Вимірювальна техніка та метрологія

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2123

Browse

Subject: search.filters.subject.layered semiconductor

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Brief overview of the epr spectra of In4Se3 intercalated by Cu
    (Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-26) Serediuk, B.; Stefaniuk, I.; National Academy of Land Forces named after Hetman Petro Sakhajdachnyj; Center for Microelectronics and Nanotechnology of the University of Rzeszow
    Досліджено електричні та магнітні властивості In4Se3, інтеркальованих міддю за допомогою ЕПР спектрів. Розглянуто можливості використання сенсорів магнітного поля на основі структур InSe для виявлення броньованих військових транспортних засобів. Досліджено вплив металевих домішок на шарувату структуру напівпровідникового матеріалу щодо сильного ковалентного зв’язку всередині шарів, а також слабкого ван-дер- ваальсового зв’язку в міжшаровому просторі. Проаналізовано спектри ЕПР для кристала In4Se3 з домішками Cu за кімнатної температури. Спектри ЕПР показують, що наявність Cu вносить істотні зміни в структуру In4Se3. Це може бути пов’язано з потряплянням вільних носіїв заряду в пастки, введені гостьовим Cu, які впливають на неспарені електрони, пов’язані з атомами In або Se. Встановлено, що вміст Cu є важливим фактором впливу на відгук структури InSe до перехресних електромагнітного та магнітних полів у спектрах ЕПР. g фактор неспарених електронів у NixIn4Se3 згідно зі спектральними характеристиками, набував значення 2,017. Це значення, як з’ясовано, лежить у межах 1 % точності щодо стандартного значення ge = 2,0023. Наявність Cu призводить до тенденції висхідного характеру спектра ЕПР, збільшуючи відгук системи зі зростанням магніного поля. Оскільки наявність Cu спричиняє специфічні (не зовсім зрозумілі) пікові значення у спектрах ЕПР, в околі значень 3400 Гаус, які зростають зі збільшенням х, для дослідження цих структур необхідні додаткові дослідження ЕПР, такі як: а) кутові ЕПР-дослідження для різних орієнтацій зразків щодо радіочастотного поля і магнітного полів, так, щоб можна було побудувати тензор g; б) з’ясування температурної залежності сигналу ЕПР від кімнатних температур до температури рідкого азоту.
  • Thumbnail Image
    Item
    Influence of the metallic impurities in A3B6 type layered semiconductors on their electrical, magnetic and structural properties
    (Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Середюк, Богдан; Seredyuk, Bohdan; National Academy of Land Forces named after Hetman Petro Sakhajdachnyj
    Проаналізовано перспективи застосування магніторезистивних структур на основі напівпровідникових кристалів типу InSe для прецизійного вимірювання магнітного поля. Розглянуто можливість застосування сенсорів магнітного поля на основі структури InSe для виявлення військової бронетехніки. Досліджено вплив домішок металів на шарувату структуру напівпровідникового матеріалу, як на сильний ковалентний зв’язок всередині шару, так і на слабкий ван-дер-ваальсовий зв’язок у міжшаровому просторі. Проаналізовано діаграми Боде для кристала InSe з домішками нікелю за різних температур – від кімнатної до температури рідкого азоту. Топологічні знімки поверхонь InSe з використанням методики атомно-силової спектроскопії підтверджують його шарувату структуру.