Багатоелементні інфрачервоні фотоприймачі на основі епітаксійних гетероструктур P-Pb/xSnxTe/ySey/J-Pb0,8oSn0,2oTe

Abstract

Методами рідинної епітаксії та вакуумного напилення сформовані багато¬елементні фотоприймачі Pb/8-uiap/p-Pbi.xSnxTei.ySey/p+-Pbo,8oSn0,юТе/Au на основі епітаксійних шарів (0,09<х<0,18 (ат. д.), 0,02<у<0,06 (ат. д.); р=(2,1^7,5)х1017 см'3, |н=(0,9^6,3)х103 CM^B'V'1). Одержаний Pb/8-map/p-Pb0,82Sn0,i8Teo,98Seo,o2/p+- Pb0,8oSn0,2oTe/Au 2х20-елементний фотоприймач при 170 К, Ар~8 мкм і Ас~8,3 мкм мав RoA=0,31-0,97 Ом-см2, Пх=0,32-0,51 TaDx*=(0,70-l,83)xl010 смГц,2Вт’. The Pb/§-layer/p-Pbi.xSnxTei.ySey/p+-Pb0.8oSn0.2oTe/Au linear photovoltaic infrared sensor arrays have been formed on the basis of high-quality epitaxial layers (0.09<x<0.18 (at. fr.), 0. 02<y<0.06 (at. fr.); p=(2,l-7,5)xl017 cm'3; |^(0,9-6,3)xl03 cmV-c1) by the liquid phase epitaxy and vacuum deposition techniques. The obtained Pb^-layer/p-Pb0.82Sn0.i8Teo.98Seo.o2/p+- Pb0.80Sn0.20Te/Au 2^0-element photoreceiver at the 170 K, Ap~8 |m and Лс~8.3 |m had RA=0.31-0.97 й-cm2, nx=0.32-0.51 and D**=(0.70-1.83)xl010 cmHz12W ’.