Computational Problems of Electrical Engineering
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12128
Науково-технічний журнал
Засновник і видавець Національний університет «Львівська політехніка». Виходить двічі на рік з 2011 року.
Browse
7 results
Search Results
Item Ohmic contacts to n-type and p-type Gallium Antimonide Whiskers(Видавництво Львівської політехніки, 2021-05-05) Дружинін, Анатолій; Островський, Ігор; Ховерко, Юрій; Кутраков, Олексій; Лях-Кагуй, Наталія; Чемерис, Дмитро; Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Khoverko, Yuriy; Kutrakov, Oleksiy; Liakh-Kaguy, Natalia; Chemerys, Dmytro; Lviv Polytechnic National UniversityЗа допомогою формувача струмових імпульсів створено омічні контакти до ниткоподібних кристалів антимоніду галію n-типу провідності. Їх ВАХ за низьких температур є лінійними незалежно від напряму пропускання струму, що дає змогу використовувати описаний метод для створення електричних контактів і дослідження електрофізичних характеристик ниткоподібних кристалів GaSb. Дослідження проведено для зразків діаметром 12 мкм та 20 мкм за температур 4,2 К та 77 К. Для приварювання омічних контактів до кристалів GaSb виготовлено предметний столик, на якому закріплено ванночку з мікропіччю. Як контактний матеріал використано золотий мікродріт діаметром 30 мкм, а вплавлення здійснено під шаром флюсу. Цей спосіб є різновидом вплавлення і одним із найпридатніших методів для створення контактів до ниткоподібних кристалів, вирощених методом газотранспортних реакцій.Item Berry Phase appearance in deformed indium antimonide and gallium gntimonide whiskers(Lviv Politechnic Publishing House, 2019-03-20) Дружинін, Анатолій; Островський, Ігор; Ховерко, Юрій; Лях-Кагуй, Наталія; Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Khoverko, Yuriy; Liakh-Kaguy, Natalia; Lviv Polytechnic National UniversityВплив деформації на магніторезистивні властивості нитковидних кристалів (віскерсів) з антимоніду індію та антимоніду галію n-типу провідності та із різними домішками поруч із переходом «метал-діелектрик» досліджено у діапазоні температур 4,2–50 K та магнітному полі 0–14 T. Осциляції Шубнікова – Де Гааза в усьому діапазоні індукції магнітного поля показано у деформованих та недеформованих віскерсах. Амплітуда магніторезистивних осциляцій для зразків обох типів зменшується із зростанням температури. Було визначено наявність фази Беррі за низьких температур у віскерсах з антимоніду індію та антимоніду галію, яка демонструє їхній перехід у стан топологічних діелектриків.Item Low temperature performances of doped gasbwhiskers(Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2015) Druzhynin, Anatoliy; Ostrovskyi, Ihor; Khoverko, Yuriy; Khytruk, Іhor; Liakh-Kaguy, NataliaTemperature dependencies of n-type GaSb whisker resistance are measured in the temperature range of 1,5–300 K and in the magnetic field up to 14 T. The peculiarities of whisker resistance in the low temperature range (a sharp drop in the whisker resistance at about 4,2 K) are observed. Superconductivity in the whiskers is caused by the appearance of weak antilocalization, which leads to the emergence of negative magnetoresistance. The magnetoconductivity of these whiskers in the low field regime turns out to be well described by a two-dimensional (2D) weak antilocalization (WAL) model. Проведено вимірювання температурних залежностей опору ниткоподібних кристалів (НК) GaSb n-типу в темпе- ратурному діапазоні 1,5–300 К та магнітному полі до 14 Тл. Спостерігалось різке (стрибкоподібне) падіння опору в НК за температури 4,2 К. Можливою причиною появи надпровідного стану в ниткоподібних мікрокристалах може бути виникнення слабкої анти локалізації та відповідно негативного магнето-опору. Встановлено, що магнетоопір досліджуваних НК можна описати двовимірною моделлю слабкої антилокалізації в магнітному полі.Item InSb microcrystals for sensor electronics(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Druzhynin, Anatoliy; Ostrovskyi, Ihor; Khoverko, Yuriy; Khytruk, Ihor; Rogacki, KrzysztofThe processes of electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain centers and ionized impurities in n- InSb with the defect concentration of 3 *1017 cm-" are considered. The temperature dependences of electron mobility ranged between 4,2 K and 500 K are calculated. Based on the InSb whiskers, there was elaborated a highly sensitive Hall sensor operating in the wide range of temperatures between 4,2 K and 500 K and magnetic fields (up to 10T) with a sensitivity of~3,5 mV/T. Розглянуто процеси розсіяння електронів на близько-діючому потенціалі, викликаного взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками та центрами статичної деформації в n-InSb з концентрацією дефектів 3 х10 см" . У межах точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана на основі принципу близькодії розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4,2-500 К. Встановлено добре узгодження теорії та експерименту у дослідженому інтервалі температур. На основі ниткоподібних кристалів InSb розроблено холлівський датчик, дієздатний у широкому температурному інтервалі 4,2-500 К та в області високих магнітних полів (до 10 Тл) з чутливістю -3,5 мВ/Тл.Item Accelerometer sensing element based on nanostructured silicon(Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2013) Druzhynin, Anatoliy; Kogut, Igor; Golota, Viktor; Khoverko, YuriyIn this work we consider sensing elements of an accelerometer which is made using the combined technologies of silicon-on-insulator (SOI) structures and silicon nanocrystals whiskers manufacturing. On their basis a quick-response, high sensitive to acceleration and displacement device with submicrometer and nanometer typological sizes has been designed. This enabled us to create, on its basis, both a discrete device and an element of integrated nanoelectromechanical element silicon-on- insulator structures, which provides control of displacement up to 200 nm. У роботі розглянуто чутливий елемент акселерометра, виконаний з використанням суміщеної технології створення структур кремній-а-ізоляторі та ниткоподібних нанокристалів кремнію. На його основі розроблено малоінерційний, швидкодіючий, високочутливий до прискорення і переміщень пристрій із субмікрометровими та нанометрровими топологічними розмірами. Це дало можливість реалізувати як дискретний прилад, так і елемент зінтегрованих наноелектромеханічних систем зі структурою кремній-на-ізоляторі, який за безпечує контроль переміщення з точністю до 200 нм.Item A strain sensor resistent to proton irradiation(Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2012) Druzhynin, Anatoliy; Khoverko, Yuriy; Vuitsyk, Andrii; Ostrovskyi, IhorInfluence of proton irradiation on the properties of Si1-xGex whiskers as strain sensors is studied in this work. On the basis of secondary signal processing the possibility of using such whiskers as a strain sensor’s sensitive element resistant to proton radiation is shown. В даній роботі проаналізовано вплив протонного випромінювання на ниткоподібні кристали Si1-xGex які використовуються в сенсорах механічних величин та зроблено висновки про стійкість таких сенсорів до дії протонного випромінювання. Також запропоновано інтелектуальну інтерфейсну плату для обробки сигналу від вимірювального перетворювача.Item Remote control measuring system based on strain sensors(Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2012) Druzhynin, Anatoliy; Khoverko, Yuriy; Ostrovkyi, Ihor; Koretskyi, Roman; Nichkalo, StepanThe paper describes an automated wireless monitoring system developed for stress-strain state of main pipelines. Since the most damages occur in the main pipelines’ areas of intense plastic deformation, their remote control in such areas is of significant interest, and one of the solutions to the problem is the proposed measuring system based on Si-whisker sensitive elements. В даній роботі описано розроблену автоматизовану безпровідну систему для попереднього моніторингу напружено-деформаційного стану ділянок магістральних трубопроводів. Оскільки більша частина відмов магістральних трубопроводів припадає на області інтенсивних пластичних деформацій, то їхній контроль у віддалених районах викликає значне зацікавлення. Одним із варіантів вирішення даного завдання вимірювальна система на основі сенсорів деформації, в яких, чутливими елементами є ниткоподібні кристали кремнію.