Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
5 results
Search Results
Item До питання про кінетику ізотермічної деградації напівпровідникової терморезисторної кераміки Cu0.1Nio.8Co2 2Mn1.904(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Шпотюк, О. Й.; Ваків, М. М.; Балицька, В. О.; Буткевіч, Б.; Пехньо, В. І.; Науково-виробниче підприємство “Карат”; Політехніка Варшавська; Институт загальної та неорганічної хімії ім. В. І. Вернадського НАН УкраїниОбговорюються результати дослідження термічної деградації терморезисторів на основі керамічних напівпровідникових композитів CuojNio.sCoo^Mni.ijO^ Встановлено, що аналітичним виразом кінетики цього процесу є релаксаційна функція ДеБаста - Джіларда або Уїльямса - Уотса. Отриманий результат підтверджує той факт, що в дисперсно-розпорядкованих системах ізотермічна деградація того чи іншого парам етра носить експоненціально-степеневий характер.Item Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках. (Короткий огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Шпотюк, О. Й.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Головчак, Р. Я.; Кавецький, Т. С.; Ковальський, А. П.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”Представлено результати дослідження впливу високоенергетичних іонізуючих випромінювань на фізичні властивості халькогенідних склоподібних напівпровідників. Зроблено короткий історичний огляд наукових шкіл з проблеми. Детально проаналізовано радіаційно-індуковані ефекти, спричинені дією у-квантів. Запропоновано мікроструктурні, топологічні та математичні підходи для пояснення механізмів виникнення та релаксації вказаних явищ. Investigations of the effect of high-energetic ionizing irradiations on physical properties of chalcogenide vitreous semiconductors are presented. Short historical review of scientific teams, working in this field, is made. Radiation-induced effects caused by the influence of у-quanta are analyzed in details. Microstructural, topological and mathematical approaches to the explanation of the mechanisms of these phenomena appearance and relaxation are proposed.Item Особливості термодеградаційних ефектів в товстих плівках змішаних оксиманганітів перехідних металів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Кпим, Г. 1.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Брунець, І. М.; Шпотюк, О. Й.Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в одношарових товстоплівкових терморезисторних елементах на основі змішаних манганітів Cuo.1Nio.sCoo.2Mn1.9O4 та Cuo.sNio.1Coo.2Mn1.9O4. Виявлено ефект термічного “шоку”, який проявляється в різкому зростанні електричного опору плівок в першому циклі їх ізотермічної витримки при 170 °С з подальшим збереженням опору на встановленому рівні під час подальшого продовження деградаційного тесту. Припускається, що природа цього ефекту аналогічна до механізму термодеградації у масивних керамічних зразках вищевказаних складіа The kinetics dependences of thermoinducational drift of electrical resistance in single¬layered thick-film thermistors basedon mixed manganices Cuo.1Nio.sCoo.2Mn19О4 and Cuo.sNio.iCoojMni 9О4 are investigated. The effect of thermal “shock” was disclosed. It is show in cutting increase of electrical resistance, in thick films on the initial stage of isothermal exposure at 170 °С with subsequent preservation of resistance on this level after continuation of degradation test. We suppose that the nature of this effect is similar to mechanism of thermodegradational in voluminous ceramic samples of analogous stores.Item Деградаційні процеси в температурно-чутливих товстоплівкових структурах(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Клим, Г. І.; Балицька, В. О.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в одно- та мультирівневих температурно-чутливих товстоплівкових структурах на основі змішаних манганітів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності) та Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності). Встановлено, що в досліджуваних товстих плівках р- та p+-типу активуються процеси вигорання залишків органічної зв'язки між зернами шпінелі та одночасне проникнення в простір металевого срібла. Такі процеси описуються стисненою експоненціально-степеневою релаксаційною функцією. Для товстоплівкових р+-р структур характерні власні деградаційні процеси, які проявляються у збільшенні електричного опору, а кінетика їх термоіндукованого старіння адекватно описується розширеною експоненціально-степеневою функцією. The kinetics dependences of thermoinducational drift of electrical resistance in single-and multilayered temperature-sensitive thick-film structures based on mixed manganices Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) are investigated. It is established, that two interconnected processes are activated during degradation test in p- and p+-type thick film - the burning-out of remainders of organic binder between contacting spinel grains with simultaneous Ag penetration into appeared free-volume space. The own degradation processes in thick-film р+-р structures show up in the increase of electric resistance. Their degradation kinetics are adequately described by the extended exponential-power-like relaxation function.Item Релаксація радіаційно-індукованого поглинання у склоподібних напівпровідниках на основі сульфідів Миш’яку та Германію(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Балицька, В. О.; Буткевіч, Б.; Ваків, М. М.; Шпотюк, О. Й.Обговорюються результати дослідження процесів часової деградації радіаційно-індукованих змін оптичних властивостей склоподібних напівпровідників системи (As2S3)x(Ge2S3)1-x при варіації середнього координаційного числа Z. Встановлено, що адекватна математична модель для опису даних процесів може бути розвинута на основі бімолекулярної релаксаційної функції, властивої для анігіляції структурних дефектів у формі протилежно заряджених аномально координованих атомів. На основі проведених розрахунків підтверджується висновок про екстремальність властивостей цих стекол при Z=2,67. The results on the time degradation of radiation-induced changes of optical properties in vitreous semiconductors of (As2S3)x(Ge2S3)1-x system at the average coordination number Z variation were discussed. It is established, that the adequate mathematical model for description of these processes could be developed at the basis of bimolecular relaxation function corresponded to annihilation of structural defects in the form of oppositively charged atoms with anomal coordination. The conclusion on the extremal character of the investigated glasses properties in the point of Z=2.67 was proved owing to fulfilled calculations.