Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge

dc.contributor.authorМар’ямова, І. Й.
dc.contributor.authorОстровський, І. П.
dc.contributor.authorХоверко, Ю. М.
dc.contributor.authorКутраков, О. П.
dc.contributor.authorКогут, І. Т.
dc.contributor.authorЛях-Кагуй, Н. С.
dc.date.accessioned2012-02-20T15:46:52Z
dc.date.available2012-02-20T15:46:52Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractДосліджено вплив електронного опромінення на низькотемпературну провідність і магнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типу з концентрацією бору поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД). Спостерігається кореляція між впливом електронного опромінення на опір і магнетоопір кристалів за кріогенних температур. Виконані вимірювання свідчать про радіаційну стійкість досліджених НК Si та Si1-xGex до дії опромінення високоенергетичними електронами з флюенсом Ф£1´1017ел/см2. Influence of electron irradiation on low temperature conductivity and magnetoresistance of р-type silicon and Si1-xGex (х=0,03) whiskers with boron concentration in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) have been studied. Correlation between influence of electron irradiation on crystal resistance and magnetoresistance at cryogenic temperatures was observed. These studies show the stability of investigated Si and Si1-xGex whiskers to irradiation by high energy electrons with fluencies Ф£1´1017еl/cm2.uk_UA
dc.identifier.citationВплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge / І. Й. Мар’ямова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, О. П. Кутраков, І. Т. Когут, Н. С. Лях-Кагуй // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 145–150. – Бібліографія: 7 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11534
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectелектронне опроміненняuk_UA
dc.subjectнизькотемпературна провідністьuk_UA
dc.subjectмагнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типуuk_UA
dc.subjectelectron irradiationuk_UA
dc.subjectlow-temperature conductivityuk_UA
dc.subjectmagnetoresistance of Si whiskers and Si1-xGex p-typeuk_UA
dc.titleВплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Geuk_UA
dc.title.alternativeInfluence of electron irradiation on silicon and Si-Ge solid solution whiskersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
22.pdf
Size:
871.62 KB
Format:
Adobe Portable Document Format