(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Цмоць, В. М.; Литовченко, П. Г.; Литовченко, О. П.; Островський, І. П.; Павловський, Ю. В.; Tsmots’, V. M.; Litovchenko, P. G.; Litovchenko, O. P.; Ostrovskii, I. P.; Pavlovskii, Yu. V.; Міжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка; Науковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ; Національний університет “Львівська політехніка”
Досліджено магнітну сприйнятливість (МС) ниткоподібних кристалів (НК) Si1-хGeх
(х = 0,01-0,05) при Т = 300 К в магнітних полях 0,3–4 кЕ. Досліджено субмікронні НК, які
є квазіциліндричними кристалами, і кристали з d > 3 мкм, які є голкоподібними.
Встановлено, що поведінка магнітної сприйнятливості НК різного діаметра істотно
відрізняється від МС об’ємного матеріалу. Отримані значення МС ниткоподібних
кристалів Si-Ge пояснено особливостями їх кристалічної структури і хімічного складу.
