Computational Problems of Electrical Engineering
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12128
Науково-технічний журнал
Засновник і видавець Національний університет «Львівська політехніка». Виходить двічі на рік з 2011 року.
Browse
3 results
Search Results
Item Ohmic contacts to n-type and p-type Gallium Antimonide Whiskers(Видавництво Львівської політехніки, 2021-05-05) Дружинін, Анатолій; Островський, Ігор; Ховерко, Юрій; Кутраков, Олексій; Лях-Кагуй, Наталія; Чемерис, Дмитро; Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Khoverko, Yuriy; Kutrakov, Oleksiy; Liakh-Kaguy, Natalia; Chemerys, Dmytro; Lviv Polytechnic National UniversityЗа допомогою формувача струмових імпульсів створено омічні контакти до ниткоподібних кристалів антимоніду галію n-типу провідності. Їх ВАХ за низьких температур є лінійними незалежно від напряму пропускання струму, що дає змогу використовувати описаний метод для створення електричних контактів і дослідження електрофізичних характеристик ниткоподібних кристалів GaSb. Дослідження проведено для зразків діаметром 12 мкм та 20 мкм за температур 4,2 К та 77 К. Для приварювання омічних контактів до кристалів GaSb виготовлено предметний столик, на якому закріплено ванночку з мікропіччю. Як контактний матеріал використано золотий мікродріт діаметром 30 мкм, а вплавлення здійснено під шаром флюсу. Цей спосіб є різновидом вплавлення і одним із найпридатніших методів для створення контактів до ниткоподібних кристалів, вирощених методом газотранспортних реакцій.Item Berry Phase appearance in deformed indium antimonide and gallium gntimonide whiskers(Lviv Politechnic Publishing House, 2019-03-20) Дружинін, Анатолій; Островський, Ігор; Ховерко, Юрій; Лях-Кагуй, Наталія; Druzhinin, Anatoly; Ostrovskii, Igor; Khoverko, Yuriy; Liakh-Kaguy, Natalia; Lviv Polytechnic National UniversityВплив деформації на магніторезистивні властивості нитковидних кристалів (віскерсів) з антимоніду індію та антимоніду галію n-типу провідності та із різними домішками поруч із переходом «метал-діелектрик» досліджено у діапазоні температур 4,2–50 K та магнітному полі 0–14 T. Осциляції Шубнікова – Де Гааза в усьому діапазоні індукції магнітного поля показано у деформованих та недеформованих віскерсах. Амплітуда магніторезистивних осциляцій для зразків обох типів зменшується із зростанням температури. Було визначено наявність фази Беррі за низьких температур у віскерсах з антимоніду індію та антимоніду галію, яка демонструє їхній перехід у стан топологічних діелектриків.Item Low temperature performances of doped gasbwhiskers(Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2015) Druzhynin, Anatoliy; Ostrovskyi, Ihor; Khoverko, Yuriy; Khytruk, Іhor; Liakh-Kaguy, NataliaTemperature dependencies of n-type GaSb whisker resistance are measured in the temperature range of 1,5–300 K and in the magnetic field up to 14 T. The peculiarities of whisker resistance in the low temperature range (a sharp drop in the whisker resistance at about 4,2 K) are observed. Superconductivity in the whiskers is caused by the appearance of weak antilocalization, which leads to the emergence of negative magnetoresistance. The magnetoconductivity of these whiskers in the low field regime turns out to be well described by a two-dimensional (2D) weak antilocalization (WAL) model. Проведено вимірювання температурних залежностей опору ниткоподібних кристалів (НК) GaSb n-типу в темпе- ратурному діапазоні 1,5–300 К та магнітному полі до 14 Тл. Спостерігалось різке (стрибкоподібне) падіння опору в НК за температури 4,2 К. Можливою причиною появи надпровідного стану в ниткоподібних мікрокристалах може бути виникнення слабкої анти локалізації та відповідно негативного магнето-опору. Встановлено, що магнетоопір досліджуваних НК можна описати двовимірною моделлю слабкої антилокалізації в магнітному полі.