Структура та деякі електрофізичні властивості аморфних і кристалічних плівок селеніду ртуті

Abstract

Було винайдено аморфні та кристалічні плівки HgSe завтовшки 1000 А. У кристалічному зразку визначити ширину забороненої зони 0.2 eV, концентрацію і рухливість носіїв. В аморфних зразках визначити ширину забороненої зони 1 ev. При температурі рідкого азоту зразки володіють лише р-провідністю, тоді як при температурах, вищих від температури рідкого азоту – лише n-провідністю. Структуру аморфного HgSe вивчали електронографічно, і було показано, що координаційне число не змінюється з переходом з аморфного в кристалічний стан. В аморфних зразках було також визначено середньоквадратичне зміщення атомів.

Amorphous and monocrystal films of HgSe compound with thickness of 1000 A were investigated. In crystal sample it was determined the forbidden gap (0,2 eV), concentration and mobility of carriers. In amorphous samples it was determined the forbidden gap (1 ev). At liquid nitrogen temperature the samples possess only the p-type conductivity while a temperature higher the one of liquid nitrogen – only the n-type conductivity. The structure of amorphous HgSe was investigated electronographically and it was shown that coordination number does not change with transition from amorphous into crystal state. In amorphous samples it was also determined the average square atom shift.