Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
3 results
Search Results
Item Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Баран, М. М.; Пелещак, P. M.; Лукіянець, Б. А.; Національний університет "Львівська політехніка"У рамках зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації залежно від ступеня заповнення зони провідності. Показано, що із зростанням ступеня заповнення зони провідності ізоконцентраційні лінії стискуються вздовж дислокаційної площини. А з наближенням до ядра дислокації ізоелектронно- концентраційним лініям відповідають більші густини заряду. In frames of a zone model taking into account electron-deformation interaction, the izoelectronic-concetrational lines are counted up around the edged dislocation depending on the filling in degree of conduction zone.There is shown that with the growth of filling in degree of conduction zone,the izoconcentrational lines are squeezed along the dislocation square on. There is also shown that with the approaching to the nucleus of dislocation, more denses of charge refer to izoelectronic-concentrational lines.Item Вплив електронної підсистеми на енергетичне положення локалізованих рівнів на крайовій дислокації(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Баран, М. М.; Пелещак, P. M.; Лукіянець, Б. А.У межах однозонної моделі з врахуванням самоузгодженої електрон-деформаційної взаємодії досліджено вплив концентрації електронів провідності на енергію локалізованого стану електрона на крайовій дислокації. Показано, що у слаболегованих напівпровідниках ( < 1017слГ3 j з ростом концентрації електронів провідності дно зони провідності зсувається в бік менших енергій, а в сильнолегованих (7 <п0 <1019ои_3 j енергетичний зсув дна зони провідності має немонотонний характер. In the frames of single zone model including interchangeable electron-differential interaction, the influence of electron resistance concentration on the energy of electron localized stage is researched on the edged dislocations. It in shown, that in the little resistance electron concentration semiconductors with its growth of electron resistance concentration ( < 1017 cm“3 ) the bottom of resistance zone moves to the side of less energies, and in the large resistance electron concentration semiconductors (17 < щ <1019слГ3j, the energetic movement of the bottom of resistance zone has unmonotonous character.Item Молекулярне розпізнавання і термодинамічні особливості Li+ - інтеркаляційного струмоутворення у супрамолекулярних ансамблях ієрархічної архітектури МСМ-41<сrown>(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Матулка, Д. В.; Григорчак, І. І.; Лукіянець, Б. А.Синтезовано дублетноматричні ієрархічні структури конфігурації <молекулярно-граткова матриця МСМ-41<18-crown-6>> та МСМ-41<12-crown-4>>. Їх застосування в катодному процесі Li+ - інтеркаляційного струмоутворення показало істотне підвищення зміни вільної енергії Гіббса реакції покращення структури розрядної кривої порівняно з вихідною кремнеземовою матрицею. Doublet matrix hierarchical structures of configurations > and > were synthesized. Their application in Li+-process of the intercalated current generation reaction shows essential growth of the Gibbs energy change in the reaction and improvement of the discharge process compared with siliceous matrix the lithium was practically stable for both hierarchical structures during whole discharge process.