Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
Search Results
Item Вплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Цмоць, В. М.; Литовченко, П. Г.; Литовченко, О. П.; Новиков, М. М.; Павловський, Ю. В.; Салань, В. П.; Пацай, Б. Д.; Tsmots, V. M.; Litovchenko, P. G.; Litovchenko, O. P.; Novikov, N. N.; Pavlovskii, Yu. V.; Salan, V. P.; Patsai, B. D.; Міжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка; Науковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ; Київський національний університет імені Тараса ШевченкаВивчено природу парамагнітних центрів, які утворюються в монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського, після їх високотемпературної обробки в інтервалі 650–1100 0С та повторної термообробки при 1150 0С. За даними, одержаними на основі вимірювання магнітної сприйнятливості (МС), встановлено температурні інтервали зростання та зменшення концентрації парамагнітних центрів. Методом трикристальної дифрактометрiї досліджено вміст домiшково-структурних комплексів у цих кристалах та визначено радіуси і концентрації кластерів та дислокаційних петель. Встановлено, що виявлені зміни магнітної сприйнятливості пов’язані з генерацією кисневмісних кластерів та дислокаційних петель.