Електроніка

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523

Browse

Now showing 1 - 20 of 511

Aналіз ефективності придушення електромагнітних завад у холлівських сенсорних пристроях
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Ільканич, В. Ю.; Марусенкова, Т. А.
Розглянута проблема впливу електромагнітної завади на відтворюваність вимірювання сигналу в холлівських сенсорних пристроях. Спосіб компенсації електромагнітної завади забезпечується двотактним вимірюванням сигналу при протилежних напрямах імпульсів струму живлення холлівських сенсорів. Встановлена залежність ефективності двотактного режиму роботи від затримки між суміжними вимірюваннями. Експериментальними дослідженнями показано, що за наявності електромагнітної завади використання двотактного режиму забезпечує підвищення відтворюваності вимірювання в 6–8 разів. The work gives an analysis of electromagnetic noise influence on signal repeatability in Hall sensor devices. The electromagnetic noise compensation is based on signal two tact mode measurements at reverse direction of Hall sensor supply current. The functional dependence of two tact mode efficiency on time delay between serial measurements is described. It was experimentally shown that two tact mode of electromagnetic noise compensation provides an efficiency improving by 6..8 times.
CdTe як пасивувальний шар в гетероструктурі CdTe/HgCdTe
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Вірт, І. С.; Сизов, Ф. Ф.; Михайлов, Н. Н.
Під час виготовлення фотодетекторів на основі Hg1-хCdхTe використовують і гетероструктури цих матеріалів у вигляді тонких шарів, наприклад CdTe/Hg1-хCdхTe. У цій роботі досліджували гетероструктури – пасивувальний шар CdTe (з полікристальною і монокристальною структурами) та активну монокристалічну плівку Hg1-хCdхTe, отримані методом молекулярно-променевої епітаксії. Cтруктуру пасивувальних шарів досліджували методом дифракції електронів високих енергій на відбиття. Для вивчення впливу структури пасивувального покриття на властивості активного шару застосовували метод X-променевої дифрактометрії. Виміряно сталу кристалічної решітки активного шару плівки. Механічні властивості гетероструктур досліджували методом мікротвердості. Подано електрофізичні та фотоелектричні параметри епітаксійних плівок Hg1 хCdхTe. There is an increasing interest in the use of CdTe and Hg1-xCdxTe compounds as a base for infrared detectors. Thin films heterostructures CdTe/ Hg1-xCdxTe are very often used in the photodetectors fabrication process. In present work we investigated he-terostructures consisting of molecular beam epitaxy grown monocrystalline Hg1-xCdxTe active film with either monocrystalline or polycrystalline passivation CdTe layer. The structural properties and surface morphology of passivating layers were studied by reflection high-energy electron diffraction method. The influence of passivation layer structure on the properties of active film was also studied by means of XRD technique and the lattice parameter of active layer was determined. The mechanical properties of heterostuctures were investigated by microhardness method. Electrophysical and photoelectric parameters of epitaxial Hg1-xCdxTe films were measured.
Cтруктурна поведінка твердих розчинів у системі PrCoO3-PrFeO3
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Харко, О. В.; Василечко, Л. О.
Методом порошкової дифракції рентгенівського та синхротронного випромінювання досліджено кристалічну структуру нових змішаних кобальтитів-феритів празеодиму PrCo1-xFexO3, одержаних твердофазним синтезом на повітрі при 1300 C. Встановлено, що всі синтезовані зразки мають ромбічно деформовану структуру перовськіту, ізоструктурну до PrFeO3 та PrCoO3. Одержані значення структурних параметрів вказують на утворення неперервного твердого розчину в системі PrFeO3-PrCoO3. Особливістю твердого розчину PrCo1-xFexO3 є перетин параметрів елементарних комірок та утворення розмірно тетрагональних та кубічних структур за певних співвідношень Fe/Co. Crystal structure of new mixed praseodymium cobaltites-ferrites PrCo1-xFexO3, obtained by solid state reaction in air at 1300 oC, has been studied by means of X-ray powder diffraction technique applied laboratory and synchrotron radiation sources. It was found that all samples synthesized adopt orthorhombic perovskite structure, isostructural with PrFeO3 and PrCoO3. The obtained values of structural parameters indicate the formation of continuous solid solution in the system PrFeO3-PrCoO3. Peculiarity of the PrCo1-xFexO3 solid solution is the lattice parameter crossover and appearance of dimensionally tetragonal and cubic structures at certain Fe/Co ratios.
Eлектричні характеристики ниткоподібних кристалів кремнію в околі переходу метал-діелектрик
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Корецький, Р. М.; Яцухненко, С. Ю.
Досліджено люмінесценцію дистильованої води з різним вмістом газів та хімічно активних радикалів. Встановлено, що люмінесценція зумовлена низкою процесів: випромінюванням електронно-збудженого радикалу ОН●, продуктів реакції іонів та радикалів з синглетним киснем O2(a1Δg), випромінюванням димера з молекул O2(a1Δg), дезактивацією коливально-збудженої Н2О, неконтрольованими органічними домішками. Зростання вмісту газів збільшує інтенсивність люмінесценції води. Імовірною причиною цього є специфічні властивості межі розділу фаз вода-газова суміш. The luminescence of distilled water with different content of gases and chemically active radicals was investigated. Its was established that luminescence is caused by several processes: radiation of electron-excited radical ОН●, reaction products of ions and radicals from singlet oxygen O2(a1Δg), emission from the dimer molecules O2(a1Δg), deactivation vibrationallyexcited Н2О, uncontrollable organic impurities. Increase in gas content increases the luminescence intensity of water. The probable reason for this is the specific properties of the interfacial water-gas mixture.
FA і FD -центри забарвлення в кристалах флюориту
(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Качан, С. І.; Кушнір, Т. М.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.
Якщо кристали флюориту, що містять складні MA+ -центри забарвлення,оптичного знебарвити при 80 К,то структура новоутвореного точкового дефекта набуває конфігурації,вісь якої збігається з ‹111› кристалографічними напрямками кристала.При повторному опроміненні кристала, поряд з реакцією утворення VK-центрів, існує локалізація електронів на бівакансійних комплексах з утворення FD-центрів забарвлення. Концентрація новоутворених FD-центрів співвимірна за величиною з концентрацією FA-центрів,а оптичні параметри FD-центрів і FA-центрів практично збігаються. FD→МА+ - перетворення відбуваються при температурі реорієнтації TR домішково-вакансійних диполівт (TR=122 K в CаF2-Lі+ і TR=153 К в CаF2-Nа+). Ефективність виходу FD→МА+ -перетворень у 2-3 раза вища порівняно з ефективністю FA→МА+ -перетворень. If crystals of fluorite with the complicated MA+ -centers of colouring optically decolour at 80 К the structure of newly created point defect acquires a configuration, which axis coincides with ‹111› crystallographicdirections of the crystals. After repeated irradiation of crystals, alongside with the reaction of creation of FA and VK - centers, the localization of electrons on the bivacancial complexes with the the creation of FD - centers is proportional in size to the concentration of FA - centers, and optical parameters of FD and Fa - centers practically coincide. FD→МА+ transformations take place atthe temperature of reorientation of impurity-vacancion dipoles. The efficiency of the output of FD→МА+ transformations is higher in comparison with the efficiency of FA→МА+ transformation in 2-3 times.
Ma+[100] і Ma+[110] центри забарвлення в кристалах CAF2-O2- і SRF2-O2-
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дубельт, С. П.; Качан, С. І.; Чорній, З. П.; Салапак, В. М.; Пірко, І. Б.; Національний університет “Львівська політехніка”
Вперше пояснені особливості зміни спектрів оптичного поглинання агрегатних центрів забарвлення в кисневовмісних кристалах флюоритів: при збільшенні температури опромінення кристалів (Т > Tr, де Tr - температура реорієнта- ції складних центрів) відбувається зсув довгохвильової компоненти спектра (Maз+-смуги) в короткохвильову область. Перетворення Ma+центрів (низькотемпературних) у Mа+[110]-центри (високотемпературні) пов’язані із термоактивованим переходом аніонних вакансій фтору у другу координаційну сферу відносно домішкового іона кисню. For the first time peculiorities of spectrum optical absorption aggregate colour centers changings in oxygen-containing crystals of fluorities are explained. With rising of temperature of x-raying of crystals (T > Tr, where Tr - temperature of reorientation of compound centers) occurs the displacement of the long-wave component of spectrum (MA3+-band) in short-wave region. Transition of MA+[100] (low-temperatures) - centers into MA+[110] (high-temperatures) centers are connected with a passage of anion vacancies in the second coordinative sphere concerning to impuritious ion of oxygen.
Mагнетофононний резонанс у ниткоподібних кристалах германію
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях-Кагуй, Н. С.; Вуйцик, А. М.
Досліджено магнетофононні осциляції магнетоопору в сильнолегованих ниткоподібних кристалах Ge n-типу провідності з концентрацією домішки, що відповідає переходу метал-діелектрик, в інтервалі температур 4,2–70 К у неперервних та імпульсних магнітних полях з індукцією 14 Тл та 35 Тл, відповідно. Вивчено вплив одновісної деформації стиску та розтягу на магнетофононні осциляції поперечного і поздовжнього магнетоопору, визначено міждолинні переходи, оцінено енергії фононів та ефективні маси важких та легких електронів в НК n-Ge.
Mагнітні властивості ансамблю наночастинок маґгеміту, покритих функціональною полімерною оболонкою
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Демченко, П.; Мітіна, Н.; Заіченко, A.; Неделько, Н.; Левінська, С.; Славська-Ванєвська, А.; Длужевський, П.; Білська, M.; Убізський, C.
Магнітні наночастинки маґгеміту (γ-Fe2O3) були синтезовані з використанням поверхнево-активних поліфункціональних олігопероксидів як нанореакторів для отримання ядер з подальшою їх полімеризацією. Для дослідження отриманих наночастинок типу магнітне ядро – полімерна оболонка використовували методи рентгенівської дифракції, просвічуючої електронної мікроскопії та вимірювання температурних і польових залежностей намагніченості. Визначено, що магнітне ядро наночастинок складається з кристалічного маґгеміту сфероподібної форми з середнім діаметром близько 10 нм. Отримані наночастинки проявляють суперпарамагнітні властивості за кімнатної температури. При охолодженні їхній напрямок намагніченості блокується за температури 170 К. Частинки повністю покриті функціональною полімерною оболонкою, що запобігає їхній агрегатизації та дає змогу використовувати їх у біомедичних технологіях. Magnetic nanoparticles of maghemite γ-Fe2O3 were synthesized via template synthesis in the presence of functional oligoperoxide surfactants and further graft-polymerization initiated from their surface. X-ray diffraction, transmission electron microscopy and measurement of temperature and field dependences of magnetization were used to characterize the obtained core-shell nanoparticles. It was found that magnetic core of nanoparticles consists of crystalline maghemite phase of spherical shape with avarage diameter about 10 nm. The obtained particles are superparamagnetic at room temperature. During cooling their magnetisation direction is blocked at temperature 170 K. The particle are fully enveloped by functional polymer shell that prevents their agreagation and allows application themin biomedical technologies.
Mікропроцесорна система для біосенсорного визначення формальдегіду
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Вус, Б. С.
Розроблено мікропроцесорну систему для амперометричного біосенсорного визначення формальдегіду. Вона має зручний інтерфейс користувача. Етапи експериментальних операцій управляються і контролюються в інтерактивному режимі. Мікропроцесорна програма створює візуальні і звукові інструкції, щоб уникнути неправильних дій під час експериментів. Систему можна адаптовувати для визначення інших реагентів. Одержані наукові та технічні результати можуть бути використані для розроблення комерційних серійних біосенсорних аналізаторів. A microcomputer-based system with amperometric biosensor for measurement of formaldehyde was developed. It has a user friendly interface. The interface provides visual and audible feedback so improper actions by the operator can be avoided. Operator can interactively control experimental phases. The system can be extended for measurement of other reagents. The scientific and technical output from the research could be used for development of commercially produced biosensor analysis systems.
Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.
Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.
„PRE”-„POST” спряжена модифікація пористої і електронної будови активованого вугілля, отриманого з лляного волокна
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Каліцінський, В. З.; Григорчак, І. І.; Бордун, І. М.; Матулка, Д. В.; Чекайло, М.; Кулик, Ю. О.
Розглянуто двоєдину задачу, пов’язану зі спряженням пористої структури вуглецевих матеріалів з їх електронною будовою задля досягнення максимальної ефективності роботи подвійного електричного шару. Досліджено вплив параметрів карбонізації на ємнісні характеристики активованого вугілля. Вихідним матеріалом для отримання активованого вугілля були волокна льону. Запропоновано технології інтеркаляційної модифікації вихідного матеріалу та хімічної модифікації активованого вугілля, які підвищують ефективність роботи подвійного електричного шару. The double task which is related with coupling a pore structure of carbon materials with its electron structure for receiving maximum efficiency of work of double electric layer (DEL) is considered. The influence of parameters of carbonization process on capacitive characteristics of activated carbon is examined. Fiber flax were used as precursor for production an аctivated carbon. The technology of intercalation modification of precursor and chemical modification of activated carbon, which enlarge the efficiency of double electric layer, are submitted.
Study barrier structures on the base of nickel phthalocyanine thin films during interaction with ammonia medium
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Hotra Z. Yu.; Cherpak V. V.; Stakhira P. Y.; Kuntyy O. I.; Zakutayev A.; Volynyuk D. Yu.; Tsymbalistyy V. M
Методом термовакуумного напилення наносилися на прозорі електропровідні підкладки (Indium tin oxide (ITO)) тонкі плівки органічного молекулярного напівпровідника фталоціаніну нікелю (NiPc), a поліморфної модифікації, що володіють високою чутливістю до дії газових середовищ. На основі цих плівок були сформовані бар’єрні структури ITO/NiPc/Al та ITO/NiPc/Ni. Виявлено та досліджено ефект електрогенерації в структурі ITO/NiPc/Al під дією газового середовища аміаку. Показано, що виникнення струму короткого замикання та напруги холостого ходу спостерігається тільки в структурі ITO/NiPc/Al, що може бути зумовлено перебігом окисно-відновних реакцій в ній. Це підтверджується відсутністю електрогенерації в структурі ITO/NiPc/Ni, в якій перебіг таких окисно-відновних-реакцій є неможливим. Показано, що наявність вологи в аміачній атмосфері призводить до істотного відгуку електричного опору структури ITO/NiPc/Ni. The barrier structures on the base of organic molecular semiconductor nickel phthalocyanine (NiPc) thin films are studied. Interaction of the thin films with gaseous ammonia medium leads to change in their electrical conductivity. Short circuit current and open circuit voltage in the barrier structure result from oxidation-reduction reactions with gaseous ammonia.
The influence of the thermo-chemical treatment on the optical properties of YAG:Cr,Mg and GGG:Cr,Mg epitaxial films
(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Buryy, О. А.; Ubizskii, S. B.; Syvorotka, I. I.; Shi., J.; Becker, K.-D.
The optical absorption spectra of YAG:Cr,Mg and GGG:Cr,Mg films are studied at in-situ conditions during high-temperature annealing in oxidizing and reducing atmospheres. The absorption spectra were measured in the range from 250 to 1500 nm at temperatures up to 1190 оС and the kinetics of absorption changes are registered at the wavelength of 450 nm. As it is shown, the oxidation of YAG:Cr,Mg films grown at low growth rates leads to increasing of the absorption in the visible region that caused by recharging of chromium ions, whereas the reduction of YAG:Cr,Mg films leads to the backward process. On the contrary, the reduction of GGG:Cr,Mg films increases their absorption, at that the kinetics of reduction has got the complicate, non-monotonous character. At sufficiently low temperatures (~ 800 оС) the oxidation leads to the opposite changes of the spectra of GGG:Cr,Mg films, however, at higher temperatures the changes of gas environment do not cause the noticeable changes of the spectra and the absorption remains at the sufficiently high level. The YAG:Cr,Mg film grown at higher growth rate demonstrates the behavior analogous to the one of GGG:Cr,Mg. Спектри оптичного поглинання плівок YAG:Cr,Mg та GGG:Cr,Mg досліджувалися в режимі insitu при високотемпературних відпалах в окисній та відновній атмосферах. Спектри поглинання вимірювалися в інтервалі від 250 до 1500 нм за температур до 1190оС, кінетичні криві зміни оптичної густиним реєструвалися на довжині хвилі 450 нм. Показано, що окислення плівок YAG:Cr,Mg, вирощених за нижчих швидкостей, веде до зростання оптичної густини у видимій області, що обумовлено поглинанням іонами хрому, тоді як відновлення плівок YAG:Cr,Mg веде до протилежного процесу. Навпаки, відновлення плівок GGG:Cr,Mg веде до зростання поглинання в цій області, при цьому кінетична крива зміни оптичної густини має складний, немонотонний характер. За істотно нижчих температур (~ 800оС) окислення веде до протилежних змін у спектрах поглинання плівок GGG:Cr,Mg, проте при вищих температурах зміна атмосфери відпалу не веде до помітних змін спектра і поглинання фіксується на достатньо високому рівні. Плівка YAG:Cr,Mg, синтезована при більшій швидкості, демонструє при відпалах поведінку, аналогічну до поведінки плівок GGG:Cr,Mg.
Автоматизація вимірювання показників заломлення плоскопаралельних пластин оптичних матеріалів антерферометрично-поворотним методом
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Тибінка, Б. В.; Островський, І. П.; Андрущак, А. С.
Створена автоматизована установка для вимірювання показників заломлення оптичних матеріалів інтерферометрично-поворотним методом. Установка апробована на прикладі одновісного кристалу LiNbO3. Внаслідок проведених вимірювань одержані такі параметри: nо=2.28650.0007, ne = 2,20340,0007 (для довжини світлової хвилі =0,6328 мкм), які добре узгоджуються з літературними даними. Automatizational equipment for refractive indices measurement of optical materials by interferometric-turning method was designed. The equipment is approbated on example of uniaxial crystal LiNbO3. As a result of measurements the following parameters were obtained: nо=2.28650.0007, ne = 2,20340,0007 (for wavelength =0,6328 m), which are in good agreement with literature data.
Автоматизована система для дослідження оптичних та електричних властивостей сегнетоелектричних кристалів
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Злобін, Г. Г.; Карбовник, І. Д.; Андрієвський, Б. В.
Виготовлено електронний блок спряження фотоприймача, термопари та персонального IBM-сумісного комп'ютера і досліджено його експлуатаційні характеристики на прикладі прецизійних вимірювань температурної залежності інтерференційної оптичної різниці ходу 5D/D(T сегнетоелектричного кристала тригліцинсульфату (ТГС) в області 20 - 75 °С. З'ясовано, що температурна залежність 5D/D(T) в області 40-50°C сегнетоелектричної фази кристала може бути задовільно описана лише з урахуванням квадратичного члена. На підставі цього стверджується, що відповідні коефіцієнти спонтанної електрострикції та квадратичного електрооптичного ефекту залежать від температури. The electronic part for the photodetector and thermocouple connection with IBM compatible computer has been fabricated and it’s functional parameters have been studied for the instance of a precise mesurement of the temperature dependence of interference optical path difference 8D/D(T) for the ferroelectric triglicine sulphate crystal (TGS) in the range of 20-75 °С. It is found that the temperature dependences of 5D/D(T) in the range of ferroelectric phase 40-50°C of the crystal can be described sutisfactorily taking into account a quadratic term only. This means that the corresponding coefficients of spontaneous electrostricsion and quadratic electrooptic effect are dependent on temperature.
Адгезія та надійність струмопровідних шарів, виготовлених струменевим друком наночастинок срібла
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Лесюк, Р. І.; Бобицький, Я. В.; Їллек, В.; Савчук, В. К.; Котлярчук, Б. К.
Проведені дослідження адгезії та деградаційної стійкості струмопровідних доріжок, виготовлених струменевим друком наночастинок срібла в органічній матриці для потреб електроніки. Результати свідчать про відповідність адгезії струмопровідних шарів технічним вимогам після спікання “наночорнила” за температури 200–300 оС. Зафіксовано зростання адгезії із зростанням температури спікання. Проведені випробування зразків у камерах штучного прискореного старіння на предмет вологостійкості та стійкості до перепадів температур. The adhesion and reliability (degradation persistence) of conductive tracks, produced by ink-jet printing of silver nanoparticles in organic matrix, are investigated. Results indicate, that fabricated interconnects meet the requirements to adhesion of PCB conductive tracks after sintering by 200–300 oC. The increase of adhesion with the temperature іs shown. The investigations of durability to high humidity conditions and temperature shock are in cameras of fast artificial aging were carried out.
Алгоритм функціонування та структура програмованого коректора характеристик однокристальних сенсорних пристроів
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Гладун, М. Р.; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Лопатинський, І. Є.; Потенцкі, Є.
Подано результати розробки програмованого коректора характеристик для однокристальних сенсорних пристроїв. Розроблено новий алгоритм функціонування коректора, що базується на синтезі коректуючих струмів програмованою матрицею джерел струму. Принциповими рішеннями розробленої матриці є двійково-зважене масштабування струмів на латеральних p-n-p транзисторах та спеціальний алгоритм декодування комірок матриці. The results of elaboration of programmable characteristics corrector for on-chip sensor devices are presented in this paper. New algorithm of corrector functioning is elaborated. This algorithm is based on synthesis of correcting current by programmable array of current sources. The principal solutions of elaborated array are bit-power scaling of current on lateral p-n-p transistors and special algorithm for array cells decoding.
Аналогові сенсори напруги на основі ефекту холестерико-нематичного переходу
(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Готра, З. Ю.; Фечан, А. В.; Левенець, В. В.; Коцун, В. І.; Вараниця, А. В.
На основі досліджених електрооптичних характеристик холестерико-нематичного переходу запропоновано використовувати як аналогового сенсора напруги рідкокристалічну комірку зі змінною товщиною. Проведено математичне моделювання поширення світла в шарі рідкого кристала та скляній пластині. Експериментально отримано розподіл інтенсивності випромінювання та діаграму напрямленості запропонованого сенсора. The liquid crystal cell with changed thickness proposed to use as voltage analog sensor. The cholesteric-nematic transition as the elecrooptical effect in liquid crystal material is investigated. The mathematical modelling of light propagation in liquid crystal layer and in glass plate is proposed. The angle distribution of light radiation of such sensor is experimentally investigated.
Аналіз конверсії типу провідності в легованому домішками Ag, Cu P-CdxHgixTe при іонному травленні та відпалі анодного оксиду
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Юденков, В. О.
Здійснено порівняльний аналіз процесів р-п конверсії типу провідності при іонному травленні (1Т) та відпалі анодного оксиду (ВАО) на ідентичних зразках легованого Cu або Ag /;-Cd Jlg,_vTe. Вважалося, що домішки 1 групи в Cd Jlg,_vTe можуть утворювати точкові дефекти двох типів: центри заміщення MHg° (акцептори) та міжвузловинні центри М/ (донори). При цьому р-п конверсія типу провідності зумовлюється витісненням міжвузловинними атомами ртуті Hg/* атомів Cu (Ag) з вузлів металічної підгратки у міжвузля. Показано, що відсутність конверсії при ВАО пов'язана з недостатньою концентрацією міжвузловинної ртуті у створеному джерелі Comparative analysis of conductivity type conversion in identical samples of doped Cu or Ar/?-CdxHgi_xTe under ion milling and thermal annealing of anodic oxide was made. As was consider, that impurities of 1 group in CdxHgi_xTe could create a point defects of two types: substitution centres MHg° (acceptors) and interstitial centres М/ (donors). At that p-to-n type conductivity conversion is due to mercury interstitial atoms Hg,” is ousting the Cu (Ag) atoms from metallic side in interside. It was shown the absence of conversion under thermal annealing of anodic oxide concerned with insufficient interstitial mercury concentration in created source.
Аналіз кристалічної структури плівок власних оксидів hgcdte ta pbsnte
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Берченко, І. О.; Вірт, І. С.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.
Робота присвячена вивченню структури оксидів HgCdTe та PbSnTe, вирощених різними методами. Як вихідні матеріали використовували епітаксійні шари HgCdTe та PbSnTe. Анодні оксиди вирощували за допомогою стандартної методики, а хемічні оксиди – з розчину H2O2–KOH. Їхню структуру досліджували за допомогою методу дифракції електронів високих енергій на відбиття (ДЕВЕВ). Установлено, що тільки оксиди, отримані природним оксидуванням в повітрі за кімнатної температури можна вважати повністю аморфними. Усі інші були полікристалічними. Середній розмір зерен визначено за формулою Шеррера. Методами ДЕВЕВ, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії та Оже-спектроскопії встановлено, що основними компонентами анодних оксидів HgCdTe та PbSnTe є CdTeO3 та PbTeO4, що добре узгоджується з літературними даними щодо теоретичних розрахунків фазових рівноваг у системах Hg(Pb)–Cd(Sn)–Te–O. Мікроіндентуванням установлено, що анодний оксид HgCdTe підвищує мікротвердість, тоді як для PbTe анодний та хемічні оксиди знижують значення мікротвердості. The aim of this work is to determine the structure of native oxides of HgCdTe and PbSnTe grown by different methods. The starting materials were epitaxial layers HgCdTe and PbSnTe. Anodic oxides were fabricated under standard conditions, and chemical oxides were grown in H2O2–KOH solution. The oxide films have been studied by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Only oxides obtained through natural oxidation in ambient air at room temperature were found to be completely amorphous. All other oxides must be rated as polycrystalline, and the average size of crystallites was determined for them using Scherrer’s formula. CdTeO3 and PbTeO3 may be considered such components in HgCdTe and PbTe anodic oxides correspondingly that is well agreed with predictions based on the phase equilibria in Hg(Pb)–Cd(Sn)–Te–O systems as well as XPS and AES results previously obtained. By using the microindentation technique the microhardness in the semiconductor layer underlying oxides was investigated. It was determined that for HgCdTe anodic oxide, the microhardness is always increased while for PbTe, both anodic and chemical oxidation decreases the microhardness.