Спектр носіїв δ-легованих кремнієм шарів GaAs (100)

Abstract

У роботі розв’язана задача на знаходження енергетичного спектра GaAs періодично δ-легованого кремнієм. Розв’язання виконане в межах методу дефор¬маційного потенціалу. Потенційний профіль моделювався δ-функцією Дірака. Отримано кількісні залежності параметра деформації (emech) для GaAs і Si від тов¬щини δ-шару (Lw) та міжшарової відстані (Ь). Ці залежності виявилися спадними з ростом Lw та зростаючими з ростом Ь. Пояснено наявність у спектрах фотолю¬мінесценції δ-лінії в діапазоні hv = 1,47 - 1,48 еВ, зокрема, при Lw= 10 А досягнуто задовільного збігу з експериментальними даними з фотолюмінесценції. Energetical spectra of δ-doped GaAs by Si have been solved. The solve has been studied by deformation’s potencial method. We chosen Dirack’s δ-function for potential profile. It is found Lw- (thickness of δ-layer) and b- (thickness of GaAs layer) dependences of deformation’s parametrs (e mech), they decrease when Lw increases and increase when b increases. It is found Lw- and b- dependences of energetical spectra. They decrease for electron’s level and decrease for hole’s level. It is explain appearance in photoluminescence spectra δ-band near hv= 1.47*1.48eV. We received results similar to experi¬ment’s near Lw= 10А.