Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
4 results
Search Results
Item Електронні властивості алмазу з домішкою нікелю(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Cиротюк, С. В.; Швед, В. М.Розраховані густини електронних станів кристала алмазу та кристала алмазу з домішкою нікелю. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого нікелем кристала алмазу показує, що завдяки домішці нікелю вище від стелі валентної зони з’являються гібридизовані енергетичні стани p- і d-симетрії. Алмаз з домішкою нікелю стає напівпровідником з рівнями акцепторного типу. The densities of states of diamond crystal with nickel impurity have been evaluated. The comparison of the state densities for pure crystal and for crystal with impurity shows that the hybridized states of p- and d-symmetry appear above the top of the valence band. Diamond with nickel impurity becomes the semiconductor with impurity levels of acceptor type.Item Електронний енергетичний спектр кремнію з урахуванням квазічастинкових поправок(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Cиротюк, С. В.Розраховані електронні енергетичні спектри кристала кремнію у наближеннях LDA та LDA GW. Порівняння з експериментом показує, що наближення LDA GW завдяки адекватному врахуванню екранування, отриманому за допомогою формалізму функції Гріна, краще описує збуджені стани напівпровідника ніж одночастинкові теорії. The electron energy spectrum in silicon crystal has been calculated within the LDA and LDA GW approximations. Comparison with experiment shows that the LDA GW approximation, due to adequate screening, obtained using the Green's function formalism, better describes the excited states of semiconductor than the single particle approaches.Item Про важливість базисного врахування остовно-валентних кореляцій в задачі про електронний енергетичний спектр напівпровідників(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Cиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.Розраховані електронні енергетичні зони GaP у наближенні функціоналу локальної електронної густини. Матриця гамільтоніану обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. Зроблений висновок про важливість врахування в розрахунках енергетичних зон напівпровідників остовновалентних кореляцій. The electronic energy bands of GaP have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies obtained here are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic normconserving ab initio pseudopotential approach. The conclusion about importance of the core-valence correlation accounting in the energy band calculations has been made.Item Електроннa енергетичнa структура алмазу, кремнію та германію, отримана з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Cиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Швед, В. М.Розраховані електронні енергетичні спектри кристалів C, Si та Ge у наближенні функціонала локальної електронної густини з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії C, Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. The electronic energy bands of C, Si and Ge have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in C, Si and Ge obtained herе are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach.