The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride

Abstract

Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в зразку ІпМ зі структурою вюртциту та з концентрацією електронів ~ 6 х 1017см_3. Розраховано температурну залежність рухливості електронів в інтервалі 4.2 — 560 К.The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite InN sample with electron concentration ~ 6 x 1017 cm~3 are considered. The temperature dependence of the electron mobility in the temperature range 4.2 — 560 K is calculated.Рассмотрены процессы россеяния электронов на близкодействующем потенциале, обусловленном взаимодействием с полярными и неполярными оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами, статической деформации, нейтральной и заряженной примеси в образцах СаМ со структурой вюртцита и концентрацией электронов ~ 6 х 1017см_3. Рассчитана температурная зависимость подвижности электронов в интервале 4.2 — 560 К.