Electrophysical diagnostics of Ag/HfO2/ZnO/TiAu structures
No Thumbnail Available
Date
2012
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
This paper reports on the Ag/HfO2/ZnO/TiAu Schottky structures, in which the semiconducting ZnO and HfO2 layers are obtained using the low temperature Atomic
Layer Deposition (ALD) method. Basing on the thermionic emission, differential and injection approaches an optimal thickness of HfO2 capping layer for the ZnO-based diode was found to be about 2.5 nm.
Description
Keywords
ZnO-based Schottky diode, current–voltage characteristics, differential approach, atomic layer deposition (ALD)
Citation
Electrophysical diagnostics of Ag/HfO2/ZnO/TiAu structures / T. A. Krajewski, P. S. Smertenko, G. Luka, L. Wachnicki, A. Cherevko, G. Olkhovik, A. J. Zakrzewski, M. Godlewski, E. Guziewicz // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 35–36. – Bibliography: 8 titles.