Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN

Abstract

Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, ізольованими та нейтральними домішками в зразках GaN зі структурою вюртциту та з концентрацією домішок 4*10(6)см(-3) та 2*10(19)см(-3). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 40 - 500K. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite GaN samples with impurity concentration 4*10(6)см(-3) and 2*10(19)см(-3) are considered. The temperature dependences of the electron mobility in temperature range 40 - 500K are calculated.