Brief overview of the epr spectra of In4Se3 intercalated by Cu

Abstract

Досліджено електричні та магнітні властивості In4Se3, інтеркальованих міддю за допомогою ЕПР спектрів. Розглянуто можливості використання сенсорів магнітного поля на основі структур InSe для виявлення броньованих військових транспортних засобів. Досліджено вплив металевих домішок на шарувату структуру напівпровідникового матеріалу щодо сильного ковалентного зв’язку всередині шарів, а також слабкого ван-дер- ваальсового зв’язку в міжшаровому просторі. Проаналізовано спектри ЕПР для кристала In4Se3 з домішками Cu за кімнатної температури. Спектри ЕПР показують, що наявність Cu вносить істотні зміни в структуру In4Se3. Це може бути пов’язано з потряплянням вільних носіїв заряду в пастки, введені гостьовим Cu, які впливають на неспарені електрони, пов’язані з атомами In або Se. Встановлено, що вміст Cu є важливим фактором впливу на відгук структури InSe до перехресних електромагнітного та магнітних полів у спектрах ЕПР. g фактор неспарених електронів у NixIn4Se3 згідно зі спектральними характеристиками, набував значення 2,017. Це значення, як з’ясовано, лежить у межах 1 % точності щодо стандартного значення ge = 2,0023. Наявність Cu призводить до тенденції висхідного характеру спектра ЕПР, збільшуючи відгук системи зі зростанням магніного поля. Оскільки наявність Cu спричиняє специфічні (не зовсім зрозумілі) пікові значення у спектрах ЕПР, в околі значень 3400 Гаус, які зростають зі збільшенням х, для дослідження цих структур необхідні додаткові дослідження ЕПР, такі як: а) кутові ЕПР-дослідження для різних орієнтацій зразків щодо радіочастотного поля і магнітного полів, так, щоб можна було побудувати тензор g; б) з’ясування температурної залежності сигналу ЕПР від кімнатних температур до температури рідкого азоту.The EPR studies of electrical and magnetic properties of In4Se3 intercalated by copper are outlined in this article. Possibilities of using magnetic field sensors based on InSe structures for revealing the armour military vehicles are discussed. The impact of metal impurities on the layered structure of the semiconductor material as referred to the strong covalent bond within the layers as well as the weak van-der-Waals bond in the interlayer space is studied. EPR spectra for In4Se3 crystal with the impurities of Cu at room temperature are analyzed.