Електроніка

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523

Browse

Now showing 1 - 20 of 511

Дослідження легованих гадолінієм кристалів телуридів свинцю і олова методом ЕПР
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.
Методом ЕПР в температурному інтервалі 80-300 К досліджено поведінку домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів Pbi-xSnxTe:Gd (0
Часові кореляційні функції багатокомпонентної рідкої суміші магнітних та немагнітних частинок
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Бацевич, О. Ф.; Мриглод, І. М.; Рудавський, Ю. К.; Токарчук, М. В.
Проаналiзовано структуру гiдродинамiчної матрицi сумiшi магнiтних та немагнiтних частинок і запропоновано узагальнення, що дає можливість вивчення гiдродинамiки багатокомпонентної сумiшi. Методом матричної теорiї збурень знайдені колективні моди, з яких 2 – звуковi, решта m – дисипативні, де m визначається кількістю аддитивних iнтегралiв руху. Знайденi аналiтичнi вирази для часових кореляцiйних функцiй системи і для випадку двокомпонентної сумiшi наведені вирази для динамiчних структурних факторiв. The structure of hydrodynamic matrix of a mixture of magnetic and nonmagnetic particles was analyzed, and generalization which allows to consider the hydrodynamics of a multicomponent mixture was proposed. By the means of matrix perturbation theory the collective modes were found, two of which are sound and the rest m – dissipative, where m is determined by the number of additive integrals of motion. The analytical expressions for time correlation functions were derived and for the case of binary mixture expressions for the dynamical structure factors presented.
Енергія зв’язку екситона в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Бах, І. Б.; Пелещак, Р. М.
Розраховано енергетичні рівні Ваньє екситонів в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS, товщина якої Lw менша від радіуса екситона a0. У площині, паралельній до площини контакту шарів у гетероструктурі, екситон веде себе як двомірний атом водню, а в напрямі, перпендикулярному до площини контакту, - як незалежні електрон і дірка в потенціальній ямі. Вплив скінченної товщини Lw знайдений за теорією збурень. Зображено залежність енергії зв’язку та енергії утворення екситона в механічно-напруженому шарі ZnSe/ZnS від товщини шару ZnSe. Energy levels of Wannier excitons in the strained quantum well ZnSe/ZnS whose thickness Lw is smaller than the size of the exciton a0 are calculated. The exciton is found to behave like a two-dimensional hydrogenic atom when projected onto a plane parallel to the contacting surfaces; it behaves like as independent particle and hole in a potential well in the direction normal to the contacting surfaces. The effect of the finite thickness of the Lw is calculated perturbatively. The еxciton binding and formating energies of a strained layer ZnSe/ZnS as a function of Lw are plotted.
Об'ємне моделювання процесів у холлівських пластинах в сильно неоднорідних магнітних полях
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Большакова, І. А.; Бондарєв, А. П; Тихонюк, Р. Б.
Наведений тривимірний комп'ютерний симулятор електромагнітних процесів, які відбуваються у холлівській пластині під дією магнітного поля. Симулятор дозволяє отримати повний тривимірний опис електромагнітних величин у прямокутній пластині. Результати можна використати для дослідження і проектування холлівських давачів з покращеними властивостями. Це дає також можливість досліджувати давачі Холла при впливі неоднорідних високоградієнтних магнітних полів. Three-dimensional computer simulator of electromagnetic processes in a Hall plate under the magnetic field influence is presented. The simulator allows obtaining full spatial description of electromagnetic quantities in a bar plate. The results may be used for studying and designing the Hall sensors with improved parameters. It also allows studying the Hall sensors under the inhomogeneous high-gradient magnetic fields.
Термо- і фотостимульовані перетворення центрів забарвлення у кристалах SrCl2-Ме+
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Чорній, З. П.; Качан, С. І.; Щур, Г. О.; Кульчицький, А. Д.; Салапак, В. М.
Досліджено оптичні індуковані перетворення МА+-центрів у F^-центри. Показано, що перетворення відбуваються внаслідок фотодисоціації МА+-центра (№+)А ——^ FА + Va+ = FА(1)[l00]). Новоутворений центр є FА-центром, у другій ко¬ординаційній сфері якого в напрямку [100] стосовно F-центра розташована аніонна вакансія. Термоасоціація дефектів, що входять до складу FА(1)[100]-центра ^А + Va+ ^ №+)а) відбувається внаслідок перескоку аніонної вакансії з другої в першу координаційну сферу FА-центра. The optical induced convertations of MA+-centres to FA-centres have been researched. It is shown that convertations take place because of a photo dissociation of MA+-centre ((F2+)А ———^ FА + Va+ = FJi(1)[100]). A newly emerged centre is FA-centre with anion vacancy that is placed in a second co-ordinating sphere in [100] direction relatively to the F-centre. A thermoassociation of defects that are the parts of F^)^]- centre ^А + Va+ ^ №+)а) occures because of a jump of an anion vacancy to the first co-ordinating sphere from the second.
Про важливість базисного врахування остовно-валентних кореляцій в задачі про електронний енергетичний спектр напівпровідників
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Cиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.
Розраховані електронні енергетичні зони GaP у наближенні функціоналу локальної електронної густини. Матриця гамільтоніану обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. Зроблений висновок про важливість врахування в розрахунках енергетичних зон напівпровідників остовновалентних кореляцій. The electronic energy bands of GaP have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies obtained here are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic normconserving ab initio pseudopotential approach. The conclusion about importance of the core-valence correlation accounting in the energy band calculations has been made.
Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Кособуцький, П. С.; Данилов, А. Б.; Прокопчук, О. Л.
Проаналізовано поверхневий шар монокристалів GaAs, опромінених лазерами інфрачервоного діапазону. Проаналізовано результати застосування різних моделей розрахунку параметрів плівки. На підставі проведеного аналізу визначено профіль показника заломлення та товщини поверхневих шарів.
Легкі дірки в CdxHg1-xTe
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Іжнін, І. І.
У роботі експериментально визначено параметри важких та легких дірок (концентрацію та рухливість) в однорідних зразках р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) на основі дослідження польових залежностей коефіцієнта Холла та порівняно з результатами теоретичних розрахунків концентрацій на основі сучасних уявлень про параметри матеріалу. Отримані дані про параметри легких дірок дають можливість врахувати вплив цих носіїв на явища переносу в багатошарових структурах на основі CdxHg1-xTe. The parameters of heavy and light holes (concentration and mobility) for homogeneous samples of р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) were determined from investigation of the Hall coefficient field dependencies. These data have been compared with results of theoretical computations based on the modern knowledge of the material’s parameters.
Експериментальне дослідження доменної структури в епітаксійних плівках залізо-іттрієвого гранату
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Убізський, С. Б.
У роботі за допомогою ефекту Фарадея спостерігалася структура магнітних доменів (111)-орієнтованих епітаксійних плівок залізо-іттрієвого гранату, що володіють малою одноосною магнітною анізотропією. Досліджено її особливості в тонких і товстих плівках, поведінку доменної структури під час перемагнічування, а також вплив країв плівки на формування і перемагнічування доменів. Using Faraday effect a structure of magnetic domains was being observed in the (111)-oriented epitaxial yttrium iron garnet films with a low uniaxial magnetic anisotropy. Their peculiarities in thin and thick films are studied as well as the domain structure behavior under magnetization and an influence of film’s edges on the formation and remagnetization of domains.
Модифікований індукційний давач ядерного магнітного резонанса для спектрометра широких ліній
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Хандожко, О. Г.; Слинько, Є. І.
Модифікована форма приймальної котушки індукційного давача ЯМР так, що її профіль щодо високочастотного (в.ч.) поля Н1 та поля модуляції Нм є максимально симетричним і має мінімальну площу. Завдяки цьому послаблюється наведена в.ч. напруга з передавача на вхід спектрометра не менше ніж на 100 дБ. Використання модифікованого давача дозволило досліджувати спектри ЯМР ізотопів 207Pb, 119Sn та 125Te в напівпровідниках типу А4В6. The shape of the receiving coil of the inductive sensor is modified in such a way that its profile concerning a high-frequency field H1 and modulation field Hm is maximally symmetrical and has the minimum area. Due to this the induced highfrequency voltage from the transmitter on an input of a spectrometer is attenuated, not less than on 100 dB. The application of the modified sensor has allowed to explore NMR spectra of 207Pb, 119Sn, 125Te isotopes in semiconductors of A4B6 type.
Багатошарові об’ємні голограми та їх властивості
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Фітьо, В. М.
Розглянуто дифракцію світла на багатошарових об’ємних голограмах методом зв’язаних хвиль. Показано, що в залежності дифракційної ефективності таких голограм від кута падіння пучка на голограму чи від довжини падаючої хвилі спостерігаються осциляції, період яких визначається віддалю між окремими голограмами. Light diffraction on multi-layered volume holograms by coupled modes method is considered. In dependence of diffraction efficiency of such holograms on angle of incident of beam on hologram or on wave length of incident wave, oscillations are observed. Period of such oscillations is stipulated by distance between separate holograms.
Дослідження процесів конденсації тонких шарів оксидних люмінофорних матеріалів з лазерної плазми
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Бобицький, Я. В.; Котлярчук, Б. К.; Попович, Д. І.; Савчук, В. К.
Описано лазерну технологічну схему синтезу окисних люмінофорних тонких шарів Y2O3:Eu, ZnO:Zn, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn, ZnSiO4:Ti, ZnSiO4:Mn, Zn04Gdir6Os:Eu та вивчено їх основні структурні характеристики. Аналіз режимів лазерного напилення окисних фосфорів і спектральних характеристик паро- плазмового факелу дав змогу встановити складний взаємозв’язок між газодинамічними параметрами переносу випаруваного матеріалу на підкладку і властивостями сформованих плівок. Досліджено процеси конденсації тонких плівок з лазерної плазми та встановлено, що механізм формування окисних фосфорних плівок в кисневому середовищі має комплексний характер, де визначальними факторами є іонізація і збудження осаджуваних атомів, стимульовані їх світловим опроміненням. Laser technology of synthesis of oxide phosphor thin films Y2O3:Eu, ZnO:Zn, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn, ZnSiO4:Ti, ZnSiO4:Mn, Zn0>4Gd2,6O3:Eu was developed. Basic structural, electrophysical properties were investigated. Conducted analysis of used modes of laser deposition of phosphor oxides and spectral characteristics of vapor- plasma torch enables to obtain complex relationship between the character of scattering of evaporated material and formed films properties. Investigations of thin film condensation processes from laser plasma were conducted. It was ascertained that formation of oxide phosphor films in oxygen ambience has complex character with determining factors such as ionization and excitation of sputtered atoms by light illumination.
Магнітні поля на ядрах Sn119 у твердих розчинах TiCo2.xSn (x=0,0...1,0)
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Бах, І. Б.; Пелещак, Р. М.
Розраховано енергетичні рівні Ваньє екситонів в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS, товщина якої Lw менша від радіуса екситона a0. У площині, паралельній до площини контакту шарів у гетероструктурі, екситон веде себе як двомірний атом водню, а в напрямі, перпендикулярному до площини контакту, - як незалежні електрон і дірка в потенціальній ямі. Вплив скінченної товщини Lw знайдений за теорією збурень. Зображено залежність енергії зв’язку та енергії утворення екситона в механічно-напруженому шарі ZnSe/ZnS від товщини шару ZnSe. Energy levels of Wannier excitons in the strained quantum well ZnSe/ZnS whose thickness Lw is smaller than the size of the exciton a0 are calculated. The exciton is found to behave like a two-dimensional hydrogenic atom when projected onto a plane parallel to the contacting surfaces; it behaves like as independent particle and hole in a potential well in the direction normal to the contacting surfaces. The effect of the finite thickness of the Lw is calculated perturbatively. The еxciton binding and formating energies of a strained layer ZnSe/ZnS as a function of Lw are plotted.
Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕ
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Круковський, С. І.; Завербний, І. Р.
Досліджено електрофізичні властивості шарів GaAs та твердих розчинів AlxGa1-xAs, отриманих із галієвих розплавів методом низькотемпературної рідиннофазної епітаксії при температурах 630…580 °С. Показано, що подвійне легування галієвих розплавів ітербієм від 2⋅10-3 до 1,2⋅10-2 ат.% та алюмінієм більше 6,5⋅10-3 ат.% дозволяє отримати епітаксійні шари GaAs з питомим опором до 105 Ом⋅см. Тверді розчини Al0,05Ga0,95As кристалізовані із розплавів галію з концентрацією Yb 1,4⋅10-2 ат%, характеризуються найвищою рухливістю ≈3⋅104 см2/(В⋅с) (300 К).OBTAINING HIGH-RESISTANCE GaAs, AlGaAs LAYERS BY MEANS OF LAW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY, by Krukovsky S.I., Zaverbny I.R., Е-mail: granat@carat.lviv.ua. Electrophysical properties are investigated of GaAs layers and AlxGa1-xAs solid solutions obtained from gallium melts by means of lawtemperature liquid-phase epitaxy at the temperatures of 630…580 °С. It was shown that double doping of the gallium melts by (2⋅10-3-1.2⋅10-2) at.% ytterbium and by 6.5⋅10-3 at.% aluminum allows obtaining GaAs epitaxial layers with resistivity up to 105 Ohm⋅cm. The highest mobility of ≈3⋅104 cm 2 /V⋅s (300 К) was observed in Al0,05Ga0,95As solid solutions crystallized from gallium melts with Yb concentration of 1,4⋅10-2 at.%.
Нестійкості формування локально розплавлених областей на поверхні напівпровідників у зонах дії лазерних імпульсів
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Бончик, О. Ю.; Дацко, Б. Й.; Демчук, В. І.; Кияк, С. Г.; Паливода, І. П.; Шнир, А. Ф.
Встановлені такі особливості нагрівання напівпровідників під дією імпульсів лазерного випромінювання мілісекундного і секундного діапазонів: (i) в електронно-дірковій плазмі, генерованій лазерним випромінюванням, може відбуватись спонтанне розшарування температури кристалічної ґратки і концентрації носіїв заряду. При цьому виникає додатний зворотний зв’язок між температурою кристалічної ґратки і концентрацією носіїв заряду в області їх флуктуації, який призводить не тільки до підсилення початкових флуктуацій температури, але й до формування в напівпровідниках квазіперіодичних температурних полів великої амплітуди. Неоднорідні температурні поля визначають особливості процесів плавлення, кристалізації і формування рельєфу поверхні напівпровідників в зонах дії лазерного випромінювання; (ii) при дії однорідного лазерного випромінювання з допороговою потужністю (нижчою від значення густини світлового потоку, при якому відбувається однорідне плавлення поверхневого шару напівпровідника) на поверхні кристалів формуються локально розплавлені області. Форма локально розплавлених областей однозначно пов’язана з кристалографічною орієнтацією поверхні напівпровідника. Laser modifications of semiconductors is often performed by pulsed rapid melting and subsequent resolidification. Recently melt instabilities have been found witch result in local melting of semiconductor surfaces. We determined that a spontaneous segregation of a uniform state of temperature of a crystal lattice and charge carrier concentration can take place in electron-hole plasma, generated by laser radiation. Besides, there exists a positive opposite connection between the temperature of a crystal lattice and charge carrier concentration in the region of their fluctuation. It causes both amplification of original fluctuations of temperature and generation of Lviv Polytechnic quasi-periodic temperature fields of large amplitude in semiconductors. The nonuniform temperature fields determine the features of the surface relief formation in the zone of the laser radiation action.
Плівкові сенсори для вимірювання температури і теплового потоку
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Готра, О. З.; Стадник, Б. І.; Тимчишин, М. В.
Розроблено мініатюрні сенсори температури і теплового потоку на основі тонких плівок AgCuSe (n-тип) і Ag0,4Cu1,6Se (p-тип), який забезпечує вимірювання температури в діапазоні 300…410 К і теплового потоку в діапазоні 10-10…103 Вт, інерційність сенсора 0,7–2,5 с. Miniature temperature and thermal flow sensors based on AgCuSe (n-type) and Ag0,4Cu1,6Se (p-type) thin films that provide the measurement of temperature in the range of 300…410 К and thermal flow in the range of 10-10…103 W, sensor inertiality of 0,7–2,5 s are elaborated.
Структурні перетворення в тонких плівках оксиду ітрію у процесі високотемпературного відпалу
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Гриців, М. Я.; Козак, О. Я.; Чихрій, С. І.
Досліджено вплив високотемпературного відпалу на структуру тонких плівок Y2O3:Eu, отриманих високочастотним іонно-плазмовим розпиленням. Проведений рентгеноструктурний аналіз показав, що підвищення температури термообробки вище від 1330К призводить до часткового поліморфного перетворення кубічної С-форми у моноклінну В-форму оксиду ітрію. Отримані результати корелюють з люмінесцентними дослідженнями плівок Y2O3:Eu. The temperature annealing influence on thin-film structure was investigated. Consequences of X-ray structural analysis are that increasing thermal treatment temperature higher than 1330K results to partial polymorphic transformation of cubic C-form to monoclmic B-form of yttrium oxide. The obtained results has a good correspondence with luminescent investigations of Y2O3 films.
Дослідження рівноважного складу газової фази систем InSb-Sn-J2 ТА InAs-Sn-J2
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Большакова, І. А.; Воронін, В. О.; Копцев, П. С.; Мельник, І. І.; Московець, Т. А.
Комп'ютерним моделюванням досліджено рівноважний склад газової фази систем InSb-Sn-J2 та InAs-Sn-J2 в температурному діапазоні 650^1200 K. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонент газової фази. Встановлено вплив домішки олова на рівноважний склад газової фази. Equilibrium composition of InSb-Sn-J2 та InAs-Sn-J2 system gas phases was investigated by means of computer modeling within the temperature range of 650^1200 K. Quantitative calculation was carried out of the partial pressures of gas phase components. Tin doping influence upon equilibrium composition of gas phase was defined.
Вплив іонізуючого випромінювання та температурних обробок на оптичні властивості кристалів YAlO3 та LiNbO3, легованих іонами d- та f-елементів
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Жидачевський, Я. А.; Матковський, А. О.; Сугак, Д. Ю.; Савицький, Д. І.; Сольський, І. М.; Лутц, Г.; Працка, І.
У статті представлені результати дослідження впливу гамма-опромінення та температурних обробок в окислюючій та відновлюючій атмосферах на оптичні властивості кристалів YAlO3 та LiNbO3. З’ясовується роль домішкових іонів (Nd, Er, Tm, Ho, Yb, Dy, Pr, Ce, Mn, Fe, Cr, Mg, Ca) в радіаційно- і термоіндукованих змінах оптичного поглинання досліджуваних кристалів. The paper presents the investigation results on influence of gamma irradiation and temperature treatments in oxidizing and reducing atmospheres on optical properties of YAlO3 and LiNbO3 crystals. The role of impurity ions (Nd, Er, Tm, Ho, Yb, Dy, Pr, Ce, Mn, Fe, Cr, Mg, Ca) in radiation and thermal induced changes of optical absorption of the crystals is studied.
Титульний аркуш до Вісника "Електроніка"
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000)