти генератора гармонiчних коливань через автоматичного регулювання частоти на основi зворотного зв'язку. Для цього визначаються аналогова та дискретна математичнi макромоделi генератора четвертого порядку з стабiлiзованою амплiтудою. Зворотний зв'язок по частотi описується макромоделлю другого або третього порядку. Блок порiвняння такого зворотного зв'язку конструюють на базi операцiї дiлення. Функцiональнi схеми аналогового та цифрового генераторiв реалiзуються на базi iнтеграторiв, суматорiв, помножувачiв, подiльникiв та ланок затримки по часу. The problem solutions of frequency stabilization of harmonic oscillator by the automatic frequency regulation on the reverse tie foundation has been otained. For that the oscillator analogue and discrete mathematical macromodels of fourth order with stabilizable amplitude is defined. The frequency reverse tie is described by the macromodel of second or third order. The comparison block such reverse tie is designed on the division operation base. The functional diagrams of analogue and digital oscillators are realized on the integrators, summers, adders, multipliers, dividers and time delay units base.Item Електрооптика подвійних РК структур(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Микитюк, З. М.; Нуцковський, М. С.; Сушинський, О. Є.; Черпак, В. В.Запропоновано новий метод створення рідкокристалічного модулятора для потужного лазерного випромінювання. Як активне середовище використані рідкокристалічні суміші на основі нематичної матриці – сильнополярних сумішей ціано- та оксиціанобіфенілів з низькою концентрацією оптично активної домішки. Досліджували частотно-модуляційні характеристики і часові параметри подвійної структури рідкокористалічного модулятора при зміні температури. Здійснено аналіз модуляційних характеристик в залежності від кроку холестеричної спіралі та амплітуди керуючого сигналу. Для суміші з 2 ваговими процентами оптичноактивної домішки з глибиною модуляції 90…93 проценти була створена рідкокристалічна комірка завтовшки 25 мкм. Потужність лазерного випромінювання становила 300 мВт, довжина хвилі 1,15 мкм. The new method of creation of liquid crystal modulators of high-powered laser radiation on the base of cholesteric-nematic phase transition is proposed. The liquid crystal materials on the base of nematic matrices – strong polar mixtures of ciano- and oxycianobipheniles with a low concentration of optical active dopant were as a modulating medium. The frequency – modulation characteristics and time parameters of double layer LC modulators their change with a temperature action are studied. The analysis of modulation characteristics depending on cholesteric helix pitch and control signal amplitude is carried out. For the mixtures with 2 percent by weight of optical dopant the modulation depth value of 90 … 93 percent was obtained for liquid crystal layer thickness of 25 μm and laser radiation power of 300 mW for wavelength 1,15 μm.Item Титульний аркуш до Вісника "Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки"(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Титульний аркуш до Вісника Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – 174 с.Item Реалізація KVP-перетворень в технічних засобах око-процесорного типу(Національний університет "Львівська політехніка", 2000) Кожем'яко, В.П.; Понура, О.І.; Сачанюк, Н.В.Запропоновано принцип обробки сигналів, що надходять від оптичного об'єкта. Цей принцип базується на перетворенні сигналів на логіко-часові функції та виконання різноманітних операцій над ними. Також розглянуто окремі питання математичного опису операцій між великою кількістю логіко-часових функцій. The principle of signals processing from optical object was proposed in this work. This principle is based on the signals transformation at logic-temporary functions and it lets make various operations with them. Also the authors proposed some questions of describing of mathematics operations. It can be applied for large quantity of logictemporary functions.Item Зміст до вісника "Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки" № 393(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000)Item Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Лопатинський, І. Є.; Стахіра, П. Й.; Стахіра, Р. Й.; Токарєв, І. С.Розглядається теорія явища п’єзофотопровідності, яке дає інформацію про енергетичну залежність густини станів у напівпровідникових кристалах. Описано методику експериментального визначення спектрів п’єзофотопровідності. The theory of the tensiophotoconductivity phenomenon, which gives information about energy dependence of state density in semiconductor crystals, is considered. The method of experimental determination of tensiophotoconductivity spectra was described.Item Prospects in development of volume microelectronics structures(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Kalita, Wlodzimierz; Potencki, JerzyContemporary development trends in technology of integrated circuits have been presented especially taking into account a role of third dimension for increase in integration scale and functional possibilities of ICs. Розглянуто сучасні тенденції розвитку технології інтегральних схем, особливу увагу приділено ролі тривимірних структур, які дозволяють збільшувати масштаб інтеграції і функціональні можливості інтегральних схем.Item Мікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар’ямова, І. Й.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.Описується зміст теоретичних, експериментальних, технологічних науководослідних робіт із метою створення українського промислового мікроелект- ронного сенсора тиску. Обговорюється використання лазерної рекристалізації в технології сенсорів як метода покращання характеристик КНІ п’єзорезисторів. The content of R&D works (theory, experimental, design and technology) performed in the «Lviv Polytechnic» State University in order to develop commercial Ukrainian microelectronic SOI pressure sensors is presented. The use of the microzone laser recrystallisation in sensor technology as a method to obtain improved performances of SOI piezoresistor is discussed.Item The stability of the two-channel distributed-parameters with the loss control system(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Dacka, Czeslaw; Gotra, Zenon; Wojcik, WaldemarIn this paper, we demonstrate the analysis of the stability of the two-channel control systems containing the optical fibre links as a through-coupling. The analysis of the stability of systems the indicial equation of which can be reduced to the form where its roots are located in the defined sector of the left half plane of the complex variables was conducted on the basis of the method of the plane of parameters. Приведено аналіз стабільності двоканальних керуючих систем, які містять волоконно-оптичні ланки в якості наскрізних зв’язків. На основі методу матриці параметрів проведено аналіз стабільності систем визначальне рівняння яких може бути зменшена до форми в якій його корені розміщені в певному місці лівої половини площини комплексних змінних.Item Аналіз дифракції світла на періодичних структурах методом зв’язаних хвиль(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Фітьо, В. М.; Бобицький, Я. В.Розглянуто дифракцію світла на періодичних структурах. На основі хвильового рівняння методом зв’язаних хвиль отримана лінійна система диференціальних рівнянь з постійними коефіцієнтами. Light diffraction on periodic structures is considered. On the bases of wave equation by coupled modes method linear system of differential equations with constant coefficients is received.Item Лінеаризація характеристики перетворення магнітокерованих інтегральних схем(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Гладун, М. Р.; Голяка, Р. Л.; Лопатинський, І. Є.Подано результати розроблення і дослідження універсального перетворювача як частини однокристальної магніточутливої інтегральної схеми, який забезпечує ефективну і методологічно просту лінеаризацію характеристики перетворення інтегральних багатоколекторних магнітотранзисторів. Мінімальні структурні затрати та робота з уніполярними низьковольтними джерелами живлення є основними вимогами до розробки перетворювача. Принциповою особливістю пропонованого елемента інтегральної схеми є одночасна лінеаризація диференційного струмового сигналу по двох виходах без його перетворення в синфазний сигнал. The design and investigation of universal converter as a part of on-chip magnetosensitive integrated circuit which provides effective and metofologically simple linearisation of transduction characteristic of integrated multi-collector are presented at this paper. Minimal structural expenditure and operation with unipolar low-voltage supply sources are the important demands of design. The principal peculiarity of the proposed unit is simultaneous linearisation of differential current signal on two output without intermediate conversion to single-phase signal.Item Електропровідність і теплопровідність у низькорозмірних квазідвовимірних електронних системах(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Венгрин, Б. Я.; Костробій, П. П.; Петров, П. П.Розглянуто задачу про визначення термоелектричних властивостей системи квазідвовимірних електронів у квантових ямах на основі вузькощілинних напівпровідників типу IV VI A B . Подано результати розрахунків залежності питомої електропровідності і теплопровідності від концентрації електронів у квантовій ямі. Показано, що системи квазідвовимірних електронів мають особливості як у провідності, так і у термоелектричних властивостях. The problem of determination of thermoelectric properties of systems of quasitwo dimensional electrons in quantum wells on the base of IV-Vi narrow-gap semiconductors is considered. Dependendencies of specific electroconductivity and thermoconductivity on electron concentration in quantum well are presented. It was shown, that the system of quasi-two dimensional electrons have particularities both in conductivity and in thermoelectric properties.Item Розрахунок і оптимізація багатошарових інтерференційних покрить лазерних дзеркал(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Петровська, Г. А.; Бартків, Л. І.; Погань, Г. Й.Розроблено програму синтезу інтерференційних покрить дзеркал газових лазерів за заданими спектральними характеристиками для селекції довжин хвиль без використання в резонаторах дисперсійних елементів. Program of synthesis of interference coatings of mirrors of gas lasers along stipulated spectral characteristics to select wavelengths without using in resonators of dispersion elements is elaborated.Item Вплив домішки ініціатора росту на дефектоутворення в ниткоподібних кристалах кремнію(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Островський, І. П.; Байцар, Р. І.; Троць, Т. Я.Показано, що домішка золота, яка відіграє роль ініціатора росту ниткоподібних кристалів Si у закритій галоїдній системі, приводить до зменшення концентрації власних дефектів, входячи у кристал у незначній кількості. It has been shown that gold impurity serving as initiator of Si whisker growth in closed halogen system results in a decrease of self defect concentration, being slowly introduced into the crystal.Item Верифікація температурних моделей елементів термосенсорних ІС(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Готра, О. З.Розглянуто алгоритм верифікації температурних моделей p-n переходів транзисторних структур, що використовуються як первинні перетворювачі термосенсорних біполярних інтегральних схем. У процесі верифікації моделей ППП ”Spice” можливе досягнення невідповідності між ними та характеристикою реальних структур ІС в межах (-0,8...0,7)% в температурному діапазоні (- 50...+100)0С. The algorythm of verification of temperature models of p-n transistor structures that are used as primary transducers of thermosensitive bipolar integrated circuits is shown. In the process of verification of models of ”Spice” it is possible to achieve the noncorrespondence between them and characteristic of real structures of IC in the range of (-0,8...0,7)% in the temperature range of (-50...+100)0С.