Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
4 results
Search Results
Item Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si-Ge(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Цмоць, В. М.; Литовченко, П. Г.; Литовченко, О. П.; Островський, І. П.; Павловський, Ю. В.; Tsmots’, V. M.; Litovchenko, P. G.; Litovchenko, O. P.; Ostrovskii, I. P.; Pavlovskii, Yu. V.; Міжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка; Науковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ; Національний університет “Львівська політехніка”Досліджено магнітну сприйнятливість (МС) ниткоподібних кристалів (НК) Si1-хGeх (х = 0,01-0,05) при Т = 300 К в магнітних полях 0,3–4 кЕ. Досліджено субмікронні НК, які є квазіциліндричними кристалами, і кристали з d > 3 мкм, які є голкоподібними. Встановлено, що поведінка магнітної сприйнятливості НК різного діаметра істотно відрізняється від МС об’ємного матеріалу. Отримані значення МС ниткоподібних кристалів Si-Ge пояснено особливостями їх кристалічної структури і хімічного складу.Item Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Островський, І. П.; Фружинський, М. С.; Рудий, І. 0.; Клімовська, А. І.; Національний університет “Львівська політехніка”Методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій галоїдній системі вирощені субмікронні ниткоподібні кристали (НК) Si на кремнієвих підкладках, попередньо покритих плівкою Au. Золото відігравало роль ініціатора росту НК. Температури зони джерела та кристалізації змінювалися в межах відповідно 650 - 930 °С та 400 - 700 °С. Показано, що зі зниженням температури кристалізації від 700 °С до 500 °С відбувається зменшення діаметрів НК від 0,2 - 5 мкм до 0,1 - 0,5 мкм та відповідне зменшення швидкості їх аксіального зростання. Проведено електронографічне дослідження кристалічної структури субмікронних НК. Встановлено ефект зменшення параметра гратки НК Si при зменшенні їх діаметрів від 0,5 до 0,15 мкм. Зміна параметра гратки у кристалах найменшого діамера 0,15 мкм становить 5 %. By chemical transport reaction (CTR) method in sealed halogen system submicron Si whiskers on Si substrate were grown. The substrate was previously covered with film of Au used as initiator of the whisker growth. The temperatures of evaporation zone and the temperatures of crystallization zone were 650 - 930 °С and 400 - 700 °С respectively. Reduction of the crystallization temperature from 700 °С to 500 °С was shown to cause the decrease of the whiskers’ diameter from 0,2 - 5 ^m to 0, 1 - 0,5 ^m respectively as well as correspondent reduction of the velocity of the whisker axial growth. Crystal structure of submicron whiskers was studied by use of electronograph. The decrease of the whisker lattice parameter with reduction of the whisker diameter from 0,5 to 0,1 ^m was observed. The value of the lattice parameter change in the whiskers of the least diameter 0,15 ^m was found to be 5 %.Item Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-Gе(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н.; Національний університет "Львівська політехніка"Вивченно електричні параметри НК Si-Ge в температурній області 4,2-300 К. Досліджено НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат.%, вирощених в легуючих системах з домішками B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt. Оцінено енергії активації 0,018 та 0,32 еВ у кристалах, легованих B і Zn, відповідно. У НК проявляються мікро- та макронеоднорідності. Встановлено, що НК, вирощені з домішками Hf та Au, є фоточутливі. The present paper deals with a study of Si-Ge whisker in the temperature range 4.2-300K. Si-Ge whiskers with compositions (up to 3at.% Ge) grown in doped system of B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt were under investigation. Activation energies 0,018 and 0.32eV of crystals doped with B, Zn impurities, respectively, were calculated. Micro- and macro-inhomogeneties are found in the whiskers. The whiskers doped with Hf and Au was shown to be photosensitive.Item Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет "Львівська політехніка"У роботі вивчено вплив деформації на електропровідність ниткоподібних кристалів (НК) GexSii-x (x = 0,01-0,03) в інтервалі температур 4,2-300 К. НК вирощували методом хімічних транспортних реакцій в закритій бромідній системі з використанням домішок Au і B. Досліджували сильнолеговані кристали з питомим опором р = 0,005-0,025 Омсм, який відповідає близькості зразків до переходу метал-діелектрик. Деформація зразків здійснювалася їх закріпленням на спеціально підібрані підкладки (мідь, алюміній, кварц) з відмінним від матеріалу Ge-Si коефіцієнтом термічного розширення. Виявлений гігантський п’єзорезистивний ефект в НК при кріогенних температурах. Визначений коефіцієнт тензочутливості К<111> = Ар/(р0є) становить 10,000-30,000 при 4,2 K в НК з питомим опором р = 0,012-0,018 Омсм, відповідно. З кривих а = f(1/T) були розраховані енергії активації стрибкової провідності. Обговорюються можливі причини виявленого ефекту. The present paper deals with studies of deformation influence on GexSi1-x (x = 0,01-0,03) whisker conduction in the temperature range 4,2-300 K. The whiskers were grown by chemical vapour deposition method in a sealed bromide system with use of Au and B dopants. The whiskers with resistivity р = 0,005-0,025 Q cm were under investigation. The values of resistivity are corresponded to impurity concentrations closed to the metal-insulator transition. The strain was imposed by the whisker mounting on specially selected substrates (quartz, copper, aluminium) with thermal expansion coefficient different from that in Si-Ge material. The ‘giant’ piezoresistance was found in the specimens at cryogenic temperatures. Estimated longital gauge factor G<111> = Ар/(роЄ) is equal to 10,000-30,000 at 4,2 K in the whiskers with resistivity р = 0,012-0,018 Q cm respectively. From the curves а = f(1/T) the activation energies for the hopping conductance in the whiskers have been calculated. Possible reasons of the obtain phenomena are discussed.