Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
10 results
Search Results
Item Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Вірт, І. С.; Фружинський, М. С.; Кемпник, В. І.; Lopatynskii, I. Ye.; Rudyi, I. O.; Kurilo, I. V.; Virt, I. S.; Fruginskii, M. S.; Kempnyk, V. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка; НВП “Карат”Поверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.Item Двійникування у плівках CdHgTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Вірш, І. С.; Фружинський, М. С.; Національний університет "Львівська політехніка"Методом імпульсного лазерного осадження отримано плівки CdHgTe на різних підкладках. Методами електронографії та трансмісійної електронної мікроскопії досліджували початкові стадії росту плівок. Проаналізовані можливі причини двійникування в плівках та запропоновані методи уникнення двійникування на початкових стадіях формування плівок. The films of CdHgTe on alternative substrates were grown by a pulsed laser deposition technique. Study of initial stages of CdHgTe films by electron-difraction investigation and transmission electron microscopy was carried out. It is analysed the causes of the twinning effect in thin films CdHgTe. The methods of reducing the defect densities of initial stages of nucleation films were developed.Item CdTe як пасивувальний шар в гетероструктурі CdTe/HgCdTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Вірт, І. С.; Сизов, Ф. Ф.; Михайлов, Н. Н.Під час виготовлення фотодетекторів на основі Hg1-хCdхTe використовують і гетероструктури цих матеріалів у вигляді тонких шарів, наприклад CdTe/Hg1-хCdхTe. У цій роботі досліджували гетероструктури – пасивувальний шар CdTe (з полікристальною і монокристальною структурами) та активну монокристалічну плівку Hg1-хCdхTe, отримані методом молекулярно-променевої епітаксії. Cтруктуру пасивувальних шарів досліджували методом дифракції електронів високих енергій на відбиття. Для вивчення впливу структури пасивувального покриття на властивості активного шару застосовували метод X-променевої дифрактометрії. Виміряно сталу кристалічної решітки активного шару плівки. Механічні властивості гетероструктур досліджували методом мікротвердості. Подано електрофізичні та фотоелектричні параметри епітаксійних плівок Hg1 хCdхTe. There is an increasing interest in the use of CdTe and Hg1-xCdxTe compounds as a base for infrared detectors. Thin films heterostructures CdTe/ Hg1-xCdxTe are very often used in the photodetectors fabrication process. In present work we investigated he-terostructures consisting of molecular beam epitaxy grown monocrystalline Hg1-xCdxTe active film with either monocrystalline or polycrystalline passivation CdTe layer. The structural properties and surface morphology of passivating layers were studied by reflection high-energy electron diffraction method. The influence of passivation layer structure on the properties of active film was also studied by means of XRD technique and the lattice parameter of active layer was determined. The mechanical properties of heterostuctures were investigated by microhardness method. Electrophysical and photoelectric parameters of epitaxial Hg1-xCdxTe films were measured.Item Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивості(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Войцеховський, А. В.; Вірт, І. С.; Коханенко, А. П.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Методами дифракції електронів високих енергійна відбивання та растрової електронної мікроскопії досліджена структура та морфологія поверхні епітаксійних плівок (ЕП) CdHgTe, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на підкладках Si (111) та GaAs (112) з буферними шарами.Досліджено деякі механічні невідповідності в багатошарових гетероструктурах, у тому числі й структурах з анодним оксидом.Подано результати досліджень деяких електрофізичних та фотоелектричних властивостей ЕП. The crystal structures and surface morphology of CdHgTe epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy on Si (111) and GaAs (112) substrates with buffer layers by the electron diffraction methob and electron scanning microscopy were investigated.Some mechanical properties epitaxial films, elastic properties of interfaces and characteristic misfit dislocations in multilayers heterostructures including structures with anodi oxides are investigated.Electrophysical and photoelectric parameters of CdHgTe epitaxial films were measured.Item Структура та електропровідність спресованих матеріалів на основі оксиду цинку(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Фружинський, М. С.; Фадєєв, С. В.; Вірт, І. С.; Гадзаман, І. В.Досліджено структурні та електричні властивості спресованих твердих розчинів Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxO та Zn1-xCrxO, отриманих за методом твердофазних реакцій. За методом рентгенівської дифрактометрії проведено фазовий аналіз та досліджено структуру зразків. За допомогою методу скануючої електронної мікроскопії встановлено середні розміри зерен зразків на основі ZnO та виконано рентгеноспектральний аналіз їх елементного складу. Температурні залежності питомого опору порошкових матеріалів вимірювали в температурному інтервалі 300–555 К. Одержано значення енергій активації в різних інтервалах температур, які відповідають донорним енергетичним рівням. Structural and electric properties of compressed solid solution Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxOт and Zn1-xCrxO, obtained by a method solid-state reactions have been (were) investigated. The structure and the phase compositions of the samples were investigated by X-ray diffraction method. The average sizes of grains of sintered samples on the basis of ZnO and the analysis of their element structure was measured using by scanning electron microscopy. Temperature dependences of unit-area (specific) resistance of powder materials was measured in the temperature range 300–555 K. The values energy activation in various intervals of temperatures which correspond to donor power levels were received.Item Магнітні властивості плівок ZnMeO (Me = Cr, Co), отриманих методом імпульсного лазерного осадження(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Вірт, І. С.; Павловський, Ю. В.; Цмоць, В. М.,; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Наведено результати досліджень структури плівок ZnМеO, отриманих методом імпульсного лазерного осадження. Структуру плівок досліджували методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Методом Фарадея досліджено залежності магнітної сприйнятливості від напруженості магнітного поля плівок твердих розчинів Zn1-хCoхO та Zn1-хCrхO (х=0,04). У межах Ланжевенівського парамагнетизму здійснено моделювання експериментальних кривих і визначено концентрації, магнітні моменти та розміри кластерів флуктуацій неоднорідностей твердого розчину. The results of experimental investigation of structural films ZnМеO, are presented in this work. Thr structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. By Faradey's method were investigated the dependences of a magnetic susceptibility of tension of magnetic field of films Zn1-хCoхO and Zn1-хCrхO of solid solutions (х=0,04), obtained by pulsed laser deposition. Within Langeven paramagnetic modeling of experimental curves is carried out and concentration, the magnetic moments and the sizes of clusters of fluctuations of not uniformity of solid solution are defined.Item Структурні та оптичні властивості тонких плівок ZnO ТА ZnMnO(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Потера, П.; Лука, Г.Наведено результати досліджень структури та оптичних властивостей тонких плівок ZnO та ZnMnO. Методом імпульсного лазерного осадження в інтервалі температур 300–473 K отримано плівки різної товщини на підкладки зі скла, Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 Торр. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм залежно від числа імпульсів лазера. Структуру масивного матеріалу мішені досліджено методом Х-променевої дифрактометрії. Структуру плівок досліджували методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Досліджено оптичне пропускання, оптичне поглинання та фотолюмінесценцію плівок ZnO та ZnMnO, осаджених за різних температур. The results of experimental investigation of structural and optical properties of ZnO and ZnMnO films are presented in this work. The films of ZnO and ZnMnO of different thickness were obtained on Al2O3, glass and KCl substrates in vacuum of 1×10-5 Torr by the pulsed laser deposition method. The samples were obtained by the substrate temperature 300–473 K. A thickness of films was in the range of 0.5–1 μm depending on the number of laser pulses. The structure of target bulk materials was investigated by X-ray diffraction method. A structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. The light transmission, absorption and photoluminescence spectra of ZnO and ZnMnO deposited at various temperatures films were investigated.Item Структура та електричні властивості тонких плівок Bi2Te3, Sb2Te3 та надструктур Bi2Te3 / Sb2Te3, отриманих імпульсним лазерним осадженням(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Шкумбатюк, Т. П.Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та надрешітки Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм. рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Досліджено структуру об’ємного матеріалу мішеней за допомогою методу рентгенівської дифрактометрії. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and superlattices structures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5 Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of bulk materials of target was investigated by X-ray diffraction method. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K.Item Тонкоплівкові термоелектричні модулі на основі вузькощілинних напівпровідників V2VI3(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Шкумбатюк, Т. П.Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та гетероструктури Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Теплопровідність тонких плівок вимірювали за допомогою 3-ω методу. Наведено характеристики створеного термогенератора на основі термоелектричного модуля. Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and heterostructures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5. Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K. The thermal conductivity of thin films was obtained by employing the 3-ω method. The present work reports the fabrication and characterization of a thermogenerator based on the principles of thermoelectric module.Item Аналіз кристалічної структури плівок власних оксидів hgcdte ta pbsnte(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Берченко, І. О.; Вірт, І. С.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Робота присвячена вивченню структури оксидів HgCdTe та PbSnTe, вирощених різними методами. Як вихідні матеріали використовували епітаксійні шари HgCdTe та PbSnTe. Анодні оксиди вирощували за допомогою стандартної методики, а хемічні оксиди – з розчину H2O2–KOH. Їхню структуру досліджували за допомогою методу дифракції електронів високих енергій на відбиття (ДЕВЕВ). Установлено, що тільки оксиди, отримані природним оксидуванням в повітрі за кімнатної температури можна вважати повністю аморфними. Усі інші були полікристалічними. Середній розмір зерен визначено за формулою Шеррера. Методами ДЕВЕВ, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії та Оже-спектроскопії встановлено, що основними компонентами анодних оксидів HgCdTe та PbSnTe є CdTeO3 та PbTeO4, що добре узгоджується з літературними даними щодо теоретичних розрахунків фазових рівноваг у системах Hg(Pb)–Cd(Sn)–Te–O. Мікроіндентуванням установлено, що анодний оксид HgCdTe підвищує мікротвердість, тоді як для PbTe анодний та хемічні оксиди знижують значення мікротвердості. The aim of this work is to determine the structure of native oxides of HgCdTe and PbSnTe grown by different methods. The starting materials were epitaxial layers HgCdTe and PbSnTe. Anodic oxides were fabricated under standard conditions, and chemical oxides were grown in H2O2–KOH solution. The oxide films have been studied by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Only oxides obtained through natural oxidation in ambient air at room temperature were found to be completely amorphous. All other oxides must be rated as polycrystalline, and the average size of crystallites was determined for them using Scherrer’s formula. CdTeO3 and PbTeO3 may be considered such components in HgCdTe and PbTe anodic oxides correspondingly that is well agreed with predictions based on the phase equilibria in Hg(Pb)–Cd(Sn)–Te–O systems as well as XPS and AES results previously obtained. By using the microindentation technique the microhardness in the semiconductor layer underlying oxides was investigated. It was determined that for HgCdTe anodic oxide, the microhardness is always increased while for PbTe, both anodic and chemical oxidation decreases the microhardness.