Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
13 results
Search Results
Item Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.; Національний університет “Львівська політехніка”Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.Item Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.; Національний університет “Львівська політехніка”Подано огляд і узагальнення результатів експериментальних та технологічних досліджень поведінки і впливу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) на фізичні властивості бінарних напівпровідників PbTe, PbSe, GaAs та твердих розчинів на їх основі, одержаних авторами у співпраці зі своїми колегами-науковцями. Comprehansive review and generalization of the experimental and technological investigatins of the behaviour and influence of the rare-earth elements (REE) impurities on the physical properties of the binary PbTe, PbSe GaAs semiconductors and solid solutions based on them, obtained by authors in colaboration with their colleagues-scientists, are given.Item Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Національний університет “Львівська політехніка”Досліджено вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію. Показано, що легування вказаними домішками вихідних розплавів спричиняє зниження концентрації вільних електро¬нів у вирощуваних шарах з подальшою інверсією типу їх провідності з електронної на діркову по досягненні концентрацією домішки критичного рівня Ncr, який залежить від сорту домішки. Встановлено, що для Yb Ncr становить значення порядку 0,04 ат. %, а для Gd - порядку 0,022 ат. %. Аналізуються можливі причини і механізми впливу досліджуваних домішок на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. Influence of Gd and Yb rare earth impurities on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown from gallium solution-melts by LPE method is investigated. It is shown that doping of initial melts by indicated impurities causes to decreasing of free electron concentration into grown layers. The layer conductivity inverts from n- to p-type when the impurity concentration amounts to critical value Ncr depended from impurity kind. It is established that Ncr for Yb is equal to 0,04 at. % and for Gd 0,022 at. %. The possible reasons and mechanisms of investigated impurity influence on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers are analysed.Item Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Круковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив комплексного легування домішками олова, ітербію та алюмінію розчинів-розплавів галію на електрофізичні параметри шарів GaAs, вирощуваних методом РФЕ в інтервалі температур 800-600 °С. Показано, що зазначене легування дозволяє в широких межах - від 1,5-1018 см-3 до 1 1 0 16 см-3 - керувати концентрацією вільних електронів та підвищувати їх рухливості до рівня, близького до теоретичного значення для некомпенсованих матеріалів. Аналізуються можливі механізми впливу багатокомпонентного легування на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. The influence of complex doping with tin, ytterbium and aluminum of gallium solutions - melts on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown by LPE method in an interval of temperatures 800-600 °C is investigated. It is shown that mentioned doping lets to control of free carrier concentration in wide range from 1,51018 up to 1-1016 cm-3 as well as to raise their mobility to the level corresponded to theoretical value for theuncompensated material. The possible mechanisms of multicomponent doping influence on electrophysical parameters of GaAs layers are analyzed.Item Радіаційно-стимульоване впорядкування гетеросистем GаAs-AlGaAs, легованих ітербієм(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Круковський, С. І.Методом низькотемпературної ФЛ (4,2 К) досліджені гетероструктури s.i.GaAs-s.i.AlxGal-xАs-nGaAs:Te з епітаксійними шарами nGaAs:Te, легованими та нелегованими ітербієм. Зразки опромінювались у-квантами 60 Со дозами 106 рад. Встановлено, що значне зменшення напівширини екситонної смуги у крайових спектрах ФЛ епітаксійних шарів nGaAs:Te:Yb зумовлено гетеруванням фонових домішок як на гетерограницях s.i.AlxGa1-xAs-nGaAs, так і на деформованих ділянках в обємі епітаксійних шарів. Утворення цих ділянок зумовлено різними ковалентними радіусами атомів Yb та атомів матриці GaAs. Максимальний ефект радіаційно-стимульованого гетерування домішок в епітаксійних шарах nGaAs досягається при концентрації Yb в розчині-розплаві галію рівній 10" ат.%. The heterostructures of s.i.GaAs-s.i.AlxGa1-xАs-nGaAs:Te with epitaxial layers of nGaAs:Te both pure and doped with Yb has been investigated by method of the low temperature photoluminescence. The samples were exposed to у-quanta 60Co by the doses of 106 Rad. Investigations of irradiated samples by mean of low-temperature photoluminescence (4,2K) have shown that a considerable decrease of exciton halfwidth in the boundary spectra, of nGaAs:Te:Yb epitaxial layers in comparison with the nGaAs:Te layer spectra, is caused by the background impurity gettering which happens on the s.i.AlxGai-xAs-nGaAs heteroboundaries as well as on the deformed region in the epitaxial layer volume. Formation of such region is caused by the difference between covalent radiuses of Yb atoms and GaAs lattice atoms. Maximum effect radiation stimulated gettering of dopants in nGaAs epitaxial layers is observed at Yb concentration being equal to (10"2-10"4) atomic fractions in solution-melt.Item Однорідність епітаксійннх структур GaAs, вирощених методом під впливом легуючої домішки Yb(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Струхляк, Н. Я.Експериментально досліджені низькотемпературні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) епітаксійних шарів арсеніду галію, вирощених методом рідинно-фазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію, легованих домішкою ітербію в діапазоні концентрацій від 1-Ю'3 до 1.2-10"2 ат. %. Показано, що характер спектрів ФЛ і якість вирощуваних структур суттєво залежать від концентрації легуючої домішки в розплаві Визначено діапазон концентрацій легуючої домішки, який дає змогу отримувати епітаксійні структури високого ступеня однорідності. Low-temperature photoluminescence (PL) spectra of GaAs epitaxial layers grown by liquid-phase epitaxy (LPE) method from gallium solution-melt doped with Yb impurity over the range of concentration from MO'3 till 1.2‘10'2 at. % are investigated. It is shown that both the characteristics of the PL spectra and quality of the grown structures are depended appreciably on concentration of the doping impurity into the solution. The range of doped impurity concentration, which enables to grow of epitaxial layers of large-scale homogeneity, is ascertained.Item Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InAs(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Круковський, Р. С.Експериментально, за методом термо-гравітаційного аналізу, досліджено лінію ліквідуса в системі Bi-InAs в інтервалі температур 750–600 °С. Експериментальні дані з розчинності арсену у вісмутових розчинах-розплавах добре узгоджуються із розрахунковими, визначеними згідно з моделлю регулярно асоційованих розчинів. Experimentally, using thermal gravity analysis, liquidus line in the system Bi-InAs at the temperature range 750-600 °C is researched. Experimental data on the solubility of arsenic in bismuth melts are relevant with estimates set by regular associated melts model.Item Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.Досліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.Item Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSb(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Круковський, Р. С.Експериментально, методом термо-гравітаційного аналізу, досліджено лінію ліквідуса в системі Bi-InSb в інтервалі температур 450–300 °С. Експериментальні дані по розчинності стібіуму у вісмутових розчинах-розплавах добре узгоджуються із розрахунковими, визначеними згідно з методом, який базується на строгій термо-динамічній моделі конденсованого стану.Experimentally, using thermal-gravity analysis, liquidus line in Bi-InSb system has been researched at 450–300 °С temperature range. Experimental data on the solubility of Sb in bismuth melts are relevant with estimates, obtained according to the method, based on accurate thermodynamic model of condensed state.Item Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структур(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.Досліджено, що в галієвих розчинах із вмістом алюмінію ≈ 0,2 ваг. % забезпечується найкраща морфологія травленої поверхні кремнієвих підкладок. Показано, що додавання алюмінію від 0 до 1,6 ваг. % у галієвий розплав забезпечує можливість кристалізації сильно легованих шарів кремнію р-типу провідності в температурному інтервалі 750–650 ºС. It is investigated, that the best chemical etching morphology of silicon substrate is provided in gallium melts with content of aluminium ≈ 0,2 weight %. It is shown that extension of aluminium from 0 to 1,6 weight % into gallium melt provides crystallization capability of heavily doped silicon layers of p-type conductivity at 750–650 ºС temperature range.