Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
3 results
Search Results
Item The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride(Видавництво Львівської політехніки) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в зразку ІпМ зі структурою вюртциту та з концентрацією електронів ~ 6 х 1017см_3. Розраховано температурну залежність рухливості електронів в інтервалі 4.2 — 560 К.Item The local heavy-hole interaction with crystal lattice defects in indium antimonide(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.The processes of heavy-hole scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain and ionized impurities in zinc blende p-InSb samples with carrier concentration ~ 5 x 1013 + 2 x 1019 cm~3 are considered. The temperature dependences of heavy-hole mobility and Hall factor in the range 11 — 520 K are calculated. Рассмотрены процессы рассеяния тяжелых дырок на близкодействующем потенциале, обусловленном взаимодействием с полярными и неполярными оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами. полем статической деформации, заряженной примеси в образцах р-1пЗЬ с концентрацией носителей ~ 5 х 1013 ^ 2 х 1019 см-3. Рассчитаны температурные зависимости подвижности и Холл-фактора тяжелых дырок в интервале 11—520 К. Розглянуто процеси розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими домішками в зразках р-ІпЗЬ з концентрацією носіїв ~ 5 х 1013 ^ 2 х 1019см_3. Розраховано температурні залежності рухливості та Холл-фактора важких дірок в інтервалі 11—520 К.Item Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, ізольованими та нейтральними домішками в зразках GaN зі структурою вюртциту та з концентрацією домішок 4*10(6)см(-3) та 2*10(19)см(-3). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 40 - 500K. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite GaN samples with impurity concentration 4*10(6)см(-3) and 2*10(19)см(-3) are considered. The temperature dependences of the electron mobility in temperature range 40 - 500K are calculated.