Вимірювальна техніка та метрологія
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2123
Browse
2 results
Search Results
Item Залежність похибки визначення температури пірометрами від коефіцієнта випромінювальної здатності об’єктів(Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-26) Микитин, І. П.; Скоропад, П. І.; Mykytyn, Ihor; Skoropad, Pylyp; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityНаведено результати дослідження залежності похибки визначення температури термометрами випромінення від коефіцієнта випромінювальної здатності досліджуваних об’єктів. Проаналізовано математичні моделі, які описують залежності між дійсним значенням термодинамічної температури і виміряними пірометрами уявними температурами, із урахуванням впливу значення коефіцієнта випромінювальної здатності матеріалів. Ці моделі покладено в основу побудови найпоширеніших типів пірометрів, зокрема: яскравісного, повного випромінення та спектрального відношення. Описано результати проведених теоретичних досліджень. Проаналізовано доцільність та наведено практичні рекомендації стосовно застосування певного типу пірометра залежно від коефіцієнта випромінювальної здатності досліджуваних об’єктів та вимог до метрологічної достовірності результату вимірювання.Item Метрологічна надійність термоелектричного наносенсора квантового еталона температури(Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-26) Стадник, Б. І.; Яцишин, С. П.; Фрьоліх, Т.; Микийчук, М. М.; Луцик, Я. Т.; Скоропад, П. І.; Національний університет «Львівська політехніка»; Технічний університет, м. Ільменау, НімеччинаМожливість упровадження еталона квантової температури потребує зосередження уваги на перетворювальному елементі I–T як унікальному електронному пристрою, що підлягає істотним навантаженням під час роботи. Враховуючи його нанорозмірність, оскільки елемент виготовляють на основі CNTFET конструкції, трансформуючи її у нанорозмірний термоелектричний перетворювач (стік та витік) із надпровідним затвором, ми передбачаємо особливо жорсткі вимоги до цього елемента. Вирішити цю проблему можна із залученням інженерії еластичних напружень, яку раніше успішно застосовували для масштабування процесів виготовлення багатозатворних комплементарних польових транзисторів.