Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
4 results
Search Results
Item Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.; Національний університет “Львівська політехніка”Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.Item Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.; Національний університет “Львівська політехніка”Подано огляд і узагальнення результатів експериментальних та технологічних досліджень поведінки і впливу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) на фізичні властивості бінарних напівпровідників PbTe, PbSe, GaAs та твердих розчинів на їх основі, одержаних авторами у співпраці зі своїми колегами-науковцями. Comprehansive review and generalization of the experimental and technological investigatins of the behaviour and influence of the rare-earth elements (REE) impurities on the physical properties of the binary PbTe, PbSe GaAs semiconductors and solid solutions based on them, obtained by authors in colaboration with their colleagues-scientists, are given.Item Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Національний університет “Львівська політехніка”Досліджено вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію. Показано, що легування вказаними домішками вихідних розплавів спричиняє зниження концентрації вільних електро¬нів у вирощуваних шарах з подальшою інверсією типу їх провідності з електронної на діркову по досягненні концентрацією домішки критичного рівня Ncr, який залежить від сорту домішки. Встановлено, що для Yb Ncr становить значення порядку 0,04 ат. %, а для Gd - порядку 0,022 ат. %. Аналізуються можливі причини і механізми впливу досліджуваних домішок на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. Influence of Gd and Yb rare earth impurities on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown from gallium solution-melts by LPE method is investigated. It is shown that doping of initial melts by indicated impurities causes to decreasing of free electron concentration into grown layers. The layer conductivity inverts from n- to p-type when the impurity concentration amounts to critical value Ncr depended from impurity kind. It is established that Ncr for Yb is equal to 0,04 at. % and for Gd 0,022 at. %. The possible reasons and mechanisms of investigated impurity influence on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers are analysed.Item Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Круковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив комплексного легування домішками олова, ітербію та алюмінію розчинів-розплавів галію на електрофізичні параметри шарів GaAs, вирощуваних методом РФЕ в інтервалі температур 800-600 °С. Показано, що зазначене легування дозволяє в широких межах - від 1,5-1018 см-3 до 1 1 0 16 см-3 - керувати концентрацією вільних електронів та підвищувати їх рухливості до рівня, близького до теоретичного значення для некомпенсованих матеріалів. Аналізуються можливі механізми впливу багатокомпонентного легування на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. The influence of complex doping with tin, ytterbium and aluminum of gallium solutions - melts on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown by LPE method in an interval of temperatures 800-600 °C is investigated. It is shown that mentioned doping lets to control of free carrier concentration in wide range from 1,51018 up to 1-1016 cm-3 as well as to raise their mobility to the level corresponded to theoretical value for theuncompensated material. The possible mechanisms of multicomponent doping influence on electrophysical parameters of GaAs layers are analyzed.