Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Author: search.filters.author.Кособуцький, П. С.Has files: Yes

Search Results

Now showing 1 - 6 of 6
  • Thumbnail Image
    Item
    Про деякі особливості прямого і оберненого перетворення випадкових величин
    (Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-28) Кособуцький, П. С.; Ференс, Р. А.; Kosobutskyy, P.; Ferens, R.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    Завжди актуальні задачі отримання і опрацювання експериментальних результатів в складних системах. Випадкові завади, похибки вимірювань, недосконалість та обмеженість математичних моделей та алгоритмів обробки даних здатні змінювати вигляд розподілу і призводити до некоректності використання алгоритмів, наприклад, як це має місце з фільтрації по Калману в системах керування. Складні методи ідентифікації законів розподілу потребують дослідження квантових систем, природніх явищ, екологічних, біологічних, тощо процесів, для яких характерна наявність сингулярностей і багатомодовості розподілів. Тому часто для моделювання ймовірнісних розподілів експериментальних даних рекомендують застосовувати не окремі закони розподілів, а узагальнений розподіл як єдину статистичну систему, яка відомі розподіли включає в себе як окремі часткові випадки. Так узагальнений гамма-розподіл включає в себе розподіли Релея, Максвелла, Вейбулла, Леві, хі-квадрат, які широко використовують в прикладних задачах, зв’язаних із статистичними методами досліджень фізичних процесів, дистанційним зондуванням, в теорії надійності, для опису дисперсійного складу частинок дроблення та розрахунку ефективності розділення фаз у газорідинних потоках.
  • Thumbnail Image
    Item
    On the universal regularity of the numbers of generalized recurrence sequence and solutions to its characteristic equation of second order
    (Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-28) Кособуцький, П. С.; Kosobutskyy, P.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    У роботі досліджено закономірності відношень коефіцієнтів , αn βn послідовностей {αn} і {βn}, які формуються в процесі степеневого перетворення (декомпозиції) виду φn=αn ×φ+βn ділянці додатних і від’ємних показників n.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання апаратних характеристик резонансів Фабрі-Перо у спектрах відбиття і пропускання світла тонкими плівками
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Кособуцький, П. С.; Білий, Я. М.; Кособуцький, Я. П.; Каркульовська, М. С.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Розглянуто питання про визначення ширин смуг інтерференції світла тонкоплівковими резонаторами Фабрі - Перо. Встановлено нові співвідношення, які описують апаратні характеристики резонаторів.
  • Thumbnail Image
    Item
    Оптико-механічні властивості селеніду цинку
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Білинський, Ю. М.; Захар’яш, О. С.; Кособуцький, П. С.; Лахоцький, Т. В.
    Наведено результати досліджень оптико-механічних властивостей селеніду цинку. Проведено порівняльний аналіз фізичних властивостей селеніду цинку монокристалічного, полікристалічного та матричного типів, а також оптичної кераміки (КО-4). The results of tests of optic and mechanical properties of zinc selenide is presented in this paper. The comparison analysis of zinc selenide of monocryctalline, poli- crystalline and matrix type and optic ceramics (KO-4) is carried out.
  • Thumbnail Image
    Item
    Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Кособуцький, П. С.; Данилов, А. Б.; Прокопчук, О. Л.
    Проаналізовано поверхневий шар монокристалів GaAs, опромінених лазерами інфрачервоного діапазону. Проаналізовано результати застосування різних моделей розрахунку параметрів плівки. На підставі проведеного аналізу визначено профіль показника заломлення та товщини поверхневих шарів.
  • Thumbnail Image
    Item
    Еліпсометричні дослідження поверхонь кристалів GaAs i CdTe опромінених імпульсним лазером ІЧ діапазону
    (Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Данилов, А. Б.; Кособуцький, П. С.; Прокопчук, О. Л.
    Досліджено зміну оптичних сталих та товщин модифікованих шарів на поверхнях кристалів GaAs та CdTe, опромінених потужним ІЧ-лазером. Проведено аналіз поверхневої плівки з метою підбору адекватної моделі для розв’язання прямої та оберненої задач еліпсометрії. Отримано мікрофотографії поверхонь опромінених кристалів, та знято спектри ІЧ-пропускання. В результаті розв’язання оберненої задачі визначено величини показників заломлення поверхневих плівок та їх товщини в радіальному напрямі від центра лазерної плями. In the present paper the study of changes in the values of optical constants and thicknesses of modificated layers at GaAs and CdTe crystal surfaces, irradiated by powerful IR-laser was carried out. The analysis of surface films with the aim of suitable model selection to solve the direct and inverse problems of ellipsometry was performed. Microphotos of irradiated crystal surfaces were received and IR-spectra measured. As a result of inverse problem solution the values of surface film refraction indices as well as film thicknesses in radial direction from the center of laser spot were determined.