Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
17 results
Search Results
Item Гальваномагнітні пристрої для реакторів термоядерного синтезу: основні підходи. Огляд(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Bolshakova, I. A.; Holyaka, R. L.; Yerashok, V. E.; Національний університет “Львівська політехніка”; Лабораторія магнітних сенсорів, Центр “Кристал”Аналізуються проблеми вимірювання магнітного поля в реакторах термоядерного синтезу з магнітним утриманням плазми (типу ТОКАМАК). Показано, що нове покоління ректорів термоядерного синтезу потребуватиме апаратури для діагностики магнітного поля, яка відповідає критеріям довготривалої експлуатації в екстремальних умовах експлуатації. Розглянуто принципи побудови такої апаратури, нові конструкції інтегрованих перетворювачів, елементну базу схем обробки сигналу тощо. Наведено результати виконаних в кінці 2004 року експериментів з вимірювання магнітного поля в реакторі TORE SUPRA (Кадараш, Франція).Item Принципи термокомпенсації низьковольтних опорних напруг(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Голяка, Р. Л.; Готра, О. З.; Єрашок, В. Е.; Шевчук, 0. І.; Національний університет “Львівська політехніка”Запропоновані нові схемні рішення термокомпенсованих низьковольтних джерел опорної напруги, зокрема для інтегральних стабілізаторів напруги та струму, сенсорних пристроїв, аналогово-цифрових перетворювачів тощо. На від¬міну від аналогів, запропоновані схеми термокомпенсації інтегральних стабіліза¬торів забезпечують нормальне функціонування при напругах живлення від 1 В. Досліджено характеристики таких стабілізаторів. Novel circuitry is proposed for thermocompensated low-voltage sources of reference voltage, in particular for integrated stabilizers of voltage and current, sensor devices, analog-digital converters etc. Despite the known analogs, the proposed thermo¬compensation algorithms for the integrated stabilizers provide normal operation at the supply voltages from 1 V. Parameters of such stabilizers are studied.Item Двопорогові компаратори - нова елементна база інтелектуальних сенсорів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Голяка, Р. Л.; Національний університет "Львівська політехніка"Запропоновано принципи побудови та схемотехнічні розв’язки двопорогових компараторів, які як елементна база інтелектуальних сенсорних пристроїв, забезпечують їх автоматичне перемикання між робочим та очікувальним режимами роботи. Development principles and circuit solutions are proposed for the douhreshold comparators. Such comparators provide the automatic switching between the operating and standby mode and they serve as the elements for intelligent sensor devices.Item Схеми заміщення магнітодіода для “SPICE”(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гладун, М. Р.; Національний університет "Львівська політехніка"Вивчається проблема створення моделей сенсорів магнітного поля в середовищі схемотехнічного моделювання “Spice”. Розглянуті підходи до синтезу схем заміщення магнітодіода. Показано, що, використовуючи комбінацію фізичних та емпіричних моделей, можна забезпечити ефективний аналіз сенсорних пристроїв в спеціалізованих програмах схемотехнічного моделювання. Presents design of models for magnetic-field sensors which can be used in SPICE software. The synthesis of magnetodiode equivalent circuits is considered. It is shown that effective analysis of sensor devices in specialized circuitrical software can be maintained by using combination of physical and empirical models.Item Алгоритм функціонування та структура програмованого коректора характеристик однокристальних сенсорних пристроів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Гладун, М. Р.; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Лопатинський, І. Є.; Потенцкі, Є.Подано результати розробки програмованого коректора характеристик для однокристальних сенсорних пристроїв. Розроблено новий алгоритм функціонування коректора, що базується на синтезі коректуючих струмів програмованою матрицею джерел струму. Принциповими рішеннями розробленої матриці є двійково-зважене масштабування струмів на латеральних p-n-p транзисторах та спеціальний алгоритм декодування комірок матриці. The results of elaboration of programmable characteristics corrector for on-chip sensor devices are presented in this paper. New algorithm of corrector functioning is elaborated. This algorithm is based on synthesis of correcting current by programmable array of current sources. The principal solutions of elaborated array are bit-power scaling of current on lateral p-n-p transistors and special algorithm for array cells decoding.Item Тонкоплівковий гальваномагнітний 3-D сенсор(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.Проаналізовані проблеми створення гальваномагнітних 3-D сенсорів, які здатні вимірювати три складові BX, BY, BZ вектора індукції магнітного поля. Такі сенсори передбачають використання структур на основі технології кремнієвих інтегральних схем. Їх проблемою є низька радіаційна та температурна стійкість. Запропоновано нову конструкцію 3-D сенсора, який виготовляється мезатехнологією на тонких плівках напівпровідників групи A3B5, що забезпечує здатність його функціонування в екстремальних умовах експлуатації. Наведений аналіз параметрів експериментальних зразків тонкоплівкових 3-D сенсорів. The problems of galvanomagnetic 3-D sensors development, which provide a possibility of three magnetic field induction components BX, BY, BZ measurements, are analyzed. Such sensors demand the structures on the base of silicon integrated circuits technologies. The problem is low radiation and temperature stability of such structures. New 3-D sensor construction, which is formed on the base of A3B5 semiconductor group thin-film technology, is proposed. Such sensor provides performance ability in extreme conditions. Parameters of 3-D sensor tentative samples are analyzed.Item Дослідження впливу параметрів структури іонно-селективних польових транзисторів на їх характеристики(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Тампль-Буайє, П'єр; Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гуменюк, І. А.Розроблено та експериментально досліджено характеристики іонно-селективних польових транзисторів (1СПТ) з індукованим n-каналом. Функцію підзатворного діелектрика, чутливого до іонів водню, виконує мембрана з оксиду та нітриду кремнію Si02/Si3N4. Для забезпечення селективності до іонів нітрату N03' та амонію NH4+ використано чутливу мембрану на основі роїуНЕМА/сілопрен. Дано рекомендації щодо режимів живлення 1СПТ. Виготовлення та експериментальні дослідження проведені в Лабораторії Аналізу та Архітектур Систем, Тулуза, Франція. Front-side connected, N-channel, normally-off, ion-sensitive field effect transistor (1SFET) microsensors including a SiOi/SijNj pH-sensitive gate have been fabricated using a standard P-well silicon technology. Sensor properties and performances are demonstrated through pH measurements. Finally, the front-side connected ChemFETs microsensors have been adapted to the detection of ions thanks to polyHEMA/siloprene-based ionosensitive membrane. Operating modes of 1SFET sensor have been optimized. Fabrication and characterization of these ion-sensitive structures have been carried out at the Laboratory for Analysis and Architecture of Systems (LAAS, Toulouse, France).Item Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратів(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.Робота присвячена створенню радіаційної стійки перетворювачів Холла, дослідженню їх при опроміненні швидкими нейтронами та використанню в магнітометричних модулях магнітних систем управління космічними апаратами.Paper is dedicated to the radiation hard Hall generators creation, to their investigation during the irradiation by fast neutrons and their application in magnetometric units of spacecraft control magnetic systems.Item Моделювання характеристики перетворення диференційного сенсора температури на біполярних транзисторах(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Бойко, О. В.Наведено алгоритм SPICE моделювання та оптимізації режимів роботи диференціального сенсора температури на біполярних транзисторах. Сигнальний перетворювач сенсора реалізовано за схемою диференціального каскаду. Виявлена істотна залежність чутливості сенсора від режимів роботи транзисторів диференціального каскаду. Показано, що домінуючим параметром, який впливає на стабільність інформативного сигналу різницевої температури, є опорна напруга на базових електродах транзисторів. Оптимальне значення опорної напруги перебуває в межах VREF0 = 1,20–1,25 В. The SPICE simulation and optimization algorithm of a differential temperature sensor based on bipolar transistors is presented. The signal transducer of the sensor is implemented on a differential stage. A significant dependence of the sensor’s sensitivity from differential stage transistor modes is revealed. It is shown that the dominant parameter that affects informative signal of differential temperature is a reference voltage on transistors base electrodes. The optimum value of the reference voltage are within VREF0 = 1.20 V...1.25 V.Item Польова характеристика сенсорів магнітного поля на розщеплених холлівських структурах(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Марусенкова, Т. А.Наведено аналіз польової характеристики сенсорів магнітного поля на розщеплених холлівських структурах. Характеризуючись рядом принципових переваг, зокрема, можливістю інтегрування у трикомпонентні (BX, BY, BZ) зонди магнітного поля з високою просторовою роздільною здатністю, такі розщеплені холлівські структури вимагають глибшого аналізу залежності вихідної напруги сенсора від вектора індукції магнітного поля. Запропоновано модель розщепленої холлівської структури, що описує паразитну магніторезистивну модуляцію польової характеристики, методику дослідження цієї модуляції та її кількісні параметри. Наводиться приклад застосування отриманих результатів під час калібрування трикомпонентних вимірювальних зондів магнітного поля. The work gives an analysis of the field characteristics of magnetic sensors on the splitted Hall structures. Having a number of advantages (including the capability to be integrated into three-component magnetic probes with high spatial resolution), such splitted Hall structures require further analysis of output voltage dependence on magnetic induction vector. Besides, this paper proposes a splitted Hall structure model describing the parasitic magnetoresisitive modulation of the field characteristic, the methodology of this modulation study and its numerical parameters. It is shown how to apply the obtained results when calibrating threecomponent magnetic probes.