Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
6 results
Search Results
Item Дослідження кінетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі Ti1-xMoxCoSb(Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-28) Крайовський, В. Я.; Рокоманюк, М. В.; Ромака, В. А.; Ромака, Л. П.; Стадник, Ю. В.; Горинь, А. М.; Krayovskyy, Volodymyr; Rokomanyuk, Mariya; Romaka, Volodymyr; Romaka, Lyubov; Stadnyk, Yuriy; Horyn, Andriy; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. Франка; Lviv Polytechnic National University; Ivan Franko National University of LvivВиконано математичне моделювання та експериментальні вимірювання кінетичних та енергетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі термометричного матеріалу Ti1-xMoxCoSb у діапазоні температур 80–400 К. Попередні дослідження електрофізичних, енергетичних та структурних властивостей термометричних матеріалів, отриманих легуванням напівгейслерової фази TiCoSb атомами Ni та V, відповідно, показали, що вони володіють стабільними та відтворюваними характеристиками у температурному діапазоні 4,2–1000 К. Встановлено, що результати моделювання термометричних характеристик чутливих елементів на основі TiCo1-xNixSb та Ti1-xVxCoSb не узгоджувалися з результатами експериментальних вимірювань, що унеможливило їхнє використання для виготовлення чутливих елементів термометрів опору та термоелектричних перетворювачів. Моделювання електронної структури термометричних матеріалів Ti1-xMoxCoSb методом функцій Гріна (метод Корінги–Кона–Ростокера (KKR)) у наближенні когерентного потенціалу (Coherent Potential Approximation) та локальної густини (Local Density Approximation) з використанням ліцензованого програмного забезпечення AkaiKKR та SPR-KKR для обмінно- кореляційного потенціалу з параметризацією Moruzzi-Janak-Williams показало, що заміщення атомів Ti на Mo генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи (у Mo більше 3d-електронів, ніж у Ti), а в забороненій зоні поблизу зони провідності εС утворюється домішковий донорний рівень (зона) 2D e. Експериментальні вимірювання електрокінетичних характеристик термометричних матеріалів Ti1-xMoxCoSb встановили наявність високотемпературних активаційних ділянок на залежностях питомого опору ln(ρ(1/T)), що вказує на розташування рівня Фермі εF у забороненій зоні напівпровідника, а це можливо за умови генерування акцепторів, які захоплюють вільні електрони, зменшуючи їхню концентрацію, та гальмують рух рівня Фермі εF до рівня протікання зони провідності εС. Отже, легування сполуки TiCoSb домішкою Mo призводить до генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Встановлено механізми електропровідності чутливих елементів термоперетворювачів.Item Прогнозування та реалізація термоелементів електрорезистивних та термоелектричних термометрів на основі n-HfNiSn(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Крайовський, В. Я.; Ромака, В. А.Встановлено закономірності функцій перетворення електрорезистивних та термо- електричних термоелементів на основі термометричного матеріалу n-HfNiSn зі стабіль- ними та відтворюваними характеристиками у температурному діапазоні 4,2÷1600 К. Established patterns of transformation functions of electrical resistance and thermoelectric thermoelements based on thermometric material n-HfNiSn with stable and reproducible characteristics in the temperature range 4,2÷1600 K.Item Реферування текстових документів на основі зважування міри TF-IDF онтологією предметної галузі(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Литвин, В. В.; Шаховська, Н. Б.; Крайовський, В. Я.Розглянуто підхід до автоматизації реферування текстових документів на основі модифікації міри TF-IDF онтологією предметної галузі, до якої належить реферований документ. Розроблено метод реферування, який ґрунтується на такому підході. This article discusses an approach to automate summarization of text documents based on the modified TF-IDF measure domain ontology, which is refereed paper. The method of abstracting, which is based on this approach.Item Оцінка новизни знань під час автоматичної розбудови онтологій(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Литвин, В. В.; Мельник, А. С.; Крайовський, В. Я.Розглядається оцінка новизни знань під час автоматизації побудови онтології на основі аналізу текстових ресурсів. Розвиток онтології починається з деякої базової онтології, яка задає досліджувану предметну область. Розроблено алгоритм оцінки новизни знань. In the paper the evaluation of the novelty of knowledge during the automation of ontology-based text analysis resources. Development of ontology begins with some basic ontology, which specifies the subject area studied. The algorithm estimates the novelty of knowledge.Item Інтеграція неоднорідних джерел на основі аналізу метаданих(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Шаховська, Н. Б.; Крайовський, В. Я.; Могильський, Є.Описано методику інтеграції інформації з неоднорідних джерел на прикладі предметної області туризму. Розроблено схеми метаданих та методи їх опрацювання. In the article the method of information integration from heterogeneous sources based on the domain of tourismis is described. The schemas of metadatas and methods of their working are developed.Item Вплив компонент архітектури програмованого комп’ютерного пристрою на його характеристики(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Крайовський, В. Я.; Мельник, А. О.Сформовано вимоги до пам’яті сучасного комп’ютера та критерії її ефективності під час використання комп’ютера для виконання інтенсивних обчислень над масивами даних. Виконано аналіз та порівняння пам’яті сучасних комп’ютерів за вибраними критеріями. Визначено та обґрунтовано переваги та вузькі місця і недоліки пам'яті з довільним, послідовним, асоціативним та програмованим доступом. The requirements for computer memory and the criteria of its efficiency for computer using to intensive computing at data arrays are defined. The analysis and comparison of computer memory with defined criteria have been carried out. The advantages and weakness of random access memory, serial access memory, associative access memory and programmable access memory have been found out.