Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази
Loading...
Date
2012
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Наведено результати вирощування мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs за механізмом пара-рідина-кристал (ПРК-механізмом) методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. Отримано мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs зі складом 0,30≤x≤0,41, який був визначений за допомогою рентгенівського мікроаналізу. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in
chloride system are represented. GaxIn1-xAs solid solution microcrystals with 0.30≤x≤0.41 composition, which was determined by X-ray microanalysis, were obtained.
Description
Keywords
пара-рідина-кристал, твердий розчин, мікрокристали, арсенід індію, арсенід галію, vapor-liquid-solid, solid solution, microcrystals, indium arsenide, gallium arsenide
Citation
Стецко Р. М. Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази / Р. М. Стецко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 73–79. – Бібліографія: 14 назв.