Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN

Simple item page
dc.contributor.authorМалик, О. П.
dc.contributor.authorКеньо, Г. В.
dc.date.accessioned2011-10-13T12:03:00Z
dc.date.available2011-10-13T12:03:00Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractРозглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, ізольованими та нейтральними домішками в зразках GaN зі структурою вюртциту та з концентрацією домішок 4*10(6)см(-3) та 2*10(19)см(-3). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 40 - 500K. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite GaN samples with impurity concentration 4*10(6)см(-3) and 2*10(19)см(-3) are considered. The temperature dependences of the electron mobility in temperature range 40 - 500K are calculated.uk_UA
dc.identifier.citationМалик О. П. Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN / О. П. Малик, Г. В. Кеньо // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2011. – № 696 : Фізико-математичні науки. – С. 136–140. – Бібліографія: 26 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/10298
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectявища переносуuk_UA
dc.subjectрозсіяння носіїв зарядуuk_UA
dc.subjectнітрид галіюuk_UA
dc.subjecttransport phenomenauk_UA
dc.subjectcharge carrier scatteringuk_UA
dc.subjectgallium nitrideuk_UA
dc.subjectявление переноса
dc.subjectрассеяние носителей заряда
dc.subjectнитрид галия
dc.titleЗастосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaNuk_UA
dc.title.alternativeПрименение принципа близкодействия в теории рассеяния електронов в GaN
dc.title.alternativeThe use of the short-range principle in the electron scattering theory in GaN
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
20.pdf
Size:
1.86 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.06 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Фізико-математичні науки. – 2011. – №696