Computational Problems of Electrical Engineering

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12128

Науково-технічний журнал

Засновник і видавець Національний університет «Львівська політехніка». Виходить двічі на рік з 2011 року.

Browse

Filters

20141

Settings

Subject: search.filters.subject.charge carrier scattering

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    InSb microcrystals for sensor electronics
    (Видавництво Львівської політехніки, 2014) Druzhynin, Anatoliy; Ostrovskyi, Ihor; Khoverko, Yuriy; Khytruk, Ihor; Rogacki, Krzysztof
    The processes of electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain centers and ionized impurities in n- InSb with the defect concentration of 3 *1017 cm-" are considered. The temperature dependences of electron mobility ranged between 4,2 K and 500 K are calculated. Based on the InSb whiskers, there was elaborated a highly sensitive Hall sensor operating in the wide range of temperatures between 4,2 K and 500 K and magnetic fields (up to 10T) with a sensitivity of~3,5 mV/T. Розглянуто процеси розсіяння електронів на близько-діючому потенціалі, викликаного взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками та центрами статичної деформації в n-InSb з концентрацією дефектів 3 х10 см" . У межах точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана на основі принципу близькодії розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4,2-500 К. Встановлено добре узгодження теорії та експерименту у дослідженому інтервалі температур. На основі ниткоподібних кристалів InSb розроблено холлівський датчик, дієздатний у широкому температурному інтервалі 4,2-500 К та в області високих магнітних полів (до 10 Тл) з чутливістю -3,5 мВ/Тл.