Структурна модифікація бінарних as-базованих халькогенідних склуватих напівпровідників

Abstract

Наведено числовий критерій структурної модифікації халькогенідних склуватих напівпровідників. Розділено вплив in-situ структурної модифікації та внеску від наступної структурної релаксації на кінцеву метастабільну in-situ структурну модифікацію. Внесок від структурної релаксації розділений на три різні канали (внески від переключення зв’язків, вільного об’єму та металічності). Числовий критерій структурної модифікації розрахований для As-базованих халькогенідних склуватих напівпровідників систем As-S і As-Se. Показано, що теоретично розраховані дані адекватно описують експериментально отримані результати інших авторів. Numerical criterion for structural modification of chalcogenide vitreous semiconductors was presented in this work. It was divided influences of the in-situ structural modification and follow structural relaxation input on the final metastable ex-situ structural modification. Structural relaxation input was divided on the three different channels (bond-switching, free volume and metallicity inputs). Numerical criteria of structural modification were calculated for As-based chalcogenide vitreous semiconductors of the As-S and As-Se systems. It was shown that theoretically calculated data are adequate describe experimentally obtained results of other authors.