Магнетоопір ниткуватих кристалів Si-Ge з концентрацією домішки в околі концентраційного переходу метал-діелектрик за кріогенних температур

Abstract

Наведено результати дослідження магнетоопору ниткуватих кристалів (НК) Si-Ge з вмістом Ge 1–5 ат.%, легованих домішкою В та комбінацією B+Hf до концентрацій 1017–5·1018 см-3, за низьких температур 4,2–77 К та сильних магнітних полів до 14 Тл. Показано, що характер залежностей магнетоопору від магнітного поля істотно відрізняється для зразків з різною концентрацією легуючої домішки. Висловлено припущення, що введення домішки Hf у ростову шихту сприяє очищенню НК Si-Ge від домішки бору, який входив в НК під час росту. The paper contains results of investigation of magnetoresistance (MR) for Si-Ge whiskers with 1–5 % Ge content doped with B and B+Hf impurities up to concentrations 1017–5·1018 cm-3 at low temperatures 4,2–77K in high magnetic field up to 14T. A character of MR dependency on magnetic field intensity was shown to differ substantially for samples with various doping impurities concentrations. It has been assumed that introducing of Hf impurity into the growth tube leads to purification of Si-Ge whiskers from doping impurity during the growth.