Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
15 results
Search Results
Item Аналіз похибок визначення просторових координат джерела акустичних сигналів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Романишин, Ю. М.; Спіченков, С. Ю.; Павлиш, В. А.; Корж, Р. О.; Національний університет “Львівська політехніка”Проведено аналіз похибок обчислення просторових координат джерела акустичних сигналів під час їх визначення за допомогою мікрофонної антенної решітки на основі імітаційного моделювання похибок вхідних даних. На основі проведеного аналізу для двох варіантів обчислювальних процедур (з використанням неповної системи рівнянь та методу найменших квадратів) встановлено межі похибок вхідних даних, за яких похибки визначення координат джерела сигналу не перевищують заданого значення.Item Дефектність структур електронних засобів та проблема адекватності її розрахунку(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001-03-27) Павлиш, В. А.; Данчишин, І. В.; Корж, Р. О.; Вишняков, Д. В.; Національний університет "Львівська політехніка"Запропоновано модель розрахунку виходу придатних кристалів інтегральних схем із врахуванням дво- та тривимірної дефектності мікроструктур електронних засобів.Item Моделювання поширення електромагнітних хвиль у волокнах на фотонних кристалах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2004-02-18) Павлиш, В. А.; Закалик, Л. І.; Корж, Р. О.; Національний університет “Львівська політехніка”Розглянуто поширення електромагнітних хвиль у фотонних кристалах, які мають діркову періодичну структуру і є діелектричними матеріалами. При розрахунку використовуємо рівняння Максвелла з врахуванням періодичної зміни діелектричної проникливості і існування забороненого спектра частот.Item Поле антенної решітки ромбічних випромінювачів на основі щілинної лінії передавання(Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.; Ліске, О. М.; Тепляков, І. Ю.; Hoblyk, V. V.; Pavlysh, V. A.; Liske, O. M.; Teplyakov, I. Yu.; Національний університет “Львівська політехніка”; кафедра електронних засобів інформаційно-комп’ютерних технологій; Lviv Polytechnic National University; Department of Electronics and Computer TechnologiesРозглянуто планарну антену у вигляді решітки ромбічнихщілинних випромінювачів, що живляться полем біжучих хвиль, створено її фізичну модель і експериментально досліджено електродинамічні характеристики. Експериментально досліджено коефіцієнт сповільнення і коефіцієнт загасання хвилі в щілинний лінії передачі. Проаналізовано результати експериментальних досліджень. Розроблено схему живлення антенної решітки, що забезпечує синфазність збудження щілинних ромбічних випромінювачів, завдяки чому отримана діаграма спрямованості має односпрямований характер.Item Моделювання електричних характеристик нанорозмірного транзистора(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Павлиш, В. А.; Закалик, Л. І.; Корж, Р. О.; Доскоч, З. І.Розглянуто можливість формалізації фізичних процесів в одноелектронному транзисторі (ОЕТ). З усіх розглянутих методів моделювання нанотранзисторів найбільш близькою до реальних умов роботи цих елементів є функція Гріна для неврівноважених процесів, оскільки вона враховує квантову природу електрона за рахунок поєднання Гамільтоніана і хвильової функції Шредінгера. Це дає можливість через функцію Гріна моделювати електричні характеристики ОЕТ. Ця робота ще вдосконалюється, але перші результати близькі до реальних характеристик. Theoretical modeling of physical processes in one-electron transistor (OET) is considered in present article. Among all considered theoretical methods for nanotransistors modeling most close to real operation of this element is Green function for non-equilibrium processes because it considers quantum nature of electron combining Hamiltonian and Schrödinger wave function. This allows modeling of OET electric characteristics through Green function. Present work is in process but first results are very close to real characteristics.Item Нанорозмірні хвилеводи поверхневих плазмон-поляритонів, отримані методом оптичної літографії(Видавництво Львівської політехніки, 2015) Невінський, Д. В.; Павлиш, В. А.; Закалик, Л. І.; Лебідь, С. Ю.Запропоновано метод поетапної оптичної літографії з використанням як джерела світловипромінювальних діодів (СВД) з довжинами хвиль 410 нм та 365 нм для отримання діелектрично-неоднорідних хвилеводів. Досліджено поширення поверхневих плазмон-поляритонів у разі збудження початку хвилевода за допомогою лазера на довжині хвилі 632,8 нм. Отримано зображення Фур’є, яке підтверджує виникнення поверхневого плазмон-поляритона. The paper presents a method of phased optical lithography using as source, lightemitting diodes (LED) with wavelengths of 410 nm and 365 nm to form inhomogeneous dielectric waveguides. Distribution of surface plasmon polaritons, at the beginning of the excitation of the waveguide with 632.8 nm laser was studied. Fourier image confirming occurrence of surface plasmon polaritons was obtained.Item Модель перехідної ділянки між внутрішнім і зовнішнім виводом ІС та її характеристики(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2006) Юрченко, Л. Д.; Дячок, Д. Т.; Павлиш, В. А.Розглянуто модель перехідної ланки між контактною площинкою підкладки і зовнішнім виводом інтегральної схеми. Наведено формули, що описують її параметри – опір, час затримки, стала часу дільниці, тривалість перехідного процесу і її втрати. Розраховано залежність втрат від частоти. Показано, що втрати на частотах до 3 ГГц задовольняють працездатність дільниці. Визначено, що час затримки на дільниці слабко залежить від активної складової її опору. На нижчих частотах ця залежність зростає, але сам час затримки при цьому зменшується. The article considers the model of the transition area between the substrate pad and the IC external terminal. There are presented the formulae describing its parameters: resistance, delay time, area time constant, transient process duration and its loss. The dependence of the loss on the frequency is calculated. It is shown that the loss at frequencies up to 3 GHz satisfy the area operability. It is found that delay time in the area depends negligibly on its resistance active component. At lower freguencies this dependence increases while the delay time decreasesItem Нелінійні властивості фотонних кристалів: симуляційні методи передбачення релаксаційних напружень(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Павлиш, В. А.; Закалик, Л. І.; Корж, Р. О.Проаналізовано нелінійні властивості фотонних кристалів залежно від вибору матеріалу та методів їх отримання, а також фактори, які призводять до погіршення коефіцієнта нелінійності під час виготовлення та їхньої реалізації в комунікаційних системах. Analysis of non-linear properties of photon crystals depending on material choice and fabrication methods is conducted in current work. Factors leading to coefficient of nonlinearity decrease during their fabrication and during their application in communication systems areanalysed as well.Item Обґрунтування локалізації небезпечних зон витоку інформації в екранованому серверному приміщенні(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.; Ніколаєв, Д. А.Наведено результати обґрунтування локалізації небезпечних зон витоку інформації в екранованому серверному приміщенні. Продемонстровано, що опис електромагнітної обстановки у серверному приміщенні на основі класичної моделі у вигляді прямокутного об’ємного резонатора помітно відрізняється від опису, побудованого на основі варіаційних методів для внутрішніх задач електродинаміки, який адекватніший реальній фізичній обстановці. Justification of the area localisation with data leak hazard in a shielded server room is provided in this paper. The difference between classic rectangular cavity model and more appropriate by its physical and spatial description technique based on variational methods for internal problems of electrodynamics is illustrated by an example.Item Спосіб вимірювання опору контактного з'єднання мікродроту і плівкового провідника(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Дячок, Д. Т.; Павлиш, В. А.; Смеркло, Л. М.Розглянуто питання вимірювання електричного опору мікроконтактного з'єднання дроту і плівкового провідника в інтегральних мікросхемах і мікроскла- даннях. Запропоновано спосіб, який підвищує точність вимірювання. The problems of measurement of electrical resistance of mikrocontact connection of wire and film conductor in integrated microcircuits and microassemblies are considered. The new method which improves measuring precision is proposed.