Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8439
Browse
8 results
Search Results
Item Коефіцієнт ефекту Зеєбека та хімічний потенціал в PBSE в умовах екранування домішків(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Буджак, Я. С.; Національний університет “Львівська політехніка”Вияснено вплив ефекту екранування домішкових центрів з малими енергіями активації на значення приведеного хімічного потенціалу μ2 та значення коефіцієнта ефекту Зеєбека α. Показано, що за наявності ефекту екранування в кристалах за певних умов можна спостерігати немонотонну залежність α від температури. Це пов'язано з відомою в літературі залежністю енергії іонізації домішків від концентрації носіїв зарядів. У роботі дані аналітичні висновки і числові оцінки впливу цієї залежності на коефіцієнти α та μ2.Item Елементи теорії резистивних напівпровідникових сенсорів температури(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Буджак, Я. С.; Готра, 0. 3.3а допомогою сучасної кінетичної теорії з’ясовано природу важливих параметрів напівпровідникових терморезисторів. In this paper the nature of important parameters of semiconductor thermoresistors is cleared up by modern kinetics theory.Item До питання про новий метод в теорії кінетичних властивостей кристалів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Буджак, Я. С.Актуальні кристали твердотілої електроніки характеризуються різноманітними кінетичними властивостями. Частина цих властивостей в омічній області провідності обумовлюється рівноважною концентрацією носіїв зарядів n0 та характером їх руху між вузлами кристалічної гратки, а інші - нерівноважною концентрацією. Пропонується метод загальної теорії всіх кінетичних властивостей кристалів. Actual crystals of solid-state electronics posses various kinetic properties. Some of them in the ohmic-conduction region are defined by the equilibrium carrier concentration n0 and nature of their movement between the nodes of crystalline lattice. Another properties depend on the non-equilibrium carrier concentration. The method of the general theory of all the kinetic properties of the crystals is proposed.Item Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Буджак, Я. С.; Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Когут, Ю. Р.Досліджено залежності провідності ниткоподібних кристалів твердого розчину SiGe <В, Pt> від температури (4,2-250К). На основі врахування механізмів розсіювання носіїв заряду у кристалах визначена енергія активації та концентрації легуючих домішок. The conductance dependencies for Si-Ge solid solution whiskers on temperature (4,2-250K) were studied. Accounting mechanisms of charge carrier scattering in the crystals the impurity activation energy and doping concentrations were evaluated.Item Коефіцієнт ефекту зеєбека як індикатор важливих характеристик домішкових напівпровідникових кристалів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Буджак, Я. С.Вияснено вплив ефекту екранування домішкових центрів з малими енергіями активації на значення хімічного потенціалу µ∗ та значення коефіцієнта ефекту Зеєбека α. Показано, що за відсутності ефектів екранування в домішкових кристалах експериментальні значення коефіцієнта Зеєбека дають можливість розрахувати всі важливі внутрішні характеристики таких кристалів. The influence of effect of screening of doping centers with small actication energies on chemical potential µ∗ and Zeebeck coefficient α is investigated. It is shown that when screening effects are absent in doped crystals, the experimental data of Zeebeck coefficient allows to calculate all important internal characteristics of such crystals.Item Термо-ЕРС ниткоподібних кристалів Si-Ge(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Буджак, Я. С.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.Досліджено ефект Зеєбека в ниткоподібних кристалах твердих розчинів Si-Ge різного складу. Одержано задовільний збіг експериментальних та розрахункових значень коефіцієнта Зеєбека. An investigation of Seebek effect in whiskers of Si-Ge solid solution with various compositions have been carried out. Good coincidence of experimental and theoretical values of Seebek coefficient has been obtained.Item До питання про нерівноважну статистику газу носіїв зарядів у кристалах(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Буджак, Я. С.Альтернативно до методу кінетичного рівняння Больцмана обгрунтовується нерівноважна статистика газу носіїв зарядів і розраховуються деякі важливі термодинамічні та кінетичні властивості кристалів з довільним законом дисперсії. Alternatively to a method of Boltsman kinetic equation non-equilibrium statistics of charge carriers vapour is discussed. Some important thermodynamic and kinetic properties of crystals with arbitrary law of dispersion are calculated.Item Кінетичні властивості кристалів та важливі параметри приладних структур, виготовлених на їх основі(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Буджак, Я. С.Наведено важливі кінетичні властивості напівпровідникових кристалів та обгрунтовані і розраховані важливі характеристики простих приладних структур, які випливають із законів нерівноважної термодинаміки. The important kinetic properties of semiconductor crystals are considered and characteristics of simple application structures which appear from non-equilibrium thermodymanics are proved and calculated.