Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
5 results
Search Results
Item Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.Наведені результати вирощування методом хімічних транспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs з використанням в якості транспортера хлористого водню в закритому ампульному реакторі. Розроблені технологічні режими дали змогу отримати мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs в широкому діапазоні складів: 0,3≤x≤0,8. Подано результати дослідження електрофізичних параметрів вирощених кристалів GaxIn1-xAs. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in hydrogen chloride environment by chemical transport reactions method in closed ampoule reactor are presented. The developed technological modes made it possible to obtain GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in a wide range of compositions 0.3≤x≤0.8. Results of investigation into electrophysical parameters of obtained GaxIn1-xAs crystals are presented.Item Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерів(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Серкіз, Р. Я.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.Наведено результати розроблення відтворюваної технології вирощування віскерів напівпровідникових сполук методом хімічних транспортних реакцій. Основою цієї технології є поетапність вирощування віскерів та поєднання в єдиному технологічному процесі кінетичного та дифузійного режимів росту. Ця технологія дозволяє отримувати високоякісні монокристалічні напівпровідникові віскери потрібних розмірів. Results of developing a reproducible technology for growing whiskers of semiconductor compounds by chemical transport reaction method are presented. The basis of the technology is its three-stage whisker growth and combination of kinetic and diffusive growth modes in single technologic cycle. The technology in question makes it possible to produce monocrystal semiconductor whiskers of high quality with required length and crosswise dimensions.Item Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Стецко, Р. М.Наведено результати вирощування мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs за механізмом пара-рідина-кристал (ПРК-механізмом) методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. Отримано мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs зі складом 0,30≤x≤0,41, який був визначений за допомогою рентгенівського мікроаналізу. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system are represented. GaxIn1-xAs solid solution microcrystals with 0.30≤x≤0.41 composition, which was determined by X-ray microanalysis, were obtained.Item Термодинамічний аналіз газової фази системи Ge-I2(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.Подано модель газової фази для вирощування мікрокристалів германію, легованих акцепторною домішкою індію. Проведено термодинамічний аналіз складу газової фази хімічних сполук, що утворюються у результаті взаємодії напівпровідникових матеріалів Ge та In з транспортним реагентом I2. Оцінена ефективність перебігу хімічних реакцій у системі за заданих умов та визначені оптимальні температури вирощування мікрокристалів. The model of gas phase for undoped germanium microcrystals doped with indium acceptor impurity was presented. Thermodynamic analysis of chemical compounds’ gas phase formed as a result of the interaction of semiconductor materials Ge and In with the transport reagent I2 was accomplished. The effectiveness of chemical reactions running in the system under given conditions was estimated and the optimal temperatures for microcrystals growing were determined.Item Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.Виконано термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікро-кристалів InAs-GaAs за методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs-GaAs.галію. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs-GaAs microcrystals by the method of chemical transport reaction in chloride system was performed. Equilibrium composition of gas phase for such system was determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied system was performed. Optimal technological modes for growing InAs-GaAs solid solution microcrystals were determined.