Berry Phase appearance in deformed indium antimonide and gallium gntimonide whiskers

Abstract

Вплив деформації на магніторезистивні властивості нитковидних кристалів (віскерсів) з антимоніду індію та антимоніду галію n-типу провідності та із різними домішками поруч із переходом «метал-діелектрик» досліджено у діапазоні температур 4,2–50 K та магнітному полі 0–14 T. Осциляції Шубнікова – Де Гааза в усьому діапазоні індукції магнітного поля показано у деформованих та недеформованих віскерсах. Амплітуда магніторезистивних осциляцій для зразків обох типів зменшується із зростанням температури. Було визначено наявність фази Беррі за низьких температур у віскерсах з антимоніду індію та антимоніду галію, яка демонструє їхній перехід у стан топологічних діелектриків.The influence of deformation on magnetoresistance features in indium antimonide and gallium antimonide whiskers of n-type conductivity with different doping concentration in the vicinity to the metalinsulator transition (MIT) was investigated in the temperature range 4.2–50 K and the magnetic field 0–14 T. The Shubnikov-de Haas oscillations in the whole range of magnetic field inductions were shown in deformed and undeformed whiskers. The amplitude of the magnetoresistance oscillations for both type of samples decreases in accordance with the increase in temperature. Berry phase existence under deformation influence was also revealed at low temperatures in the indium antimonide and galium antimonide whiskers, that indicates their transition into the state of topological insulators.