Непружне розсіювання дірок на оптичних коливаннях кристалічної ґратки в HgTe

No Thumbnail Available

Date

2002

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"

Abstract

Точним розв’язком стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду. В інтервалі температур 4,2-300 К розглянуто основні механізми розсіювання дірок з врахуванням непружної взаємодії дірок з оптичними коливаннями кристалічної ґратки. By means of exact solution of stationary Boltzman equation the nonequilibrium charge carrier distribution function is obtained. In the temperature range 4,2-300 K the main hole scattering mechanism are considered taking into account the nonelastic hole interaction with optical vibrations of the crystall lattice.

Description

Keywords

Citation

Малик О.П. Непружне розсіювання дірок на оптичних коливаннях кристалічної ґратки в HgTe / О. П. Малик, Г. В. Кеньо // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 166–171. – Бібліографія: 9 назв.