Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Author: search.filters.author.Лопатинський, І. Є.

Search Results

Now showing 1 - 10 of 21
  • Thumbnail Image
    Item
    Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Вірт, І. С.; Фружинський, М. С.; Кемпник, В. І.; Lopatynskii, I. Ye.; Rudyi, I. O.; Kurilo, I. V.; Virt, I. S.; Fruginskii, M. S.; Kempnyk, V. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка; НВП “Карат”
    Поверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.
  • Thumbnail Image
    Item
    Відліковий пристрій на рідких кристалах
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Павлова, Г. О.; Ракобовчук, Л. М.; Яворський, Б. М.; Lopatinsky, I. E.; Pavlova, G.; Rakobovchuk, L.; Yavorsky, B.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Розроблена конструкція аналого-дискретного відлікового пристрою, особливість якого полягає у відсутності зовнішніх джерел напруги, перетворювачів та подільників напруги. Наведено результати досліджень та розрахунків відлікових пристроїв на твістефекті та ефекті динамічного розсіювання світла.
  • Thumbnail Image
    Item
    Визначення параметрів міжґраткових обмінних взаємодій у ферит-шпінелі ni0 ,8 CUo,i6 BIo,o4 FE2 O4 за даними fe5 7 ядерного гамма-резонансу спектроскопії
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Юр ’єв, С. О.; Ющук, С. І.; Лопатинський, І. Є.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Досліджено ефект Мьосбауера в ферит-шпінелі Nio,8Cuo,16Bio,o4Fe2O4 в температурному інтервалі 295-600 К. З температурних залежностей Неф на ядрах іонів Fe3+ в А- та В-підґратках у наближенні теорії молекулярного поля визначено значення інтегралів обмінних взаємодій для магнітнонеекві-валентних іонів Fe3+ А-підґратки. Mosbauer еПегі for ferrite-spinel Nio,8Cuo,16Bio,o4Fe2O4 at temperature region 295-6oo K was carried out. In approach of molecular magnetic field on temperature dependences of Hef on Fe3+ nuclei in A- and B-sublattices the values of exchange interaction integrals for nonequivalent Fe3+ ions in A- sublattice was obtained.
  • Thumbnail Image
    Item
    Двійникування у плівках CdHgTe
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Вірш, І. С.; Фружинський, М. С.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Методом імпульсного лазерного осадження отримано плівки CdHgTe на різних підкладках. Методами електронографії та трансмісійної електронної мікроскопії досліджували початкові стадії росту плівок. Проаналізовані можливі причини двійникування в плівках та запропоновані методи уникнення двійникування на початкових стадіях формування плівок. The films of CdHgTe on alternative substrates were grown by a pulsed laser deposition technique. Study of initial stages of CdHgTe films by electron-difraction investigation and transmission electron microscopy was carried out. It is analysed the causes of the twinning effect in thin films CdHgTe. The methods of reducing the defect densities of initial stages of nucleation films were developed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Надтонка структура ЯГР спектрів та обмінні взаємодії у Y-Sc-ферит-гранатах
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Лопатинський, І. Є.; Юр’єв, С. О.; Ющук, С. І.
    Наведено результати досліджень ферит-гранатів Y3Fe5-xScxO12 (х = 0,5 та 1,0) при Т = 80 та 295 К методом 57Fe ядерної гамма-резонансної спектроскопії (ЯГР). Виявлено магнітно нееквівалентні положення тетраедричних (d) та октаедричних (а) іонів Fe3+. Магнітна нееквівалентність іонів Fe3+(d) зумовлена статистич¬ним розподілом іонів Fe3+(a) та Sc3+ (а) в найближчому оточенні іонів Fe3+(d). Магнітна нееквівалентність іонів )е3+(а) викликана неколінеарністю магнітних моментів іонів Fe3+ в найближчому тетраедричному оточенні. Показано, що перенесення спінової густини в 4-s оболонки іонів Fe3+(d) є незначним. The results of investigations of ferrite-garnet Y3Fe5-xScxO12 (x = 0,5 and 1,0) at T = 80 and 295 K by the 57Fe nuclear resonance method are presented here. Nonequivalent magnetic positions of tetrahedral (d) and octahedral (a) ions Fe3= are discovered. Magnetic non-equivalency of Fe3+(d) ions is caused by statistical distribu¬tion of Fe3+(a) and Sc3+ (a) ions in the nearest surrounding of Fe3+(d) ions. Magnetic non-equivalency of Fe3+(a) ions is caused by non-collinearity of Fe3+ ions in the nearest tetrahedral surrounding. It is shown that the transfer of spin density in 4 -s shell Fe3+(d) is slight.
  • Thumbnail Image
    Item
    Алгоритм функціонування та структура програмованого коректора характеристик однокристальних сенсорних пристроів
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Гладун, М. Р.; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Лопатинський, І. Є.; Потенцкі, Є.
    Подано результати розробки програмованого коректора характеристик для однокристальних сенсорних пристроїв. Розроблено новий алгоритм функціонування коректора, що базується на синтезі коректуючих струмів програмованою матрицею джерел струму. Принциповими рішеннями розробленої матриці є двійково-зважене масштабування струмів на латеральних p-n-p транзисторах та спеціальний алгоритм декодування комірок матриці. The results of elaboration of programmable characteristics corrector for on-chip sensor devices are presented in this paper. New algorithm of corrector functioning is elaborated. This algorithm is based on synthesis of correcting current by programmable array of current sources. The principal solutions of elaborated array are bit-power scaling of current on lateral p-n-p transistors and special algorithm for array cells decoding.
  • Thumbnail Image
    Item
    CdTe як пасивувальний шар в гетероструктурі CdTe/HgCdTe
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Вірт, І. С.; Сизов, Ф. Ф.; Михайлов, Н. Н.
    Під час виготовлення фотодетекторів на основі Hg1-хCdхTe використовують і гетероструктури цих матеріалів у вигляді тонких шарів, наприклад CdTe/Hg1-хCdхTe. У цій роботі досліджували гетероструктури – пасивувальний шар CdTe (з полікристальною і монокристальною структурами) та активну монокристалічну плівку Hg1-хCdхTe, отримані методом молекулярно-променевої епітаксії. Cтруктуру пасивувальних шарів досліджували методом дифракції електронів високих енергій на відбиття. Для вивчення впливу структури пасивувального покриття на властивості активного шару застосовували метод X-променевої дифрактометрії. Виміряно сталу кристалічної решітки активного шару плівки. Механічні властивості гетероструктур досліджували методом мікротвердості. Подано електрофізичні та фотоелектричні параметри епітаксійних плівок Hg1 хCdхTe. There is an increasing interest in the use of CdTe and Hg1-xCdxTe compounds as a base for infrared detectors. Thin films heterostructures CdTe/ Hg1-xCdxTe are very often used in the photodetectors fabrication process. In present work we investigated he-terostructures consisting of molecular beam epitaxy grown monocrystalline Hg1-xCdxTe active film with either monocrystalline or polycrystalline passivation CdTe layer. The structural properties and surface morphology of passivating layers were studied by reflection high-energy electron diffraction method. The influence of passivation layer structure on the properties of active film was also studied by means of XRD technique and the lattice parameter of active layer was determined. The mechanical properties of heterostuctures were investigated by microhardness method. Electrophysical and photoelectric parameters of epitaxial Hg1-xCdxTe films were measured.
  • Thumbnail Image
    Item
    Перехідні шари в гетероструктурах на основі CdHgTe
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Курило, l. B.; Рудий, І. 0.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Власенко, З. К.
    Методами електронографії, растрової та трансмісійної електронної мікроскопії, електронної Оже-спектроскопії, мікромеханічних досліджень та селективного хімічного травлення досліджували початкові стадії росту та формування перехідних шарів гетероструктур на основі CdHgTe, вирощених ізотермічною парофазною епітаксією та імпульсним лазерним осадженням. By electron diffraction, scanning and transmission electron microscopy, Auger-electron apectroscopy, micromechanical investigation and preferencial etching the initial stages of growth and the formation of the transition layers in heterostructures CdHgTe were investigated. The heterostructures were grown by isothermal vapor phase epitaxy and pulsed laser deposition.
  • Thumbnail Image
    Item
    Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивості
    (Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Войцеховський, А. В.; Вірт, І. С.; Коханенко, А. П.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.
    Методами дифракції електронів високих енергійна відбивання та растрової електронної мікроскопії досліджена структура та морфологія поверхні епітаксійних плівок (ЕП) CdHgTe, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на підкладках Si (111) та GaAs (112) з буферними шарами.Досліджено деякі механічні невідповідності в багатошарових гетероструктурах, у тому числі й структурах з анодним оксидом.Подано результати досліджень деяких електрофізичних та фотоелектричних властивостей ЕП. The crystal structures and surface morphology of CdHgTe epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy on Si (111) and GaAs (112) substrates with buffer layers by the electron diffraction methob and electron scanning microscopy were investigated.Some mechanical properties epitaxial films, elastic properties of interfaces and characteristic misfit dislocations in multilayers heterostructures including structures with anodi oxides are investigated.Electrophysical and photoelectric parameters of CdHgTe epitaxial films were measured.
  • Thumbnail Image
    Item
    Структура та електропровідність спресованих матеріалів на основі оксиду цинку
    (Видавництво Львівської політехніки, 2010) Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Фружинський, М. С.; Фадєєв, С. В.; Вірт, І. С.; Гадзаман, І. В.
    Досліджено структурні та електричні властивості спресованих твердих розчинів Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxO та Zn1-xCrxO, отриманих за методом твердофазних реакцій. За методом рентгенівської дифрактометрії проведено фазовий аналіз та досліджено структуру зразків. За допомогою методу скануючої електронної мікроскопії встановлено середні розміри зерен зразків на основі ZnO та виконано рентгеноспектральний аналіз їх елементного складу. Температурні залежності питомого опору порошкових матеріалів вимірювали в температурному інтервалі 300–555 К. Одержано значення енергій активації в різних інтервалах температур, які відповідають донорним енергетичним рівням. Structural and electric properties of compressed solid solution Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxOт and Zn1-xCrxO, obtained by a method solid-state reactions have been (were) investigated. The structure and the phase compositions of the samples were investigated by X-ray diffraction method. The average sizes of grains of sintered samples on the basis of ZnO and the analysis of their element structure was measured using by scanning electron microscopy. Temperature dependences of unit-area (specific) resistance of powder materials was measured in the temperature range 300–555 K. The values energy activation in various intervals of temperatures which correspond to donor power levels were received.