Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
11 results
Search Results
Item Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках. (Короткий огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Шпотюк, О. Й.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Головчак, Р. Я.; Кавецький, Т. С.; Ковальський, А. П.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”Представлено результати дослідження впливу високоенергетичних іонізуючих випромінювань на фізичні властивості халькогенідних склоподібних напівпровідників. Зроблено короткий історичний огляд наукових шкіл з проблеми. Детально проаналізовано радіаційно-індуковані ефекти, спричинені дією у-квантів. Запропоновано мікроструктурні, топологічні та математичні підходи для пояснення механізмів виникнення та релаксації вказаних явищ. Investigations of the effect of high-energetic ionizing irradiations on physical properties of chalcogenide vitreous semiconductors are presented. Short historical review of scientific teams, working in this field, is made. Radiation-induced effects caused by the influence of у-quanta are analyzed in details. Microstructural, topological and mathematical approaches to the explanation of the mechanisms of these phenomena appearance and relaxation are proposed.Item Перетворення структури склоподібного селеніду миш’яку при фізичному старінні(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Ваків, М. М.; Шпотюк, М. В.; Головчак, Р. Я.Методом диференціальної скануючої калориметрії досліджені ефекти коротко- (~6 місяців) та довготермінового (~20 років) фізичного старіння склоподібного селеніду миш’яку. Показано, що ці ефекти відрізняються кількісними параметрами (температура розм’якшення та площа ендотермічного піка в області фазового переходу склопереохолоджена рідина) та областями прояву на композиційній залежності. Отримані результати пояснені в межах так званої ланцюгової моделі за рахунок відмінності мікроструктурних механізмів коротко- та довготермінового старіння склоподібного селеніду миш’яку. Effects of short-term (~6 months) and long-term physical ageing (~20 years) studied in vitreous arsenic selenides using differential scanning calorimetry. It is shown that these effects differ by their numerical parameters (glass transition temperature and endothermic peak area near the glass transition) and by compositional dependences. The results obtained are explained within chain crossing model owing to sufficient difference in microstructural origin of short- and long-term physical ageing in vitreous arsenic selenides.Item Розрахунок електричних параметрів зустрічно-штиркового перетворювача для НВЧ акустичного дефлектора(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Винник, Д. М.; Решотка, О. Г.; Сугак, Д. Ю.; Ваків, М. М.Наведено методику визначення електричних параметрів перетворювача з використанням зустрічно-штиркових перетворювачів, які використовуються для збудження об’ємних акустичних хвиль з поверхні п’єзоелектричного кристала LiNbO3. Розрахунок погонних індуктивностей та ємностей проводиться на основі вимірів за допомогою векторного аналізатора реактивного опору та діаграмь Сміта відповідно. Методика дозволяє розраховувати електричні параметри перетворювачів для збудження об’ємних акустичних хвиль з поверхні кристала LiNbO3 для ЗШП, що працюватимуть у діапазоні робочих частот до 2 ГГц. Methods of determining of transducer electrical parameters using interdigital transducers which are used for excitation of the bulk acoustic waves from the surface of the piezoelectric crystal LiNbO3 are presented. Calculation of running inductance and linear capacitance is conducted using vector analyzer of reactance and Smith diagram. This method is used to calculate the electric parameters of transducers for excitation of bulk acoustic wave from the surface of LiNbO3 crystal for phased antenna arrays that operate in the range of operating frequencies up to 2 GHz.Item Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InAs(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Круковський, Р. С.Експериментально, за методом термо-гравітаційного аналізу, досліджено лінію ліквідуса в системі Bi-InAs в інтервалі температур 750–600 °С. Експериментальні дані з розчинності арсену у вісмутових розчинах-розплавах добре узгоджуються із розрахунковими, визначеними згідно з моделлю регулярно асоційованих розчинів. Experimentally, using thermal gravity analysis, liquidus line in the system Bi-InAs at the temperature range 750-600 °C is researched. Experimental data on the solubility of arsenic in bismuth melts are relevant with estimates set by regular associated melts model.Item Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.Item Збудження об’ємних акустичних хвиль зустрічно-штирковим перетворювачем у кристалах(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Винник, Д. М.; Решотка, О. Г.; Сугак, Д. Ю.; Ваків, М. М.Розглянуто теорію збудження зустрічно-штирковим перетворювачем (ЗШП) об’ємних акустичних хвиль з поверхні п’єзоелектричних кристалів . Одержані в явному вигляді вирази для величини зміщень і деформацій в об’ємних акустичних хвилях. З одержаних виразів випливає, що ЗШП можна розглядати як лінійну акустичну антену. З аналізу умов збудження об’ємних акустичних хвиль слідує, що у процесі збудження цих хвиль за допомогою ЗШП на високих частотах можуть виникати одночасно як об’ємні хвилі, що поширюються в глибину кристала, так і об’ємні хвилі (гармоніки), що розповсюджуються паралельно до поверхні кристала, а також поверхневі акустичні хвилі (гармоніки). Це слід враховувати під час конструювання таких пристроїв, які працюють на об’ємних акустичних хвилях. The paper presents the theory of excitation of interdigital transducer bulk acoustic waves from the surface of the piezoelectric crystal. The results obtained in explicit expressions for the displacements and strains in the excited bulk acoustic waves. From these expressions, it follows that the IDT can be regarded as a linear acoustic antenna. From the analysis of the excitation conditions of bulk acoustic wave is determined that the excitation of these waves by IDT at high frequencies can occur at the same time as bulk waves that propagate inside the crystal, as well as body waves (harmonics) that extend parallel to the surface of the crystal, as well as surface acoustic wave (harmonic). This fact should be taken into account in the design of devices, which run on bulk acoustic wave.Item Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.Досліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.Item Визначення температури інверсії типу провідності в епітаксійних шарах InAs, отриманих РФЕ з індієвих розплавів, легованих кремнієм(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.Досліджено залежність концентрації електронів та дірок в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих розплавів легованих кремнієм, в інервалі температур 880–820 °С та 780–630 °С. Встановлено, що у високотемпературному інтервалі кристалізуються епітаксійні шари InAs р- типу провідності, а в низькотемпературному n-типу провідності. Цей ефект пояснюється амфотерною поведінкою кремнію в шарах InAs. The dependence of concentration of electrons and holes in InAs epitaxial layers, obtained from indium melts dopped by silicon in the temperature range of 880–820 °C and 780–630 °C was investigated. It was found that in high-temperature range InAs epitaxial layers of p-type conductivity are intended to crystallize, and in low-temperature – of n-type conductivity. This effect is explained by amphoteric behavior of silicon in InAs layers.Item Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSb(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Круковський, Р. С.Експериментально, методом термо-гравітаційного аналізу, досліджено лінію ліквідуса в системі Bi-InSb в інтервалі температур 450–300 °С. Експериментальні дані по розчинності стібіуму у вісмутових розчинах-розплавах добре узгоджуються із розрахунковими, визначеними згідно з методом, який базується на строгій термо-динамічній моделі конденсованого стану.Experimentally, using thermal-gravity analysis, liquidus line in Bi-InSb system has been researched at 450–300 °С temperature range. Experimental data on the solubility of Sb in bismuth melts are relevant with estimates, obtained according to the method, based on accurate thermodynamic model of condensed state.Item Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структур(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.Досліджено, що в галієвих розчинах із вмістом алюмінію ≈ 0,2 ваг. % забезпечується найкраща морфологія травленої поверхні кремнієвих підкладок. Показано, що додавання алюмінію від 0 до 1,6 ваг. % у галієвий розплав забезпечує можливість кристалізації сильно легованих шарів кремнію р-типу провідності в температурному інтервалі 750–650 ºС. It is investigated, that the best chemical etching morphology of silicon substrate is provided in gallium melts with content of aluminium ≈ 0,2 weight %. It is shown that extension of aluminium from 0 to 1,6 weight % into gallium melt provides crystallization capability of heavily doped silicon layers of p-type conductivity at 750–650 ºС temperature range.