Структури кремній-на-ізоляторі для сенсорної електроніки

Abstract

Проаналізовано сучасні методи отримання структур кремній-на-ізоляторі. Наведено результати комплексного дослідження електропровідності, магнітоопору, п’єзоопору полікристалічного кремнію на напівпровідникових підкладках у широкому інтервалі температур, за впливу сильних магнітних полів і деформацій, що використано для створення сенсорів механічних і теплових величин на їх основі. Визначено конструктивні особливості для інтеграції різних типів сенсорів на одному кристалі під час створення мікросистем, а також методи покращання вимірювальних характеристик сенсорів механічних і теплових величин на основі полікремнієвих шарів у структурах кремній-на-ізоляторі. Призначено для наукових та інженерно-технічних працівників та студентів, які навчаються за напрямом “Мікро- та наноелектроніка”, а також широкого загалу спеціалістів у галузі сенсорної електроніки та мікроелектроніки.