Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Subject: search.filters.subject.solid solution

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Thumbnail Image
    Item
    Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази
    (Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.
    Наведені результати вирощування методом хімічних транспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs з використанням в якості транспортера хлористого водню в закритому ампульному реакторі. Розроблені технологічні режими дали змогу отримати мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs в широкому діапазоні складів: 0,3≤x≤0,8. Подано результати дослідження електрофізичних параметрів вирощених кристалів GaxIn1-xAs. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in hydrogen chloride environment by chemical transport reactions method in closed ampoule reactor are presented. The developed technological modes made it possible to obtain GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in a wide range of compositions 0.3≤x≤0.8. Results of investigation into electrophysical parameters of obtained GaxIn1-xAs crystals are presented.
  • Thumbnail Image
    Item
    Point defects and physico-chemical properties of crystals in Pb-Bi-Te system
    (Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2013) Freik, Dmytro; Turovska, Liliya
    Within crystalquasichemical formalism models of point defects of crystals in the Pb-Bi-Te system have been specified considering the amphoteric action of impurities in bismuth doped lead telluride PbTe:Bi, and solid solution formation mechanisms for РbТе-ВіТе and РbТе-Ві2Те3 have been examined.Dependences of Hall concentration and the concentration of point defects on the composition and the initial deviation from stoichiometry in the basic matrix have been calculated. У рамках кристалоквазіхімічного формалізму уточнено моделі точкових дефектів кристалів у системі Pb-Ві-Te з урахуванням амфотерної дії домішки в легованому вісмутом плюмбум телуриді PbTe:Bi та розглянуто механізми утворення твердих розчинів РbТе-ВіТе і РbТе-Ві2Те3. Розраховано залежності холлівської концентрації та концентрації точкових дефектів від складу і початкового відхилення від стехіометрії в основній матриці.
  • Thumbnail Image
    Item
    Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Стецко, Р. М.
    Наведено результати вирощування мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs за механізмом пара-рідина-кристал (ПРК-механізмом) методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. Отримано мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs зі складом 0,30≤x≤0,41, який був визначений за допомогою рентгенівського мікроаналізу. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system are represented. GaxIn1-xAs solid solution microcrystals with 0.30≤x≤0.41 composition, which was determined by X-ray microanalysis, were obtained.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs
    (Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.
    Виконано термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікро-кристалів InAs-GaAs за методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs-GaAs.галію. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs-GaAs microcrystals by the method of chemical transport reaction in chloride system was performed. Equilibrium composition of gas phase for such system was determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied system was performed. Optimal technological modes for growing InAs-GaAs solid solution microcrystals were determined.