Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
6 results
Search Results
Item Дослідження кінетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі Ti1-xMoxCoSb(Видавництво Львівської політехніки, 2019-02-28) Крайовський, В. Я.; Рокоманюк, М. В.; Ромака, В. А.; Ромака, Л. П.; Стадник, Ю. В.; Горинь, А. М.; Krayovskyy, Volodymyr; Rokomanyuk, Mariya; Romaka, Volodymyr; Romaka, Lyubov; Stadnyk, Yuriy; Horyn, Andriy; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. Франка; Lviv Polytechnic National University; Ivan Franko National University of LvivВиконано математичне моделювання та експериментальні вимірювання кінетичних та енергетичних характеристик чутливих елементів термоперетворювачів на основі термометричного матеріалу Ti1-xMoxCoSb у діапазоні температур 80–400 К. Попередні дослідження електрофізичних, енергетичних та структурних властивостей термометричних матеріалів, отриманих легуванням напівгейслерової фази TiCoSb атомами Ni та V, відповідно, показали, що вони володіють стабільними та відтворюваними характеристиками у температурному діапазоні 4,2–1000 К. Встановлено, що результати моделювання термометричних характеристик чутливих елементів на основі TiCo1-xNixSb та Ti1-xVxCoSb не узгоджувалися з результатами експериментальних вимірювань, що унеможливило їхнє використання для виготовлення чутливих елементів термометрів опору та термоелектричних перетворювачів. Моделювання електронної структури термометричних матеріалів Ti1-xMoxCoSb методом функцій Гріна (метод Корінги–Кона–Ростокера (KKR)) у наближенні когерентного потенціалу (Coherent Potential Approximation) та локальної густини (Local Density Approximation) з використанням ліцензованого програмного забезпечення AkaiKKR та SPR-KKR для обмінно- кореляційного потенціалу з параметризацією Moruzzi-Janak-Williams показало, що заміщення атомів Ti на Mo генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи (у Mo більше 3d-електронів, ніж у Ti), а в забороненій зоні поблизу зони провідності εС утворюється домішковий донорний рівень (зона) 2D e. Експериментальні вимірювання електрокінетичних характеристик термометричних матеріалів Ti1-xMoxCoSb встановили наявність високотемпературних активаційних ділянок на залежностях питомого опору ln(ρ(1/T)), що вказує на розташування рівня Фермі εF у забороненій зоні напівпровідника, а це можливо за умови генерування акцепторів, які захоплюють вільні електрони, зменшуючи їхню концентрацію, та гальмують рух рівня Фермі εF до рівня протікання зони провідності εС. Отже, легування сполуки TiCoSb домішкою Mo призводить до генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Встановлено механізми електропровідності чутливих елементів термоперетворювачів.Item Аналіз процесу управління ризиками інформаційної безпеки в процесі забезпечення властивості живучості систем(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Гарасим, Ю. Р.; Ромака, В. А.; Рибій, М. М.Запропоновано підхід до вирішення завдання управління ризиками інформаційної безпеки в процесі забезпечення властивості живучості систем. Розглядається приклад неперервності функціонування систем захисту інформації у корпоративних мережах зв’язку. Запропоновано алгоритм кількісної оцінки ризиків на базі NIST 800-30, CRAMM, OCTAVE. The paper considers information security risk management problem solving approach during enterprise communication network information security system continuity functioning providing. The information security risk management methodology based on NIST 800-30, CRAMM, OCTAVE is improved and the quantitative risk assessment algorithm is proposed.Item Забезпечення живучості та неперервності функціонування систем захисту інформації(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Гарасим, Ю. Р.; Рибій, М. М.; Ромака, В. А.Запропоновано підхід до вирішення завдання забезпечення живучості та неперервності функціонування систем захисту інформації (СЗІ) у корпоративних мережах зв’язку (КМЗ). Детально проаналізовано процес відновлення функціонування СЗІ в КМЗ та визначено його параметри. Вирішено завдання визначення рівня залежності між режимами роботи СЗІ в КМЗ із застосуванням теорії складності обчислень. Обґрунтовано процес визначення економічної ефективності вибраної стратегії забезпечення живучості та неперервності функціонування СЗІ в КМЗ.The paper consider enterprise communication network (ECN) information security system (ISS) survivability property and continuity functioning providing problem solving approach. Enterprise communication network ISS functioning recovery process analyzed in detail. Defined its parameters. Enterprise communication network ISS modes dependence degree definition problem solved using computational complexity theory. Enterprise communication network ISS survivability property and continuity functioning providing economic efficiency of chosen strategy determining process justified.Item Прогнозування та реалізація термоелементів електрорезистивних та термоелектричних термометрів на основі n-HfNiSn(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Крайовський, В. Я.; Ромака, В. А.Встановлено закономірності функцій перетворення електрорезистивних та термо- електричних термоелементів на основі термометричного матеріалу n-HfNiSn зі стабіль- ними та відтворюваними характеристиками у температурному діапазоні 4,2÷1600 К. Established patterns of transformation functions of electrical resistance and thermoelectric thermoelements based on thermometric material n-HfNiSn with stable and reproducible characteristics in the temperature range 4,2÷1600 K.Item Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Ромака, В. А.; Крайовський, Р.; Ромака, Л. П.Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури та розподілу електронної густини інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Y) = 0 ÷ 0,25. Зроблено висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF) Zr1-xYxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів. Influence of p-dopant of Y is іnvestigational on the change of crystalline structure and distributing of electronic closeness of intermetallic semiconductor of n-ZrNiSn in the concentration region of х(Y) = 0 ÷ 0,25. Conclusions are done about the pattern of behaviour of level Fermi (εF) Zr1-xYxNiSn, mechanisms of management position of εF and thermoelectric thermocouples.Item Електронна структура та електрокінетичне дослідження термоелектрично матеріалу TiNi1-XCoXSn(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Ромака, В. А.; Домінюк, Т. І.; Стадник, Ю. В.; Ромака, Л. П.Розраховано розподіл електронної густини та досліджено температурні і концентраційні залежності питомого електроопору, коефіцієнта термо-ЕРС, структурні та енергетичні характеристики TiNi1-xCoxSn у діапазонах, Т = 80 ÷ 380 К, х = 0 ¸ 0,1. The structural descriptions and density of electron states calculation, electrotransport and crystal structure characteristics of TiNi1-xCoxSn intermetallic semiconductor in ranges, T = 80 ¸ 380 K and x = 0 ¸ 0,1, respectively were investigated.