Особливості деградації поверхнево-бар’єрних структур метал-P-CDTE

Abstract

Досліджені закономірності самодовільної зміни з часом (деградації) вольт-амперних характеристик (ВАХ) та залежностей диференціальних параметрів поверхнево- бар’єрних структур (ПБС) метал-р-Сс1Те від напруги зміщення. Показано, що з часом, в умовах взаємодії структур з навколишнім середовищем, відбувається збільшення струмової відтинки ВАХ, зменшення струму насичення, переміщення експоненціальної ділянки в область високих напруг та зростання диференціальних ємності і провідності в області прямих зміщень. Ці явища зумовлені зростанням товщини проміжного шару між металом і напівпровідником, який містить глибокі центри. The peculiarities of spontaneous changes in time (degradations) of current- voltage characteristics (CVC) and dependences of differential parameters of metal-p-CdTe surface- barrier structures on bias voltage are investigated. It is shown that in conditions of the structure interaction with an environment, the increase of current intercept in the CVC, decrease of saturation current, shift of exponential area in the region of higher voltage and increase of differential capacity and conductivity in the region of direct bias take place with time. These phenomena are conditioned by increase of thickness of intermediate layer between the metal and semiconductor which contains deep centers.