(Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Середюк, Богдан; Seredyuk, Bohdan; National Academy of Land Forces named after Hetman Petro Sakhajdachnyj
Проаналізовано перспективи застосування магніторезистивних структур на основі напівпровідникових
кристалів типу InSe для прецизійного вимірювання магнітного поля. Розглянуто можливість застосування
сенсорів магнітного поля на основі структури InSe для виявлення військової бронетехніки. Досліджено вплив
домішок металів на шарувату структуру напівпровідникового матеріалу, як на сильний ковалентний зв’язок
всередині шару, так і на слабкий ван-дер-ваальсовий зв’язок у міжшаровому просторі. Проаналізовано
діаграми Боде для кристала InSe з домішками нікелю за різних температур – від кімнатної до температури
рідкого азоту. Топологічні знімки поверхонь InSe з використанням методики атомно-силової спектроскопії
підтверджують його шарувату структуру.
