Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Author: search.filters.author.Убізський, С. Б.Has files: Yes

Search Results

Now showing 1 - 10 of 26
  • Thumbnail Image
    Item
    Сенсори газів на наноструктурах: сучасний стан та перспективи досліджень
    (Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Buryy, O.; Ubizskii, S. B.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    Проаналізовано основні досягнення у галузі розроблення газових сенсорів резис- тивного типу, зокрема, створення нових наноархітектур, які дають змогу істотно покра- щити робочі характеристики сенсорів. Показано, що використання у таких структурах середовищ на основі нанокристалів перовськитів дасть можливість в перспективі забез- печити переваги над сенсорами на традиційних напівпровідникових оксидах металів.
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості кінетики радіаційного дефектоутворення за умови формування комплексів дефектів
    (Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Buryy, O.; Ubizskii, S. B.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    На основі розв’язку системи диференціальних рівнянь проаналізовано кінетику накопичення радіаційних дефектів у кристалічних середовищах за умови виникнення комплексів дефектів. Встановлено характерні особливості дозових залежностей, які відображають процес утворення комплексів дефектів.
  • Thumbnail Image
    Item
    Оптимізація мікрочіпового Nd:YAG лазера, що працює в режимі модульованої добротності
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Розглянутий мікрочіповий Nd:YAG лазер, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr +:YAG. Визначено оптимальні значення коефіцієнта відбиття вихідного дзеркала та початкового пропускання нелінійного абсорбера, які забезпечують максимальне значення енергії у генерованому імпульсі. The microchip Nd:YAG laser Q-switched by the epitaxial film of the Cr4+:YAG saturable absorber is considered. The optimal values of the absorber initial transmission and the output mirror reflectivity are being optimized in order to reach the maximum of the energy at the laser pulse.
  • Thumbnail Image
    Item
    Феромодуляційний перетворювач магнітного поля на основі епітаксійної плівки ферогранату
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Убізський, С. Б.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Розглядається феромодуляційний парногармонічнй перетворювач магнітного поля (ферозонд) з циркулярним збудженням, що використорує як активне середовище (111)-орієнтовану епітаксійну плівку ферогранату (ЕПФГ) з намагніченістю, близькою до площини плівки та проводиться аналіз гармонічного складу його індуктивного відкликання на основі феноменологічної теорії пере магнічування такої ЕПФГ. Визначено та обґрунтовано умови вимірювання просторових складових поля, а також показано можливість використання схеми ферозонду для вимірювання властивостей магнітної анізотропії ЕПФГ. The ferromodulation even-garmonic magnetic field transducer (fluxgate) with circular excitation that uses as an active medium the (111) oriented epitaxial iron garnet film (EIGF) having magnetization close to the film plane is considered in the work and an analysis of the garmonic content of its inductive respond is carried out on the base of phenomenologic theory of magnetization reversal of that film. Conditions of spatial components of magnetic field measurements are established and grounded. A possibility to apply the fluxgate scheme for measurements of the EIGF’s magnetic anisotropy parameters is shown.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання процесу генерації в мікрочіпових лазерах
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Бурий, O. A.; Убізський, С. Б.; Мельник, С. С.; Матковський, А. О.
    Розглянуті монолітні мікрочіпові лазери на основі ітрій-алюмінієвого гранату (YAG), активованого неодимом (Nd:YAG) та іттербіем (Yb:YAG), пасивна модуляція добротності яких здійснюється за допомогою епітаксійно нарощеного шару Cr4+:YAG. Визначаються оптимальні з погляду досягнення максимальної енергії в лазерному ім¬пульсі значення радіуса пучка накачки, параметрів абсорбера (товщини абсорбера та кон¬центрації фототропних центрів Сг4+) та коефіцієнта відбивання вихідного дзеркала Об¬грунтована можливість досягнення вищих значень енергії в імпульсі при використанні як генеруючого середовища кристала Yb:YAG порівняно із традиційним Nd:YAG. The monolith Q-switched microchip lasers based on the yttrium-aluminum garnet single crystal (YAG) activated with neodymium (Nd:YAG) or the ytterbium (Yb:YAG), passivelly modulated by the epitaxially grown Cr4+:YAG layer, are considered. The optimal values of the pumping beam radius, absorber parameters (its thickness and the phototropic centers Cr4+ concentration) and the output mirror reflectivity as well are determined from the point of view of maximizing the laser pulls energy. The possibility to reach the higher values of the laser pulse energy is substantiated in generating medium based on the Yb:YAG crystal in comparison in comparison with a more traditional Nd:YAG.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделі накопичення радіаційних дефектів в оксидних кристалах
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Бурий, O. A.; Потера, П.; Матковський, А. О.
    Розглянуто задачу опису кінетики накопичення радіаційних дефектів у кристалах складних оксидів. Проаналізовано моделі, які описують основні процеси та явища, що існують при опроміненні кристала - зміну зарядового стану генетичних дефектів, обмеженість процесу перезарядки генетичних дефектів їх кількістю та процесом їх рекомбінації, утворення радіаційних дефектів зміщення та їх іонізацію, обмеженість утворення радіаційних дефектів та їх іонізації процесами рекомбінації, а також утворення комплексів аніонної і катіонної вакансій. The description problem of the radiation defects accumulation kinetics is considered. The analysis is carried out for models describing the basic processes and phenomena taking place at the crystal irradiation, namely the genetic defects recharging, the limitation of the genetic defects recharging by their quantity and recombination, the displacement defects formation and ionization of them, the limitation of the radiation defects formation and their ionization by the recombination processes as well as formation of complexes of anion and cation vacancies.
  • Thumbnail Image
    Item
    Епітаксійні гранатові структури для твердотільних лазерів
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Сиворотка, І. М.; Матковський, А. О.; Мельник, С.С.; Сиворотка, І. І.
    Описані дослідження в галузі розробки епітаксійних гранатових шарів для їх використання як активних середовищ твердотільних лазерів, що спільно проводяться групою Відділу фізики і технології монокристалічних матеріалів НВП “Карат” та Лабораторії фізики оксидних кристалів Центру “Кристал” Національного університету “Львівська політехніка” з 1997 p.. Описані особливості і перспективи використання мікрочіпових лазерів з пасивною модуляцією добротності та дискових лазерів, основні проблеми, що виникають у технології рідинно-фазної епітаксії активних середовищ для них, а також способи їх вирішення. Внаслідок досліджень були розроблені технології одержання епітаксійних структур Cr4+:YAG/Nd:YAG і Cr4+:GGG/Nd:GGG для мікрочіпових лазерів та епітаксійних шарів Yb:YAG для дискових лазерів, випробу¬вання яких показали повну відповідність вимогам застосування. Investigation in the field of the epitaxial layers development for their use as active media of solid-state lasers are present in the work. The Department of Single Crystal Materials Physics and Technology of SRC «Carat» and Laboratory of the Oxide Crystal Physics of R&D Center «Crystal» of Lviv Polytechnic National University curry them out jointly since 1997. Peculiarities and application perspectives of the passivelly Q-switched microchip lasers and disk lasers are described as well as problems arising in the liquid-phase epitaxy technology of active media for them together with metods of their solutions. As a result of research the technologies are developed of the epitaxial structures fabrication of Cr4+:YAG/Nd:YAG and Cr4+:GGG/Nd:GGG for microchip lasers and epitaxial layers Yb:YAG for disk lasers. Their examination testified the full correspondence to application demands.
  • Thumbnail Image
    Item
    Життєвий і творчий шлях А. О. Матковського
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Убізський, С. Б.; Сугак, Д. Ю.
    Андрій Орестович Матковський 31.05.1954 - 10.02.2004
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив різних факторів на вимірювання магнітного поля парногармонічним перетворювачем з обертальним перемагнічуванням монокристалічної плівки ферогранату
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Убізський, С. Б.; Павлик, Л. П.; Климович, Є. М.
    Здійснено феноменологічне дослідження парногармонічного перетворювача магнітного поля із циркулярним збудженням монокристалічної плівки ферогранату як чутливого елемента з метою виявлення впливу неідеальності геометрії конструкції перетворювача та неточності кристалографічної орієнтації чутливого елементу на точність вимірювання магнітного поля. Встановлено, що відхилення площини обертання магнітного поля збудження від площини чутливого елемента та розорієнтації останнього від площини (111) є найсуттєвішими для вимірювального перетворювача. Зроблено висновки про можливість уникнення негативного впливу вказаних факторів та запропоновано відповідний спосіб. A phenomenological investigation of the even-harmonics magnetic field transducer with a circular excitation of the single-crystalline iron garnet film as its sensing element is performed. The aim was revealing a possible influence of non-ideality of transducer’s construction and inaccuracy of the sensing element crystallographic orientation on magnetic field measurements. It was established that the deviation of the magnetic field rotation plane from the plane of sensing element as well as misorientation of the last from the (111) plane a the most significant for the measuring transducer. Conclusions are made about the possibility to eliminate the negative influence of mentioned factors and respective way is proposed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Оптимізація геометрії лінійного електрооптичного ефекту в кристалах LiNbO3:MgO
    (Видавництво Львівської політехніки, 2016) Бурий, О. А.; Андрущак, Н. А.; Яремко, О. М.; Убізський, С. Б.
    За методом екстремальних поверхонь визначено глобальний максимум лінійного електрооптичного ефекту в кристалах LiNbO3:MgO. Показано, що максимально досяжні наведені значення зміни оптичного шляху для звичайної та незвичайної хвиль становлять 119 та 277 пм/В для довжини хвилі 632.8 нм та кімнатної температури, а глобальний максимум за різницею ходу для хвиль ортогональної поляризації становить 269 пм/В. Ці величини перевищують у ~1.5; 1.7 та 2.3 разу відповідні значення ефекту на прямих зрізах цих кристалів. The global maxima of linear electro-optic effect are determined for LiNbO3:MgO crystal by extreme surfaces method. As it is shown, the maximal achievable values of the reduced optical pathlength changes for the ordinary and extraordinary waves are equal to 119 and 277 pm/V correspondingly for the wavelength of 632.8 nm and room temperature whereas the global maximum of the path difference between the orthogonally polarized waves is equal to 269 pm/V. These maxima are 1.5, 1.7 and 2.3 times higher than the corresponding values for the direct cuts of these crystals.