Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge
No Thumbnail Available
Files
Date
2011
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Досліджено вплив електронного опромінення на низькотемпературну провідність і магнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типу з концентрацією бору поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД). Спостерігається кореляція між впливом електронного опромінення на опір і магнетоопір кристалів за кріогенних температур. Виконані вимірювання свідчать про радіаційну стійкість досліджених НК Si та Si1-xGex до дії опромінення високоенергетичними електронами з флюенсом Ф£1´1017ел/см2. Influence of electron irradiation on low temperature conductivity and magnetoresistance of р-type silicon and Si1-xGex (х=0,03) whiskers with boron concentration in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) have been studied. Correlation between influence of electron irradiation on crystal resistance and magnetoresistance at cryogenic temperatures was observed. These studies show the stability of investigated Si and Si1-xGex whiskers to irradiation by high energy electrons with fluencies Ф£1´1017еl/cm2.
Description
Keywords
електронне опромінення, низькотемпературна провідність, магнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типу, electron irradiation, low-temperature conductivity, magnetoresistance of Si whiskers and Si1-xGex p-type
Citation
Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge / І. Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, О. П. Кутраков, І. Т. Когут, Н. С. Лях-Кагуй // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 145–150. – Бібліографія: 7 назв.