Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN
No Thumbnail Available
Files
Date
2011
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, ізольованими та нейтральними домішками в зразках GaN зі структурою вюртциту та з концентрацією домішок 4*10(6)см(-3) та 2*10(19)см(-3). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 40 - 500K. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite GaN samples with impurity concentration 4*10(6)см(-3) and 2*10(19)см(-3) are considered. The temperature dependences of the electron mobility in temperature range 40 - 500K are calculated.
Description
Keywords
явища переносу, розсіяння носіїв заряду, нітрид галію, transport phenomena, charge carrier scattering, gallium nitride, явление переноса, рассеяние носителей заряда, нитрид галия
Citation
Малик О. П. Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN / О. П. Малик, Г. В. Кеньо // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2011. – № 696 : Фізико-математичні науки. – С. 136–140. – Бібліографія: 26 назв.